公开(公告)号：CN102629557A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201210027513.2

申请日：2012-02-02

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 野末胜 ,  大下博史 ,  增田博之 ,  竹若博基

IPC: H01L21/321

CPC classification number: H01L21/3212 ,  B24B37/042 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件制造方法。为了提供能够防止Cu布线的腐蚀并且借此提高半导体器件的产率的技术，一种半导体器件的制造方法包括以下步骤：通过使用抛光浆的CMP移除Cu膜在半导体衬底中的布线沟槽以外的部分；通过使用包含抗腐蚀剂的抛光浆的CMP来移除阻挡金属膜在布线沟槽以外的部分；通过使用纯净水的CMP来抛光Cu膜的表面和阻挡金属膜的表面；此后利用纯净水清洁半导体衬底而不向其应用抗腐蚀剂或者不利用化学液体来清洁该半导体衬底；以及此后利用化学液体清洁该半导体衬底而不向其应用抗腐蚀剂。