-
公开(公告)号：CN102157402B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201110070917.5
申请日：2011-03-23
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/56
CPC分类号： H01L24/82 , H01L2224/24 , H01L2224/24146 , H01L2224/24195 , H01L2224/24226 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/19105 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 一种系统级封装方法，包括：提供基板；在所述基板上形成至少两组封装组，形成所述封装组的步骤包括依次基板上形成的贴装层、封料层、布线层；在最上层封装组的布线层上形成顶部封料层，在基板下方植球。本发明系统级封装方法所形成的封装结构具有较高的集成性。
-
公开(公告)号：CN102893711A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180024358.2
申请日：2011-05-11
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H05K3/42 , C23C18/18 , G06K19/077 , H01L23/12 , H01L25/00 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H05K1/14 , H05K3/00
CPC分类号： H05K3/184 , C23C18/1608 , C23C18/1653 , C23C18/1893 , C25D7/0607 , H01L21/4832 , H01L21/6835 , H01L23/3121 , H01L23/49541 , H01L23/49582 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/82 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68359 , H01L2221/68377 , H01L2224/24051 , H01L2224/24137 , H01L2224/24145 , H01L2224/24146 , H01L2224/24225 , H01L2224/24226 , H01L2224/24998 , H01L2224/32145 , H01L2224/82001 , H01L2224/82039 , H01L2224/82101 , H01L2225/06524 , H01L2225/06527 , H01L2225/06551 , H01L2225/06568 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H05K1/185 , H05K3/10 , H05K3/284 , H05K3/4644 , H05K2201/10636 , H05K2201/10674 , H05K2203/0264 , H05K2203/072 , H05K2203/0723 , H05K2203/0769 , H05K2203/1407 , H05K2203/1469 , Y02P70/611 , H05K3/4661 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种配线方法，在露出多个连接端子(101a、102a)的半导体装置(1)的表面形成绝缘层(103)，在绝缘层(103)的表面形成树脂覆膜(104)，从树脂覆膜(104)的表面侧形成深度与树脂覆膜(104)的厚度相同或者超过厚度的沟(105)，使其通过连接对象的连接端子附近，并且从该附近通过部分形成到达连接对象的连接端子的连通孔(106、107)，在沟(105)以及连通孔(106、107)的表面使镀敷催化剂或镀敷催化剂前躯体沉积，通过使树脂覆膜(104)溶解或溶胀以除去树脂覆膜(104)，通过进行化学镀，仅在镀敷催化剂或者由镀敷催化剂前躯体形成的镀敷催化剂残留的部分形成镀膜，由此设置具有主体部和分支部的配线(108)，主体部位于绝缘层(103)表面，分支部从主体部分支并延伸至绝缘层(103)内部并且到达连接对象的连接端子(101a、102a)。
-
公开(公告)号：CN102282661A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201080004594.3
申请日：2010-01-26
申请人： 松下电工株式会社
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/52 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H05K1/11 , G11B5/486 , H01L21/565 , H01L22/12 , H01L23/3121 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/24011 , H01L2224/2405 , H01L2224/24051 , H01L2224/24137 , H01L2224/24146 , H01L2224/24226 , H01L2224/245 , H01L2224/25175 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73267 , H01L2224/82009 , H01L2224/82039 , H01L2224/82101 , H01L2224/82931 , H01L2224/82947 , H01L2224/8385 , H01L2224/85 , H01L2224/92244 , H01L2225/06524 , H01L2225/06551 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H05K1/111 , H05K1/117 , H05K1/181 , H05K3/184 , H05K2201/0376 , H05K2201/09472 , Y02P70/611 , Y10T428/1171 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本发明是一种半导体芯片的安装方法，包括：在连接半导体芯片(2)表面的接合垫(2a)与形成在绝缘基材(1)的表面的电极垫(1a)的路径的表面形成树脂覆膜(3)的工序；沿着用于连接接合垫(2a)与电极垫(1a)的路径，通过激光加工而形成深度等于或大于树脂覆膜(3)的厚度的布线槽(4)的工序；使电镀催化剂(5)沉积于布线槽(4)的表面的工序；去除树脂覆膜(3)的工序；以及仅在残留电镀催化剂(5)的部位形成非电解镀膜(6)的工序。本发明又是一种立体结构物，其在表面设有布线，其特征在于：在立体结构物的表面，形成跨及立体结构物的彼此交叉的相邻面间而延伸的布线用凹槽，将布线用导体的至少一部分埋入所述布线用凹槽中。
-
公开(公告)号：CN102246298A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980149285.2
申请日：2009-12-09
申请人： 垂直电路公司
CPC分类号： H01L24/76 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0554 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/24051 , H01L2224/24145 , H01L2224/24146 , H01L2224/24226 , H01L2224/24998 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/76155 , H01L2224/82007 , H01L2224/82102 , H01L2225/06551 , H01L2225/06562 , H01L2225/06575 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要： 通过以喷雾形式施加电传导材料(例如通过喷雾喷射印刷)在半导体裸片上形成互连端子。同时，通过以喷雾形式施加电传导材料形成堆叠裸片之间或者裸片和下层支撑(例如封装基底)中的电路之间的电互连，所述电互连与所述裸片或者所述裸片和所述基底上的焊盘接触，并经过相应焊盘之间。在一些实施方式中，在由裸片的互连侧壁和下层特征(下层裸片或者支撑)上的焊盘内侧的表面形成的内拐角处形成圆角；并且电传导材料经过圆角的表面之上。
-
公开(公告)号：CN102157402A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110070917.5
申请日：2011-03-23
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/56
CPC分类号： H01L24/82 , H01L2224/24 , H01L2224/24146 , H01L2224/24195 , H01L2224/24226 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/19105 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 一种系统级封装方法，包括：提供基板；在所述基板上形成至少两组封装组，形成所述封装组的步骤包括依次基板上形成的贴装层、封料层、布线层；在最上层封装组的布线层上形成顶部封料层，在基板下方植球。本发明系统级封装方法所形成的封装结构具有较高的集成性。
-
公开(公告)号：CN1214462C
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN01806547.3
申请日：2001-03-15
申请人： 薄膜电子有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/25 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/0657 , H01L2224/24051 , H01L2224/24145 , H01L2224/24146 , H01L2224/24225 , H01L2224/24226 , H01L2224/25175 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2225/06524 , H01L2225/06527 , H01L2225/06551 , H01L2225/06555 , H01L2225/06562 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01055 , H01L2924/01057 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/30105 , H01L2924/00
摘要： 在具有至少两个叠置层的存储器和/或数据处理器件中，该叠置层由衬底支撑或形成夹层的自支撑结构，其中所述层包括具有层间的相互连接和/或相互连接到衬底中的电路的存储器和/或处理电路，各层相互关联设置，使邻接层在器件的至少一个边缘形成交错结构，并提供至少一个边缘电导体越过一层的边缘并一次下一个台阶，能连接到叠层中随后的任何层中的电导体。一种制造这种器件的方法包括以下步骤：连续地添加所述各层，一次一层使各层形成交错结构，提供的一层或多层具有至少一个电接触焊盘，该电接触焊盘用于连接到一个或多个层间边缘连接体。
-
公开(公告)号：CN103077933B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201210417425.3
申请日：2012-10-26
申请人： 马克西姆综合产品公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/561 , H01L23/3121 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/73 , H01L25/50 , H01L2224/02371 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/24146 , H01L2224/24226 , H01L2224/25171 , H01L2224/32145 , H01L2224/73209 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/94 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06548 , H01L2225/06558 , H01L2225/06586 , H01L2225/06589 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2224/11 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/014
摘要： 公开了一种三维的芯片到晶圆级集成，集成电路器件包括半导体基底和附接到该半导体基底的晶粒。导电柱被连接到半导体基底或晶粒中的至少一个。二次塑模被模制到半导体基底上位于晶粒上方，并且导电柱延伸通过二次塑模。
-
公开(公告)号：CN103119711B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201180045470.4
申请日：2011-09-26
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/12 , H01L23/485
CPC分类号： H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/82 , H01L24/93 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/20 , H01L2224/21 , H01L2224/2101 , H01L2224/211 , H01L2224/22 , H01L2224/2201 , H01L2224/221 , H01L2224/24011 , H01L2224/24146 , H01L2224/251 , H01L2224/25105 , H01L2224/2518 , H01L2224/73267 , H01L2224/82005 , H01L2224/821 , H01L2224/82101 , H01L2224/82106 , H01L2224/93 , H01L2225/06524 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2224/82 , H01L2221/68304 , H01L2924/00
摘要： 描述了形成微电子封装结构的方法和由此形成的相关结构。那些方法可包括形成嵌入在无芯衬底中的管芯，其中模制复合物围住管芯并且管芯包括：在管芯第一侧上的TSV连接和在管芯第二侧上的C4焊盘，在模制复合物的第一侧和第二侧上的介电材料，以及耦合至C4焊盘和TSV焊盘的互连结构。各实施例进一步包括形成封装结构，其中多个管芯被完全地嵌入到BBUL封装件内而没有PoP焊点。
-
公开(公告)号：CN103107167B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201310052247.3
申请日：2008-10-08
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/31
CPC分类号： H01L21/565 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24146 , H01L2224/32145 , H01L2224/73267 , H01L2224/83101 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/06524 , H01L2225/06548 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2225/06586 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H05K1/185 , H05K2201/09118 , H05K2201/10515 , H05K2201/10674 , H05K2203/016 , H05K2203/1316 , H05K2203/1469 , H01L2224/82 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及了半导体芯片封装、半导体芯片组件和制造器件的方法。公开了制造器件的方法，半导体芯片封装和半导体芯片组件。一个实施例包括施加至少一个半导体芯片到第一成形元件上。施加至少一个元件到第二成形元件上。施加材料到该至少一个半导体芯片和该至少一个元件上。
-
公开(公告)号：CN105374776A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510161903.2
申请日：2015-04-07
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L25/50 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L33/0079 , H01L2224/04026 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/24146 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29155 , H01L2224/32145 , H01L2224/32503 , H01L2224/33181 , H01L2224/48225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73217 , H01L2224/73227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73259 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/82101 , H01L2224/83005 , H01L2224/83193 , H01L2224/83204 , H01L2224/8381 , H01L2224/83825 , H01L2224/83948 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/92144 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2225/06517 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1033 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2933/0066 , H01L2224/83 , H01L2924/014 , H01L21/78 , H01L2224/81 , H01L2224/45099
摘要： 本公开提供了半导体芯片、半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括基底基板和在基底基板上的半导体芯片，半导体芯片包括第一层结构和与第一层结构相反的第二层结构以及在第一层结构与第二层结构之间的接合结构，第一层结构和第二层结构的至少一个包括半导体器件部分，接合结构包括银-锡(Ag-Sn)化合物和镍-锡(Ni-Sn)化合物。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
76 条记录 (耗时 0.018 秒)
