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11.

发明公开
半导体芯片及其制造方法有权

公开(公告)号：CN102315182A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201010621954.6

申请日：2010-12-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄见翎 , 黄英叡 , 林正怡 , 雷弋易 , 林正忠 , 刘重希

IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L23/00

CPC分类号： H01L24/13 , H01L21/563 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/03464 , H01L2224/0361 , H01L2224/03831 , H01L2224/03912 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/1132 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11622 , H01L2224/11831 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/13007 , H01L2224/13017 , H01L2224/13022 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/3512 , H01L2224/05552 , H01L2924/00 , H01L2224/1146

摘要： 本发明实施例公开了一种半导体芯片及其制造方法，其中半导体芯片包含一导电凸块位于一半导体芯片上。提供一基材，其上具有一连接焊盘，该连接焊盘上具有一凸块下金属层。铜柱具有一顶面及凹型侧壁，该顶面具有一第一宽度。一镍层，具有一顶面及一底面，位于该铜柱的顶面上。该镍层的底面具有一第二宽度。第二宽度对第一宽度的比例为约0.93至1.07。一焊料位于该盖层的该顶面上。本发明可减少导电柱与焊料之间的界面因应力而产生的破裂。

12.

发明公开
半导体装置及其制造方法无效复审申请

公开(公告)号：CN102254871A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201010546183.9

申请日：2010-11-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 沈文维 , 施应庆 , 陈承先 , 陈明发

IPC分类号： H01L23/00 , H01L21/60 , H01L23/488 , H01L21/48

CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/486 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5384 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/09 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0381 , H01L2224/03831 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/11472 , H01L2224/1162 , H01L2224/11622 , H01L2224/1181 , H01L2224/11849 , H01L2224/11903 , H01L2224/13016 , H01L2224/13025 , H01L2224/13084 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13155 , H01L2224/13169 , H01L2224/1354 , H01L2224/1403 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2224/05552 , H01L2924/00

摘要： 本发明包括一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一第一基材，具有一第一内连线结构；以及一第二基材，具有一第二内连线结构，该第一内连线结构连接该第二内连线结构，该第一内连线结构的第一宽度与该第二内连线结构的第二宽度不同。本发明提供一种用于使一基材与另一基材接合的凸块结构。一导电柱体形成于第一基材上，以使此导电柱体具有与一第二基材的接触表面不同的宽度。在一实施例中，第一基材的导电柱体为梯形或具有锥形侧壁，因而提供底部部分较顶部部分宽的导电柱体。所述基材均可为集成电路芯片、转接板、印刷电路板、高密度内连线或其类似物。本发明可减低关于交界处应力所产生的脱层问题。

13.

发明公开
半导体裸片及形成导电元件的方法有权复审申请

公开(公告)号：CN102222647A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201010534192.6

申请日：2010-11-02

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄见翎 , 吴逸文 , 刘重希

IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/488 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/03464 , H01L2224/03831 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05558 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13147 , H01L2924/0002 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2224/05552 , H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种半导体裸片，包括一基底；一接合垫，形成于基底上方，接合垫具有一第一宽度；一聚酰亚胺层，形成于基底和接合垫上方，聚酰亚胺层于接合垫上方具有一第一开口，第一开口有一第二宽度；一硅基保护层，位于聚酰亚胺层上，硅基保护层于接合垫上方具有一第二开口，第二开口有一第三宽度，其中第一开口和第二开口形成一具有侧壁的组合开口，暴露部分接合垫；一凸块下金属化层，位于组合开口的侧壁上方，且接触接合垫的暴露部分；及一导电元件，位于凸块下金属化层上。本发明各实施例可用来改进传统焊锡凸块工艺的缺点；在各实施例中，硅基保护层保护聚酰亚胺层，防止其受到后续等离子体清洁工艺的损伤；聚酰亚胺层中开口的宽度与硅基保护层中开口的宽度相对于接合垫的宽度的比例的适当范围可改进构件的良率。

14.

发明授权
半导体结构有权

公开(公告)号：CN104617056B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201410825904.8

申请日：2010-11-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 卢祯发 , 刘重希 , 余振华 , 陈威宇 , 陈正庭

IPC分类号： H01L23/29 , H01L21/48

CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/293 , H01L23/3171 , H01L23/498 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0362 , H01L2224/03831 , H01L2224/03901 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/1147 , H01L2224/11622 , H01L2224/1181 , H01L2224/1183 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/93 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H05K3/28 , H05K3/3478 , H05K3/4007 , H01L2224/11 , H01L2224/05552 , H01L2924/00 , H01L2924/1082

摘要： 本发明提供一种半导体结构，该半导体结构包括：一基材，具有一接触垫形成于其上；以及一聚合物层位于该基材上，该聚合物层被圖案化以暴露至少一部分的该接触垫，该聚合物层的钛表面污染物小于约1％、氟表面污染物小于约1％、锡表面污染物小于约1.5％、及铅表面污染物小于约0.4％。本发明可避免及/或减少来自例如胶带工艺的污染物。

15.

发明公开
半导体装置结构无效

公开(公告)号：CN107342272A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710242963.6

申请日：2017-04-14

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡佩君 , 张纬森 , 郭庭豪 , 蔡豪益

IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/488

CPC分类号： H01L22/32 , G01R1/073 , G01R31/00 , G01R31/02 , G01R31/28 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5385 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/02373 , H01L2224/02377 , H01L2224/03831 , H01L2224/03845 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05008 , H01L2224/05024 , H01L2224/05569 , H01L2224/12105 , H01L2224/13026 , H01L2224/19 , H01L2224/20 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/96 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L23/488 , H01L23/48

摘要： 提供半导体装置结构及其制造方法，半导体装置结构包含基底及导电焊垫形成于基底之上。半导体装置结构包含保护层形成于导电焊垫之上，且保护层具有沟槽。半导体装置结构包含导电结构形成于沟槽内且形成于保护层上。导电结构电性连接于导电焊垫，且导电结构具有内凹顶面，内凹顶面的最低点高于保护层的顶面。

16.

发明授权
一种在CPI测试中防止衬垫剥离的方法以及产生的器件有权

公开(公告)号：CN104241148B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201310244627.7

申请日：2013-06-19

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 王新鹏 , 张城龙 , 黄瑞轩

IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/66

CPC分类号： H01L21/7685 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/03831 , H01L2224/05012 , H01L2224/05014 , H01L2224/05016 , H01L2224/05018 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2924/00014 , H01L2924/35121 , H01L2224/05552

摘要： 本发明涉及一种用于防止CPI测试中的衬垫剥离的方法以及使用该方法形成的半导体器件，所述方法包括：在金属层表面沉积第一铝衬垫层，在第一铝衬垫层上沉积粘着层，在粘着层上图案化形成图案，以在第一铝衬垫层上形成露出部分，在第一铝衬垫层的露出部分和图案化的粘着层上对第二铝衬垫层进行沉积，以形成需要的铝衬垫膜。

17.

发明公开
半导体结构及其制造方法无效

公开(公告)号：CN105097763A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510239719.5

申请日：2015-05-12

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 潘俊鹏 , 张义民 , 林佳升

IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48

CPC分类号： H01L24/03 , H01L21/0273 , H01L21/0334 , H01L21/268 , H01L21/302 , H01L21/48 , H01L21/481 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L2224/0231 , H01L2224/02371 , H01L2224/02372 , H01L2224/03831 , H01L2224/05017 , H01L2224/05024 , H01L2224/05025 , H01L2224/05557 , H01L2224/0557 , H01L2924/00014

摘要： 一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构的制造方法包含下列步骤：形成第一绝缘层于晶圆基板的第一表面；形成导电垫于第一绝缘层上；形成贯穿于晶圆基板的第一表面与第二表面的镂空区，使得第一绝缘层从镂空区裸露；以及激光蚀刻裸露于镂空区的第一绝缘层，使得第一绝缘层形成第一开口，且导电垫形成从第一开口裸露的凹部。本发明可提升半导体结构的良率，且可使导电垫的厚度得以减薄，节省成本。