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公开(公告)号：CN109305814A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201811570206.2
申请日：2018-12-21
申请人： 广州天极电子科技有限公司
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/47 , C04B35/622 , C04B35/628 , H01G13/00
摘要： 本发明公开一种陶瓷电容器的制备方法。采用原子层沉积(ALD)方法包覆陶瓷粉体，能够实现对每一个粉体颗粒的完全包覆，且包覆层的厚度可以方便地做到精确控制。包覆后的粉体烧结成陶瓷电容器，所述陶瓷电容器在额定电压下的绝缘电阻较未包覆样品提高了10倍，极大程度提高了陶瓷电容器的耐电压性能及可靠性。
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公开(公告)号：CN104900406B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201510291404.5
申请日：2015-06-01
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 广州天极电子科技有限公司
摘要： 本发明提供一种高可靠性、高电容量的可键合多层陶瓷电容器及其制备方法，该可键合多层陶瓷电容器包括：多个陶瓷介电层；分别交替地形成在所述多个陶瓷介电层上的多个第一和第二内部电极；以及垂直穿过所述多个陶瓷介电层的第一类和第二类垂直过孔，所述第一类垂直过孔与所述第一内部电极的主电极相连接，并且所述第二类垂直过孔与所述第二内部电极的主电极相连接；所述第一类垂直过孔通向所述电容器的底部，与底部的外部电极相连接，并且所述第二类垂直过孔通向所述电容器的顶部，与顶部的外部电极相连接。
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公开(公告)号：CN107516599B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201710707116.2
申请日：2017-08-17
申请人： 广州天极电子科技有限公司
摘要： 本发明公开一种三维结构陶瓷电容器的制备方法及电容器。所述方法包括以下步骤：将半导体陶瓷粉末流延膜通过热压成型为生坯片；在所述生坯片上冲出通孔；把未冲孔的所述生坯片和冲孔后的所述生坯片叠放在一起，分别通过热压和静水压形成成型坯片；将所述成型坯片放入还原气氛中烧结，得到半导化陶瓷片；对所述半导化陶瓷片进行表面氧化；将表面氧化后所述半导化陶瓷片未冲孔的一面研磨，去除表面氧化绝缘层；对研磨后的所述半导化陶瓷片两面进行金属化，得到三维结构表面层型半导体陶瓷电容器。采用本发明的方法或电容器，可以极大地增大电容器容量。
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公开(公告)号：CN103924281B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201410173140.9
申请日：2014-04-26
申请人： 广州天极电子科技有限公司
IPC分类号： C25D13/12
摘要： 本发明公开了一种以导电陶瓷为基底电泳制备功能薄膜的方法，包括：步骤1：提供物质A和物质B；步骤2：将物质A加入物质B中，形成溶液或悬浮液；步骤3：根据需要再加入物质C形成混合液；步骤4：连接好电泳装置和稳压电源进行电泳；步骤5：对电泳后的导电陶瓷进行风干或烘干处理即可获得功能薄膜。本发明以导电陶瓷为基底作为电泳的电极，不仅为电泳形成的功能薄膜提供了刚性基体，而且可与功能薄膜一起在高温下进行热处理，避免使用价格昂贵的铂等贵金属电极，降低了生产成本，且制得的功能薄膜品质优良。
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公开(公告)号：CN103325507B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201310250721.3
申请日：2013-06-21
申请人： 广州天极电子科技有限公司
摘要： 本发明提供一种高稳定性的薄膜电阻器及其制造方法，其中，薄膜电阻器由基板，附着于基板上表面的薄膜电阻层，附着于基板下表面的下电极，以及附着于薄膜电阻层上表面的上电极组成。其方法是通过对电阻器的电阻温度系数进行特殊的控制，从而大幅降低电阻温度系数的薄膜电阻器。本发明解决现有薄膜电阻器稳定性比较差，不能满足高稳定性的要求的技术问题。本发明具有精度高、频率高，以及体积小等优点。
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公开(公告)号：CN103601488B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201310643754.4
申请日：2013-12-03
申请人： 广州天极电子科技有限公司
IPC分类号： H01G4/12 , C04B35/47 , C04B35/50 , C04B35/622 , C04B41/85
摘要： 本发明中，在陶瓷粉体A中加入陶瓷粉体B，陶瓷粉体B的质量与陶瓷粉体A的质量比大于0小于等于0.30，二者混合并超细磨制得均匀的陶瓷粉体C，陶瓷粉体C干燥后过筛，在得到的粉体中加入PVA，经流延成型工艺得到陶瓷生坯，陶瓷生坯排胶后在NH3中或N2和H2组成的混合气体中在1100~1400℃的温度范围内进行烧结，形成陶瓷介质D，在陶瓷介质D表面被覆氧化剂层得到陶瓷介质E，陶瓷介质E置于热等静压烧结炉内，经过热等静压处理后得到陶瓷介质F。借助本发明得到的陶瓷介质F的电介质微观结构及介电性能得到调控，从而使陶瓷电介质的介电性能得到显著的提高，介电常数和电阻率显著提高，介质损耗降低。
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公开(公告)号：CN107946074A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711426144.3
申请日：2017-12-26
申请人： 广州天极电子科技有限公司
CPC分类号： H01G4/06 , H01G4/306 , H01G13/003
摘要： 本发明公开一种单层电容器及制备方法。所述单层电容器包括：上电极、第一介质层、内电极、第二介质层和下电极；所述上电极与所述内电极通过所述第一介质层连接，所述内电极与所述下电极通过所述第二介质层连接；所述第一介质层的厚度小于所述第二介质层的厚度；其中，所述第二介质层设有通孔，所述通孔中填充有电极材料，所述电极材料连接所述内电极和所述下电极。本发明提供的单层电容器在增加电容器容量的同时保持电容器良好的机械强度。
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公开(公告)号：CN104900406A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510291404.5
申请日：2015-06-01
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 广州天极电子科技有限公司
摘要： 本发明提供一种高可靠性、高电容量的可键合多层陶瓷电容器及其制备方法，该可键合多层陶瓷电容器包括：多个陶瓷介电层；分别交替地形成在所述多个陶瓷介电层上的多个第一和第二内部电极；以及垂直穿过所述多个陶瓷介电层的第一类和第二类垂直过孔，所述第一类垂直过孔与所述第一内部电极的主电极相连接，并且所述第二类垂直过孔与所述第二内部电极的主电极相连接；所述第一类垂直过孔通向所述电容器的底部，与底部的外部电极相连接，并且所述第二类垂直过孔通向所述电容器的顶部，与顶部的外部电极相连接。
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公开(公告)号：CN103924281A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410173140.9
申请日：2014-04-26
申请人： 广州天极电子科技有限公司
IPC分类号： C25D13/12
摘要： 本发明公开了一种以导电陶瓷为基底电泳制备功能薄膜的方法，包括：步骤1：提供物质A和物质B；步骤2：将物质A加入物质B中，形成溶液或悬浮液；步骤3：根据需要再加入物质C形成混合液；步骤4：连接好电泳装置和稳压电源进行电泳；步骤5：对电泳后的导电陶瓷进行风干或烘干处理即可获得功能薄膜。本发明以导电陶瓷为基底作为电泳的电极，不仅为电泳形成的功能薄膜提供了刚性基体，而且可与功能薄膜一起在高温下进行热处理，避免使用价格昂贵的铂等贵金属电极，降低了生产成本，且制得的功能薄膜品质优良。
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公开(公告)号：CN103259505A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201210039537.X
申请日：2012-02-16
申请人： 广州天极电子科技有限公司
摘要： 一种片式阻容网络模块及其制造方法，涉及一种电路元件，具体涉及一种片式阻容网络模块及其制造方法。该阻容网络模块，包括自上而下的四层：上电极层、电阻层、陶瓷基板和下电极层，上电极层通过其下表面附着于电阻层的上表面，电阻层通过其下表面附着于陶瓷基板的上表面上，下电极层通过其上表面附着于陶瓷基板的下表面上，上电极层包括相互分离的第一上电极和第二上电极，第一上电极、电阻层和第二上电极构成电阻器，第二上电极、电阻层、陶瓷基板和下电极层构成片式电容器。本发明的片式阻容网络模块密度，降低寄生系数，并且电路可靠性好。
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