-
公开(公告)号：CN105684134A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480042752.2
申请日：2014-07-29
Applicant: 宜普电源转换公司
Inventor： 曹建军 , 罗伯特·比奇 , 亚历山大·利道 , 阿兰娜·纳卡塔 , 赵广元 , 马艳萍 , 罗伯特·斯特里特马特 , 迈克尔·A·德·罗吉 , 周春华 , 塞沙德里·科卢里 , 刘芳昌 , 蒋明坤 , 曹佳丽 , 阿古斯·裘哈尔
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/1207 , H01L21/763 , H01L21/8258 , H01L27/085 , H01L29/04 , H01L29/1066 , H01L29/16 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/41766 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/66431 , H01L21/28 , H01L29/42316 , H01L29/778
Abstract: 本发明系有关具有用以产生用于集成电路的附加构件的多晶硅层的GaN晶体管以及其制造方法。GaN装置包括EPI结构及设置在EPI结构上方的绝缘材料。并且，一个或多个多晶硅层设置在该绝缘材料中，而所述多晶硅层具有一个或多个n型区域及p型区域。此装置还包括设置在该绝缘材料上的金属互连体，及设置在该绝缘材料中的通孔，其将源极与漏极金属连接至该多晶硅层的n型及p型区域。
-
公开(公告)号：CN105359275B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201480020252.9
申请日：2014-07-02
Applicant: 宜普电源转换公司
IPC: H01L29/15
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/76 , H01L27/0605 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7786
Abstract: 一种集成半导体器件包括基板层、配置在基板层上的缓冲层、配置在缓冲层上的氮化镓层和配置在氮化镓层上的阻挡层。另外，用于多个晶体管器件的多个欧姆接触是形成在阻挡层上。具体地，用于第一晶体管器件的多个第一欧姆接触是形成在阻挡层的表面的第一部分上，而用于第二晶体管器件的多个第二欧姆接触是形成在阻挡层的表面的第二部分上。
-
公开(公告)号：CN105409007A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201480042237.4
申请日：2014-07-29
Applicant: 宜普电源转换公司
Inventor： 斯蒂芬·L·克林诺 , 曹建军 , 罗伯特·比奇 , 亚历山大·利道 , 阿兰娜·纳卡塔 , 赵广元 , 马艳萍 , 罗伯特·斯特里特马特 , 迈克尔·A·德·罗吉 , 周春华 , 塞沙德里·科卢里 , 刘芳昌 , 蒋明坤 , 曹佳丽 , 阿古斯·裘哈尔
IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/0642 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/66462 , H01L29/78 , H01L29/66409
Abstract: 一种具有降低的输出电容的氮化镓晶体管及其制造方法。该氮化镓晶体管器件包括衬底层、配置在衬底层上的一个或多个缓冲层、配置在缓冲层上的阻挡层、及形成于阻挡层与缓冲层间的界面的二维电子气(2DEG)。此外，栅极电极配置在阻挡层上且介电层配置在栅极电极及阻挡层上。该氮化镓晶体管包括一个或多个隔离区，其形成在至少一个缓冲层与阻挡层之间的界面的一部分中，以移除2DEG，从而降低氮化镓器件的输出电容Coss。
-
公开(公告)号：CN105308721A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201480020258.6
申请日：2014-07-02
Applicant: 宜普电源转换公司
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/76 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/088 , H01L29/2003 , H01L29/7786
Abstract: 形成具有绝源区域的增强型氮化镓异质结场效应晶体管，自对准接触开口或金属掩膜窗口。有利地，所述方法不需要专用隔离掩膜以及相关的处理步骤，因此减少制造成本。所述方法包括提供EPI结构包括基底、缓冲层、氮化镓层以及阻挡层。介质层形成在所述阻挡层之上，开口形成于所述介质层作为器件接触开口和隔离接触开口。
-
公开(公告)号：CN105409007B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201480042237.4
申请日：2014-07-29
Applicant: 宜普电源转换公司
Inventor： 斯蒂芬·L·克林诺 , 曹建军 , 罗伯特·比奇 , 亚历山大·利道 , 阿兰娜·纳卡塔 , 赵广元 , 马艳萍 , 罗伯特·斯特里特马特 , 迈克尔·A·德·罗吉 , 周春华 , 塞沙德里·科卢里 , 刘芳昌 , 蒋明坤 , 曹佳丽 , 阿古斯·裘哈尔
IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L21/336
Abstract: 一种具有降低的输出电容的氮化镓晶体管及其制造方法。该氮化镓晶体管器件包括衬底层、配置在衬底层上的一个或多个缓冲层、配置在缓冲层上的阻挡层、及形成于阻挡层与缓冲层间的界面的二维电子气(2DEG)。此外，栅极电极配置在阻挡层上且介电层配置在栅极电极及阻挡层上。该氮化镓晶体管包括一个或多个隔离区，其形成在至少一个缓冲层与阻挡层之间的界面的一部分中，以移除2DEG，从而降低氮化镓器件的输出电容Coss。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105684134B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201480042752.2
申请日：2014-07-29
Applicant: 宜普电源转换公司
Inventor： 曹建军 , 罗伯特·比奇 , 亚历山大·利道 , 阿兰娜·纳卡塔 , 赵广元 , 马艳萍 , 罗伯特·斯特里特马特 , 迈克尔·A·德·罗吉 , 周春华 , 塞沙德里·科卢里 , 刘芳昌 , 蒋明坤 , 曹佳丽 , 阿古斯·裘哈尔
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明系有关具有用以产生用于集成电路的附加构件的多晶硅层的GaN晶体管以及其制造方法。GaN装置包括EPI结构及设置在EPI结构上方的绝缘材料。并且，一个或多个多晶硅层设置在该绝缘材料中，而所述多晶硅层具有一个或多个n型区域及p型区域。此装置还包括设置在该绝缘材料上的金属互连体，及设置在该绝缘材料中的通孔，其将源极与漏极金属连接至该多晶硅层的n型及p型区域。
-
公开(公告)号：CN105359275A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201480020252.9
申请日：2014-07-02
Applicant: 宜普电源转换公司
IPC: H01L29/15
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/76 , H01L27/0605 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7786
Abstract: 一种集成半导体器件包括基板层、配置在基板层上的缓冲层、配置在缓冲层上的氮化镓层和配置在氮化镓层上的阻挡层。另外，用于多个晶体管器件的多个欧姆接触是形成在阻挡层上。具体地，用于第一晶体管器件的多个第一欧姆接触是形成在阻挡层的表面的第一部分上，而用于第二晶体管器件的多个第二欧姆接触是形成在阻挡层的表面的第二部分上。
-
公开(公告)号：CN103296078A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310057366.8
申请日：2013-02-22
Applicant: 宜普电源转换公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/2003 , H01L29/7787
Abstract: 一种具有自对准的栅极隔离物、栅极金属材料和栅极化合物的增强型GaN器件，及其制备方法。使用单一光掩模对上述各材料进行图案化和进行蚀刻，这可降低制造成本。所述栅极隔离物和所述栅极化合物的界面比介电膜和所述栅极化合物的界面具有更低的泄漏，从而降低栅极泄漏。此外，使用欧姆接触金属层作为场板，以减小朝向漏极触点的掺杂的III-V栅极化合物拐角处的电场，这导致减小的栅极泄漏电流和改进的栅极可靠性。
-
公开(公告)号：CN112913031A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201980068467.0
申请日：2019-08-29
Applicant: 宜普电源转换公司
IPC: H01L29/66 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L21/8234 , H01L23/20
Abstract: 一种具有用于低导通电阻的金属互连布局的横向功率半导体器件。金属互连布局包括第一、第二和第三金属层，每个金属层包括源极条和漏极条。第一、第二和第三金属层中的源极条电连接。第一、第二和第三金属层中的漏极条电连接。在一个实施例中，第一金属层和第二金属层是平行的，并且第三金属层垂直于第一金属层和第二金属层。在另一个实施例中，第一金属层和第三金属层是平行的，并且第二金属层垂直于第一金属层和第三金属层。非导电层确保焊接凸点仅电连接至源极条或仅电连接至漏极条。因此，存在多个可用路径，并使电流能够采用多个可用路径中的任何一个。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.024 seconds)
