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公开(公告)号：CN113795908A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202080033975.8
申请日：2020-02-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/02
Abstract: 提供了用于处理基板的实施例，并且实施例包括修整光刻胶的方法，以提供具有平滑侧壁表面的光刻胶轮廓并且调整图案化特征和/或后续沉积的介电层的临界尺寸。所述方法能够包括：在基板上沉积牺牲结构层，在牺牲结构层上沉积光刻胶，以及图案化光刻胶以在牺牲结构层上产生粗略光刻胶轮廓。所述方法还包括：用等离子体修整光刻胶以产生覆盖牺牲结构层的第一部分的精修的光刻胶轮廓，同时暴露牺牲结构层的第二部分；蚀刻牺牲结构层的第二部分以形成设置在基板上的图案化特征；以及在图案化特征上沉积介电层。
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公开(公告)号：CN113614880A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080021414.6
申请日：2020-03-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/308 , H01L21/02 , H01J37/32
Abstract: 本公开内容提供了利用具有良好轮廓控制和特征转移完整性的多重图案化处理来形成纳米结构。在一个实施方式中，一种用于在基板上形成特征的方法包括：在基板上形成心轴层；在心轴层上共形地形成间隔层，其中间隔层是掺杂的硅材料；和图案化间隔层。在另一实施方式中，一种用于在基板上形成特征的方法包括：在基板上的心轴层上共形地形成间隔层，其中间隔层是掺杂的硅材料；使用第一气体混合物选择性地移除间隔层的一部分；和使用不同于第一气体混合物的第二气体混合物选择性地移除心轴层。
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公开(公告)号：CN112514051A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980049850.1
申请日：2019-07-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L27/11556 , H01L27/11524
Abstract: 描述了蚀刻膜堆叠以形成具有均匀宽度的间隙的方法。通过硬掩模蚀刻膜堆叠。在间隙中沉积保形的衬垫。衬垫的底部被移除。相对于衬垫选择性地蚀刻膜堆叠。移除衬垫。方法可被重复到预定深度。
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公开(公告)号：CN112005342A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201980027478.4
申请日：2019-03-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , C23C16/455
Abstract: 提供一种用于沉积非晶硅材料的方法，并且所述方法包括：在与工艺腔室流体连通的等离子体单元内产生等离子体；和使所述等离子体流动穿过离子抑制器以产生含有反应性物种和中性物种的活化流体。所述活化流体不含离子或者含有比所述等离子体更低浓度的离子。所述方法进一步包括：使所述活化流体流入所述工艺腔室内的双通道喷头的第一入口；和使硅前驱物流入所述双通道喷头的第二入口。此后，所述方法包括：使所述活化流体和所述硅前驱物的混合物从所述双通道喷头流出；和在所述工艺腔室中设置的基板上形成非晶硅层。
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公开(公告)号：CN110892505A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201880046268.5
申请日：2018-05-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/324 , H01L21/768
Abstract: 提供了用于无接缝和空隙的间隙填充方法，诸如用非晶硅对高纵横比的沟槽进行间隙填充。一种方法通常包括：在其上具有一个或多个特征的半导体器件上沉积非晶硅；将所述沉积的非晶硅退火以使所述一个或多个特征之间的所述沉积的非晶硅中的一个或多个接缝修复；以及蚀刻所述经退火的非晶硅以去除所述一个或多个特征之间的所述经退火的非晶硅中的一个或多个空隙。通常，将沉积、退火和蚀刻工艺重复任何合适的次数以实现非晶硅间隙填充，而在一个或多个特征之间没有任何接缝或空隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109643639A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780052875.8
申请日：2017-09-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本文描述的实施方式总体涉及集成电路的制造，具体地涉及在半导体基板上沉积硼掺杂的非晶硅层。在一个实施方式中，提供一种在基板上形成硼掺杂的非晶硅层的方法。所述方法包括在基板上沉积预定厚度的牺牲电介质层；通过去除所述牺牲电介质层的部分以暴露所述基板的上表面而在所述基板上形成图案化特征；在所述图案化特征和所述基板的暴露上表面上保形地沉积预定厚度的硼掺杂的非晶硅层；以及使用各向异性蚀刻工艺从所述图案化特征的上表面和所述基板的所述上表面选择性地去除所述硼掺杂的非晶硅层，以提供填充在由所述硼掺杂的非晶硅层形成的侧壁间隔件内的所述图案化特征。
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公开(公告)号：CN108028179A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680054333.X
申请日：2016-09-17
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C16/32 , C23C16/342 , C23C16/36 , H01L21/04
Abstract: 用于通过将基板表面暴露于硼烷前驱物而在基板表面上形成碳化硼膜的方法。碳化硼膜任选地包含氮和/或氢。碳化硼膜可沉积在大体上不包含硼的表面上。硼烷前驱物可以包括具有通式NHR2BH3的化合物，其中每个R独立地从由以下组成的群组中选出：氢、C1‑C10烷基、C1‑C10烯基和芳基。
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公开(公告)号：CN112335032B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN201980023731.9
申请日：2019-03-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/311
Abstract: 本公开的实施例涉及用于填充沟槽的工艺。所述工艺包括在层的表面上沉积第一非晶硅层，并在所述层中形成的沟槽的一部分中沉积第二非晶硅层，并且所述沟槽的侧壁的部分是暴露的。去除所述第一非晶硅层。所述工艺进一步包括在所述层的所述表面上沉积第三非晶硅层，并在所述第二非晶硅层上沉积第四非晶硅层。去除所述第三非晶硅层。可重复沉积/去除循环工艺，直到所述沟槽被非晶硅层填充为止。由于所述非晶硅层是自下而上形成的，因此所述非晶硅层在所述沟槽中形成无缝非晶硅间隙填充。
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公开(公告)号：CN111463146B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN201911327919.0
申请日：2019-12-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： V·S·C·帕里米 , Z·黄 , J·李 , S·拉达克里什南 , 程睿 , D·N·凯德拉亚 , J·C·罗查 , U·M·科尔卡 , K·杰纳基拉曼 , S·M·博贝克 , P·K·库尔施拉希萨 , V·K·普拉巴卡尔 , B·S·权
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本公开内容的实施方式总体上涉及一种基座，所述基座用于增加支撑在其上的基板中的温度均匀性。所述基座包括主体，所述主体中嵌入有加热器。所述主体包括图案化的表面，所述图案化的表面包括第一区域和围绕所述中心区域的第二区域，所述第一区域具有在第一高度从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱，所述第二区域具有在大于第一高度的第二高度从基底表面延伸的第二多个柱，其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面基本上共面并且限定基板接收表面。
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公开(公告)号：CN112005380B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201980024279.8
申请日：2019-04-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/66 , H01L29/78 , H01L29/732 , H01L21/324 , H01L21/285
Abstract: 论述了保形地掺杂三维结构的方法。一些实施例利用沉积在结构上的保形硅膜。在沉积后对硅膜进行掺杂以包含卤素原子。随后对结构进行退火以用来自掺杂的硅膜的卤素原子掺杂该结构。
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