公开(公告)号：CN105308721B

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201480020258.6

申请日：2014-07-02

Applicant: 宜普电源转换公司

Inventor： 周春华 ,  曹建军 ,  亚力山大·利道 ,  R·比奇 ,  阿兰娜·纳卡塔 ,  罗伯特·斯特里马特 ,  赵广元 ,  塞沙德里·科卢里 ,  马艳萍 ,  刘芳昌 ,  蒋明坤 ,  曹佳丽

IPC: H01L21/28

Abstract: 形成具有绝源区域的增强型氮化镓异质结场效应晶体管，自对准接触开口或金属掩膜窗口。有利地，所述方法不需要专用隔离掩膜以及相关的处理步骤，因此减少制造成本。所述方法包括提供EPI结构包括基底、缓冲层、氮化镓层以及阻挡层。介质层形成在所述阻挡层之上，开口形成于所述介质层作为器件接触开口和隔离接触开口。

公开(公告)号：CN105359275A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201480020252.9

申请日：2014-07-02

Applicant: 宜普电源转换公司

Inventor： 周春华 ,  曹建军 ,  亚力山大·利道 ,  R·比奇 ,  阿兰娜·纳卡塔 ,  罗伯特·斯特里马特 ,  赵广元 ,  塞沙德里·科卢里 ,  马艳萍 ,  刘芳昌 ,  蒋明坤 ,  曹佳丽

IPC: H01L29/15

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/76 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

Abstract: 一种集成半导体器件包括基板层、配置在基板层上的缓冲层、配置在缓冲层上的氮化镓层和配置在氮化镓层上的阻挡层。另外，用于多个晶体管器件的多个欧姆接触是形成在阻挡层上。具体地，用于第一晶体管器件的多个第一欧姆接触是形成在阻挡层的表面的第一部分上，而用于第二晶体管器件的多个第二欧姆接触是形成在阻挡层的表面的第二部分上。

公开(公告)号：CN105359275B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201480020252.9

申请日：2014-07-02

Applicant: 宜普电源转换公司

Inventor： 周春华 ,  曹建军 ,  亚力山大·利道 ,  R·比奇 ,  阿兰娜·纳卡塔 ,  罗伯特·斯特里马特 ,  赵广元 ,  塞沙德里·科卢里 ,  马艳萍 ,  刘芳昌 ,  蒋明坤 ,  曹佳丽

IPC: H01L29/15

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/76 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

Abstract: 一种集成半导体器件包括基板层、配置在基板层上的缓冲层、配置在缓冲层上的氮化镓层和配置在氮化镓层上的阻挡层。另外，用于多个晶体管器件的多个欧姆接触是形成在阻挡层上。具体地，用于第一晶体管器件的多个第一欧姆接触是形成在阻挡层的表面的第一部分上，而用于第二晶体管器件的多个第二欧姆接触是形成在阻挡层的表面的第二部分上。

公开(公告)号：CN105308721A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201480020258.6

申请日：2014-07-02

Applicant: 宜普电源转换公司

Inventor： 周春华 ,  曹建军 ,  亚力山大·利道 ,  R·比奇 ,  阿兰娜·纳卡塔 ,  罗伯特·斯特里马特 ,  赵广元 ,  塞沙德里·科卢里 ,  马艳萍 ,  刘芳昌 ,  蒋明坤 ,  曹佳丽

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/088 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786

Abstract: 形成具有绝源区域的增强型氮化镓异质结场效应晶体管，自对准接触开口或金属掩膜窗口。有利地，所述方法不需要专用隔离掩膜以及相关的处理步骤，因此减少制造成本。所述方法包括提供EPI结构包括基底、缓冲层、氮化镓层以及阻挡层。介质层形成在所述阻挡层之上，开口形成于所述介质层作为器件接触开口和隔离接触开口。