公开(公告)号：CN105308754A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201480032559.0

申请日：2014-11-10

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 八尾典明 ,  阿部和

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/76 ,  H01L27/0248 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置包括：设置于绝缘膜(7)上的、由第一导电型的薄膜半导体层(14)构成的阴极区域(14A)；在绝缘膜上以与阴极区域构成pn结的方式设置的、由第二导电型的薄膜半导体层(15)构成的阳极区域(15A)；覆盖阴极区域(14A)和阳极区域(15A)的层间绝缘膜(16)；设置于层间绝缘膜上、经由贯穿层间绝缘膜的第一接触孔(18)与阴极区域连接的阴极电极(21)；和设置于层间绝缘膜上、经由贯穿层间绝缘膜的第二接触孔(19)与阳极区域连接的阳极电极(22)，从靠近pn结的界面(23)一侧的第一接触孔的端部至界面的电流路径的长度和从靠近界面一侧的第二接触孔的端部至界面的电流路径的长度中的、阴极区域和上述阳极区域中方块电阻较大的区域的电流路径的长度较短。

公开(公告)号：CN105308721A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201480020258.6

申请日：2014-07-02

Applicant: 宜普电源转换公司

Inventor： 周春华 ,  曹建军 ,  亚力山大·利道 ,  R·比奇 ,  阿兰娜·纳卡塔 ,  罗伯特·斯特里马特 ,  赵广元 ,  塞沙德里·科卢里 ,  马艳萍 ,  刘芳昌 ,  蒋明坤 ,  曹佳丽

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/088 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786

Abstract: 形成具有绝源区域的增强型氮化镓异质结场效应晶体管，自对准接触开口或金属掩膜窗口。有利地，所述方法不需要专用隔离掩膜以及相关的处理步骤，因此减少制造成本。所述方法包括提供EPI结构包括基底、缓冲层、氮化镓层以及阻挡层。介质层形成在所述阻挡层之上，开口形成于所述介质层作为器件接触开口和隔离接触开口。

公开(公告)号：CN105097491A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410180862.7

申请日：2014-04-30

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 华强 ,  周耀辉

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31056 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明提供了一种基于氮氧化硅抗反射层的化学机械平坦化工艺，包括：提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆包括衬底、形成于衬底上的氧化层、形成于所述氧化层上的氮化硅层、形成于所述氮化硅层上的抗反射层、贯穿所述抗反射层并延伸入所述衬底中的沟槽、以及填充于所述沟槽内并覆盖于所述抗反射层上的第一二氧化硅层；研磨所述第一二氧化硅层直至所述抗反射层；干法刻蚀去除所述抗反射层；在去除所述抗反射层的半导体晶圆表面形成第二二氧化硅层；研磨所述第二二氧化硅层直至所述氮化硅层；去除所述氮化硅层。本发明工艺简单，采用氮氧化硅作为抗反射层，CD管控相对简单。

公开(公告)号：CN104051267A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310381600.2

申请日：2013-08-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马丁·克里斯多夫·霍兰德 ,  乔治斯·威廉提斯

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/02043 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/311 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7781 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1033

Abstract: 本发明提供了一种形成半导体材料的方法，包括在包含氢气（H2）和氯化氢（HCl）以作为工艺气体的环境中对硅区域进行退火。在退火步骤之后，从硅区域的表面处生长半导体区域。

公开(公告)号：CN103794649A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310527101.X

申请日：2013-10-31

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： A.迈泽尔 ,  M.佩尔茨尔 ,  T.施勒泽

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/283 ,  H01L21/76 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件被至少部分地形成在半导体衬底中，该衬底包括第一和第二相对主表面。该半导体器件包括单元场部分和接触区域，该接触区域被电耦合到该单元场部分，该单元场部分包括至少晶体管。该接触区域包括：与其它衬底部分绝缘且包括半导体衬底的一部分的连接衬底部分；与第二主表面邻近且与连接衬底部分接触的电极；和在第一主表面上设置的金属层，连接衬底部分被电耦合到金属层以在电极和金属层之间形成欧姆接触。连接衬底部分未通过在第一和第二主表面之间设置的导电材料而被电耦合到单元场部分的部件。

公开(公告)号：CN102237408A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201010534175.2

申请日：2010-11-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗霖 ,  张志豪 ,  柯志欣 ,  袁锋 ,  许俊豪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0856 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明提供在基底上的场效应晶体管与半导体元件的制造方法，场效应晶体管其结构包含栅极堆叠、隔绝结构以及在基底的上表面下方的源极/漏极凹陷空穴，凹陷空穴介于栅极堆叠与隔绝结构之间。凹陷空穴具有较低部分与较高部分，较低部分具有第一应变层与第一介电膜，第一应变层介于隔绝结构与第一介电膜之间，第一介电膜的厚度小于第一应变层的厚度，较高部分具有第二应变层，位于第一应变层与第一介电膜之上。本发明可形成降低缺陷的应变结构，以提升载子的移动率，并且提高元件效能。

公开(公告)号：CN105679755B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201410655989.X

申请日：2014-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宛彦 ,  林文杰 ,  苏郁迪 ,  陈柏廷 ,  曾仁洲 ,  陈国基 ,  张胜杰 ,  梁铭彰

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/761

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/76 ,  H01L21/761 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了电路器件。电路器件包括核心电路。该电路器件还包括具有第一掺杂剂类型的第一组保护环，第一组保护环围绕在核心电路的外围，第一组保护环包括第一保护环和第二保护环。该电路器件还包括具有第二掺杂剂类型的第二组保护环，第二掺杂剂类型与第一掺杂剂类型相反，其中，第二组保护环的至少一个保护环围绕在第一组保护环的至少一个保护环的外围，并且第二组保护环包括第三保护环和第四保护环。

公开(公告)号：CN108231676A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711305827.3

申请日：2017-12-11

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 田渕智隆 ,  曾砚琳

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  B24B27/06 ,  B28D5/0011 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76 ,  H01L21/78 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2221/68327

Abstract: 提供晶片的加工方法，能够在晶片正面的器件区域被保护膜覆盖的状态下进行等离子照射，并能够抑制器件的损伤。一种晶片的加工方法，包含如下的工序：保护膜形成工序，形成将晶片(W)的正面整体包覆的保护膜(70)；激光照射工序，沿着间隔道(ST)照射激光(LB)而将功能层(72)去除，并使基板(71)露出；保护膜检测工序，对激光照射后的晶片上的多个器件(DV)区域中的保护膜的包覆状态进行检测；保护膜再形成工序，当在器件区域中存在未包覆保护膜的部分的情况下，再次形成保护膜以便将各器件区域覆盖；等离子照射工序，对晶片进行等离子照射；以及分割工序，通过沿着间隔道的切削对晶片进行分割。

公开(公告)号：CN108231658A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711336976.6

申请日：2017-12-14

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 森数洋司 ,  卡尔·海因茨·普利瓦西尔 ,  服部奈绪

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/02

CPC classification number: B23K26/043 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0093 ,  B23K26/032 ,  B23K26/042 ,  B23K26/046 ,  B23K26/0613 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/53 ,  B23K26/55 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/52 ,  B23K2103/54 ,  H01L21/02 ,  H01L21/268 ,  H01L21/76 ,  H01L21/78 ,  H01L31/20 ,  H01L31/202 ,  H01L33/00 ,  H01L33/007

Abstract: 基板处理方法。本发明涉及一种处理基板(2)的方法，基板具有上面形成至少一条分割线(22)的第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)。方法包括从第一表面(2a)一侧向基板(2)施加脉冲激光束(LB)。基板(2)由对脉冲激光束(LB)透明的材料制成。在脉冲激光束(LB)的焦点(P)位于在从第一表面(2a)朝向第二表面(2b)的方向上离第一表面(2a)一距离处的情况下，脉冲激光束(LB)至少在沿着至少一条分割线(22)的多个位置处被施加到基板，以在基板(2)内形成多个改性区域(23)。该方法进一步包括沿着存在完全布置在基板(2)的本体内的改性区域(23)的至少一条分割线(22)去除基板材料。

公开(公告)号：CN104465767B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201410469693.9

申请日：2014-09-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·梅瑟 ,  T·施勒塞尔 ,  T·迈尔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66704 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/76 ,  H01L21/761 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/088 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件、集成电路及半导体器件的制造方法。半导体器件包括在具有第一主表面的半导体衬底中的晶体管。该晶体管包括源区、漏区、沟道区、漂移区以及邻近沟道区的至少两个侧的栅电极。沟道区和漂移区沿平行于第一主表面的第一方向被布置在源区和漏区之间。半导体器件进一步包括在栅电极之下并且与栅电极绝缘的导电层。