公开(公告)号：CN104979317A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510176791.8

申请日：2015-04-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 富田和朗 ,  竹若博基

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L22/12 ,  H01L22/32 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/544 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/09 ,  H01L24/45 ,  H01L24/46 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4905 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，能够提高半导体器件的可靠性。实施方式中的特征点在于：在焊盘(PD)与引出布线部(DWU)的连接部位设置有倾斜部(SLP)。由此，能够抑制在通过表面保护膜(PAS)将焊盘(PD)的一部分覆盖的覆盖区域产生裂纹。

公开(公告)号：CN102629557A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201210027513.2

申请日：2012-02-02

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 野末胜 ,  大下博史 ,  增田博之 ,  竹若博基

IPC: H01L21/321

CPC classification number: H01L21/3212 ,  B24B37/042 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件制造方法。为了提供能够防止Cu布线的腐蚀并且借此提高半导体器件的产率的技术，一种半导体器件的制造方法包括以下步骤：通过使用抛光浆的CMP移除Cu膜在半导体衬底中的布线沟槽以外的部分；通过使用包含抗腐蚀剂的抛光浆的CMP来移除阻挡金属膜在布线沟槽以外的部分；通过使用纯净水的CMP来抛光Cu膜的表面和阻挡金属膜的表面；此后利用纯净水清洁半导体衬底而不向其应用抗腐蚀剂或者不利用化学液体来清洁该半导体衬底；以及此后利用化学液体清洁该半导体衬底而不向其应用抗腐蚀剂。

公开(公告)号：CN101924089A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010205285.4

申请日：2010-06-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 古泽健志 ,  鸭岛隆夫 ,  竹若博基

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L21/768 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。本发明用以抑制或者防止由向半导体器件的外部端子添加的外力而引起的在外部端子以下的绝缘膜中的裂缝的生成。形成于硅衬底的主表面上的布线层中的顶部布线层MH具有焊盘，该焊盘包括含铝的导体图案。在焊盘的下表面上布置有通过从下方层叠第一阻挡导体膜和第二阻挡导体膜来形成的阻挡导体膜。在比顶部布线层低一层的第五布线层之中，在与焊盘的探针接触区域在平面中交叠的区域中未布置导体图案。另外，第一和第二阻挡导体膜分别为以钛和氮化钛为主要成分的导体膜。第一阻挡导体膜也厚于第二阻挡导体膜。

公开(公告)号：CN204885144U

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201520223852.7

申请日：2015-04-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 富田和朗 ,  竹若博基

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L22/12 ,  H01L22/32 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/544 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/09 ,  H01L24/45 ,  H01L24/46 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4905 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本实用新型提供一种半导体器件及其制造方法，能够提高半导体器件的可靠性。实施方式中的特征点在于：在焊盘(PD)与引出布线部(DWU)的连接部位设置有倾斜部(SLP)。由此，能够抑制在通过表面保护膜(PAS)将焊盘(PD)的一部分覆盖的覆盖区域产生裂纹。