公开(公告)号：CN104979317A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510176791.8

申请日：2015-04-14

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 富田和朗 ,  竹若博基

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L22/12 ,  H01L22/32 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/544 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/09 ,  H01L24/45 ,  H01L24/46 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4905 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，能够提高半导体器件的可靠性。实施方式中的特征点在于：在焊盘(PD)与引出布线部(DWU)的连接部位设置有倾斜部(SLP)。由此，能够抑制在通过表面保护膜(PAS)将焊盘(PD)的一部分覆盖的覆盖区域产生裂纹。

公开(公告)号：CN104973566A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510151343.2

申请日：2015-04-01

申请人： 亚太优势微系统股份有限公司

发明人： 殷宏林

IPC分类号： B81C3/00 ,  B81B7/02

CPC分类号： H01L21/02255 ,  B81C1/00047 ,  B81C2201/019 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/187 ,  H01L21/461 ,  H01L21/78 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/80 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0355 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/80 ,  H01L2221/68381 ,  H01L21/306 ,  H01L2224/03

摘要： 本发明提供一种具精确间隙的微机电晶圆结构及其制作方法，该制作方法包括以下步骤。首先，提供一第一晶圆，第一晶圆具有一第一表面。接着，于该第一表面的形成至少两个以上具有不同掺杂浓度或不同掺杂物的掺杂区，以使每一该掺杂区具有不同的氧化速率。再来，对第一晶圆进行热氧化，以使不同的掺杂区上形成不同厚度的氧化层。之后，提供一第二晶圆。然后，将第二晶圆与第一晶圆相结合。本发明的有益效果是可以制造出成本较低、电容间极板具精确间隙的微机电晶圆结构。

公开(公告)号：CN103247590B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201310049876.0

申请日：2013-02-07

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 彼得·奥西米茨 ,  迪尔克·赫希登兹 ,  马蒂亚斯·冯达克

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L25/16

CPC分类号： H01L24/09 ,  G11C5/06 ,  H01L22/32 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5286 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06137 ,  H01L2224/09179 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明的实施方式涉及一种半导体芯片及其制造方法、器件及其制造方法。一种半导体芯片，其包括多个接触垫，设置在所述半导体芯片的表面上的边缘区域中。其中，在所述半导体芯片的用于所述多个接触垫中的每个接触垫的半导体区域中，提供相关的垫单元，所述垫单元包括驱动器和接收器中的至少一个，所述驱动器或接收器被配置成如果所述驱动器或接收器与和其相关的接触垫连接，则在该接触垫上驱动输出信号或接收输入信号。并且，对于用作供电接触垫的接触垫而言，其相关的垫单元的驱动器或接收器不与该接触垫或用于在其上驱动输出信号或接收输入信号的任何其他接触垫连接。

公开(公告)号：CN104900598A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201410848148.0

申请日：2014-12-31

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林俊成 ,  余振华 ,  卢思维 ,  林士庭 ,  郑心圃

IPC分类号： H01L23/10 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L25/105 ,  H01L21/565 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/09 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1082 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

摘要： 一种封装件包括第一封装件，第一封装件包括器件管芯、在其中模制器件管芯的模塑料、穿透模塑料的通孔、以及位于模塑料的相对两侧上的多条第一重分布线(RDL)和多条第二RDL。通孔将多条第一RDL中的一条电连接至多条第二RDL中的一条。封装件还包括接合至第一封装件的第二封装件、设置在第一封装件和第二封装件之间的间隙中的间隔件、以及位于间隔件的相对两侧上的第一电连接件和第二电连接件。第一电连接件和第二电连接件将第一封装件电连接至第二封装件。间隔件与第一电连接件和第二电连接件间隔开。本发明还涉及用于减小INFO封装件中接触不良的解决方案。

公开(公告)号：CN104779232A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201410105946.4

申请日：2014-03-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  黄见翎 ,  林勇志

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/08123 ,  H01L2224/08148 ,  H01L2224/0951 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81101 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8122 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 一种封装件包括第一封装组件和第二封装组件。第一封装组件包括位于第一封装组件的表面处的第一电连接件以及位于第一电连接件的表面上的第一焊料区域。第二封装组件包括位于第二封装组件的表面处的第二电连接件以及位于第二电连接件的表面上的第二焊料区域。金属引脚具有接合至第一焊料区域的第一末端和接合至第二焊料区域的第二末端。本发明的也提供了通过预形成的金属引脚的封装。

公开(公告)号：CN104752239A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201310753305.5

申请日：2013-12-31

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 陈福成 ,  刘尧 ,  黄河

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L24/09 ,  H01L24/89 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80355 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种半导体器件、制备方法及封装方法，所述制备方法包括提供基底，所述基底上形成有层间介电层；在所述层间介电层中形成接合焊盘；在所述层间介电层和所述接合焊盘上形成接合材料层，以覆盖所述层间介电层和所述接合焊盘；图案化所述接合材料层，以在所述接合材料层中形成开口，露出所述接合焊盘。本发明为了解决现有技术中存在的问题，在目前的工艺流程中，在图案化密度（pattern density）的影响下，增加上下两片硅片界面之间的接合力。具体地，本发明通过增加苯并环丁烯BCB材料层，在接合工艺中，不仅是Cu-Cu接合，还包括苯并环丁烯BCB材料层之间的接合，实现混合接合，来增加上下两片硅片界面之间的接合力，使得可靠性增强。

公开(公告)号：CN104701282A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410751125.8

申请日：2014-12-10

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R.阿林格 ,  G.比尔 ,  J.赫格尔

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L25/18 ,  G01R31/2884 ,  H01L22/26 ,  H01L22/34 ,  H01L24/06 ,  H01L24/09 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0248 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06132 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/14252 ,  H01L2924/14253 ,  H01L2924/1426 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及芯片、芯片封装和管芯。在各种实施例中，提供用于芯片封装的芯片。芯片包含衬底和在衬底之上的集成电路。集成电路可以包含测试电路（比如内置自测试电路）和操作电路，测试电路包含每个具有第一驱动器性能的一个或多个第一驱动器级并且操作电路包含每个具有与第一驱动器性能不同的第二驱动器性能的一个或多个第二驱动器级；第一接触，与第一驱动器级电耦合；以及第二接触，与第二驱动器级电耦合，其中测试电路和第一接触被配置成提供用于测试集成电路的测试模式并且其中操作电路和第二接触被配置成提供与测试模式不同的集成电路的操作模式。

公开(公告)号：CN104637904A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410025291.X

申请日：2014-01-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴胜郁 ,  郭庭豪 ,  陈承先

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/528 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/33 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/3841 ,  H05K1/111 ,  H05K2201/09727 ,  H05K2201/10674 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种封装件包括第一封装组件和第二封装组件。第一封装组件包括位于第一封装组件的表面处的第一金属导线和第二金属导线。第二金属导线平行于第一金属导线。第二金属导线包括具有第一宽度的窄金属导线部分和具有大于第一宽度的第二宽度的宽金属导线部分，宽金属导线部分连接至窄金属导线部分。第二封装组件位于第一封装组件的上方。第二封装组件包括与第一金属导线的一部分重叠的金属凸块、以及将金属凸块接合至第一金属导线的导电连接件。导电连接件与第一金属导线的顶面和侧壁相接触。金属凸块邻近窄金属导线部分。本发明还公开了用于增大凸块与导线距离的导线上凸块设计。

公开(公告)号：CN104253111A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410293670.7

申请日：2014-06-26

申请人： 英特尔公司

发明人： D·马利克 ,  R·L·赞克曼 ,  S·沙兰

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/498 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L24/09 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/02 ,  H01L24/16 ,  H01L24/26 ,  H01L24/32 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种用于IC封装的硅空间转变器。描述了一种包括至少第一集成电路(IC)和晶片制造的空间转变器(ST)的装置。所述IC包括底表面上的具有第一焊盘间距的接合焊盘。所述ST包括具有所述第一焊盘间距的接合焊盘的顶表面，并且所述第一IC的接合焊盘中的至少一部分与所述顶表面的接合焊盘接合。所述ST包括具有第二焊盘间距的接合焊盘的底表面、所述顶表面与所述底表面之间的至少一个电介质绝缘层、以及所述电介质层中的导电性互连，其被配置为提供所述顶表面的接合焊盘与所述底表面的接合焊盘之间的电连续性。

公开(公告)号：CN104003347A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410059957.3

申请日：2014-02-21

申请人： 株式会社理光

发明人： 安藤友一 ,  佐藤幸人 ,  前胜知

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00301 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/047 ,  B81B2207/095 ,  B81C2203/031 ,  B81C2203/0707 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及半导体器件和制造器件的方法。一种器件包括：第一衬底，功能性元件和电极在其中形成；第二衬底，贯通电极在其中形成；接合材料，其接合所述第一衬底和所述第二衬底，并在所述功能性元件和所述第二衬底之间保留预定空间；和导电材料，其将所述电极电连接到所述贯通电极。在此，所述接合材料比所述导电材料更硬，并且在电学上，所述接合材料比所述导电材料导电性更弱。