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公开(公告)号：CN105409007B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201480042237.4
申请日：2014-07-29
Applicant: 宜普电源转换公司
Inventor： 斯蒂芬·L·克林诺 , 曹建军 , 罗伯特·比奇 , 亚历山大·利道 , 阿兰娜·纳卡塔 , 赵广元 , 马艳萍 , 罗伯特·斯特里特马特 , 迈克尔·A·德·罗吉 , 周春华 , 塞沙德里·科卢里 , 刘芳昌 , 蒋明坤 , 曹佳丽 , 阿古斯·裘哈尔
IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L21/336
Abstract: 一种具有降低的输出电容的氮化镓晶体管及其制造方法。该氮化镓晶体管器件包括衬底层、配置在衬底层上的一个或多个缓冲层、配置在缓冲层上的阻挡层、及形成于阻挡层与缓冲层间的界面的二维电子气(2DEG)。此外，栅极电极配置在阻挡层上且介电层配置在栅极电极及阻挡层上。该氮化镓晶体管包括一个或多个隔离区，其形成在至少一个缓冲层与阻挡层之间的界面的一部分中，以移除2DEG，从而降低氮化镓器件的输出电容Coss。
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公开(公告)号：CN105684134B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201480042752.2
申请日：2014-07-29
Applicant: 宜普电源转换公司
Inventor： 曹建军 , 罗伯特·比奇 , 亚历山大·利道 , 阿兰娜·纳卡塔 , 赵广元 , 马艳萍 , 罗伯特·斯特里特马特 , 迈克尔·A·德·罗吉 , 周春华 , 塞沙德里·科卢里 , 刘芳昌 , 蒋明坤 , 曹佳丽 , 阿古斯·裘哈尔
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明系有关具有用以产生用于集成电路的附加构件的多晶硅层的GaN晶体管以及其制造方法。GaN装置包括EPI结构及设置在EPI结构上方的绝缘材料。并且，一个或多个多晶硅层设置在该绝缘材料中，而所述多晶硅层具有一个或多个n型区域及p型区域。此装置还包括设置在该绝缘材料上的金属互连体，及设置在该绝缘材料中的通孔，其将源极与漏极金属连接至该多晶硅层的n型及p型区域。
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公开(公告)号：CN105359275A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201480020252.9
申请日：2014-07-02
Applicant: 宜普电源转换公司
IPC: H01L29/15
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/76 , H01L27/0605 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7786
Abstract: 一种集成半导体器件包括基板层、配置在基板层上的缓冲层、配置在缓冲层上的氮化镓层和配置在氮化镓层上的阻挡层。另外，用于多个晶体管器件的多个欧姆接触是形成在阻挡层上。具体地，用于第一晶体管器件的多个第一欧姆接触是形成在阻挡层的表面的第一部分上，而用于第二晶体管器件的多个第二欧姆接触是形成在阻挡层的表面的第二部分上。
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公开(公告)号：CN105453273B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201480043093.4
申请日：2014-07-30
Applicant: 宜普电源转换公司
Inventor： 曹建军 , 罗伯特·比奇 , 亚历山大·利道 , 阿兰娜·纳卡塔 , 罗伯特·斯特里特马特 , 赵广元 , 马艳萍 , 周春华 , 塞沙德里·科卢里 , 刘芳昌 , 蒋明坤 , 曹佳丽 , 阿古斯·裘哈尔
IPC: H01L29/778
Abstract: 一种集成电路具有衬底、形成于所述衬底上的缓冲层、形成于所述缓冲层上的阻挡层以及隔离区，其将增强型设备与耗尽型设备隔离开。集成电路进一步包括沉积在一个栅极接触凹陷中的所述增强型设备的第一栅极触点和沉积在另一个栅极接触凹陷中的所述耗尽型设备的第二栅极触点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105453273A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480043093.4
申请日：2014-07-30
Applicant: 宜普电源转换公司
Inventor： 曹建军 , 罗伯特·比奇 , 亚历山大·利道 , 阿兰娜·纳卡塔 , 罗伯特·斯特里特马特 , 赵广元 , 马艳萍 , 周春华 , 塞沙德里·科卢里 , 刘芳昌 , 蒋明坤 , 曹佳丽 , 阿古斯·裘哈尔
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L27/0605 , H01L21/8252 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/42356 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787
Abstract: 一种集成电路具有衬底、形成于所述衬底上的缓冲层、形成于所述缓冲层上的阻挡层以及隔离区，其将增强型设备与耗尽型设备隔离开。集成电路进一步包括沉积在一个栅极接触凹陷中的所述增强型设备的第一栅极触点和沉积在另一个栅极接触凹陷中的所述耗尽型设备的第二栅极触点。
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公开(公告)号：CN105359275B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201480020252.9
申请日：2014-07-02
Applicant: 宜普电源转换公司
IPC: H01L29/15
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/76 , H01L27/0605 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7786
Abstract: 一种集成半导体器件包括基板层、配置在基板层上的缓冲层、配置在缓冲层上的氮化镓层和配置在氮化镓层上的阻挡层。另外，用于多个晶体管器件的多个欧姆接触是形成在阻挡层上。具体地，用于第一晶体管器件的多个第一欧姆接触是形成在阻挡层的表面的第一部分上，而用于第二晶体管器件的多个第二欧姆接触是形成在阻挡层的表面的第二部分上。
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公开(公告)号：CN105409007A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201480042237.4
申请日：2014-07-29
Applicant: 宜普电源转换公司
Inventor： 斯蒂芬·L·克林诺 , 曹建军 , 罗伯特·比奇 , 亚历山大·利道 , 阿兰娜·纳卡塔 , 赵广元 , 马艳萍 , 罗伯特·斯特里特马特 , 迈克尔·A·德·罗吉 , 周春华 , 塞沙德里·科卢里 , 刘芳昌 , 蒋明坤 , 曹佳丽 , 阿古斯·裘哈尔
IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/0642 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/66462 , H01L29/78 , H01L29/66409
Abstract: 一种具有降低的输出电容的氮化镓晶体管及其制造方法。该氮化镓晶体管器件包括衬底层、配置在衬底层上的一个或多个缓冲层、配置在缓冲层上的阻挡层、及形成于阻挡层与缓冲层间的界面的二维电子气(2DEG)。此外，栅极电极配置在阻挡层上且介电层配置在栅极电极及阻挡层上。该氮化镓晶体管包括一个或多个隔离区，其形成在至少一个缓冲层与阻挡层之间的界面的一部分中，以移除2DEG，从而降低氮化镓器件的输出电容Coss。
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公开(公告)号：CN105308721A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201480020258.6
申请日：2014-07-02
Applicant: 宜普电源转换公司
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/76 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/088 , H01L29/2003 , H01L29/7786
Abstract: 形成具有绝源区域的增强型氮化镓异质结场效应晶体管，自对准接触开口或金属掩膜窗口。有利地，所述方法不需要专用隔离掩膜以及相关的处理步骤，因此减少制造成本。所述方法包括提供EPI结构包括基底、缓冲层、氮化镓层以及阻挡层。介质层形成在所述阻挡层之上，开口形成于所述介质层作为器件接触开口和隔离接触开口。
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公开(公告)号：CN105684134A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480042752.2
申请日：2014-07-29
Applicant: 宜普电源转换公司
Inventor： 曹建军 , 罗伯特·比奇 , 亚历山大·利道 , 阿兰娜·纳卡塔 , 赵广元 , 马艳萍 , 罗伯特·斯特里特马特 , 迈克尔·A·德·罗吉 , 周春华 , 塞沙德里·科卢里 , 刘芳昌 , 蒋明坤 , 曹佳丽 , 阿古斯·裘哈尔
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/1207 , H01L21/763 , H01L21/8258 , H01L27/085 , H01L29/04 , H01L29/1066 , H01L29/16 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/41766 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/66431 , H01L21/28 , H01L29/42316 , H01L29/778
Abstract: 本发明系有关具有用以产生用于集成电路的附加构件的多晶硅层的GaN晶体管以及其制造方法。GaN装置包括EPI结构及设置在EPI结构上方的绝缘材料。并且，一个或多个多晶硅层设置在该绝缘材料中，而所述多晶硅层具有一个或多个n型区域及p型区域。此装置还包括设置在该绝缘材料上的金属互连体，及设置在该绝缘材料中的通孔，其将源极与漏极金属连接至该多晶硅层的n型及p型区域。
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