公开(公告)号：CN105336578A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201410658986.1

申请日：2014-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢祯发 ,  蔡正原 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/525

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/8221 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/80 ,  H01L24/89 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/01074

Abstract: 本发明提供了具有通孔的堆叠结构上的缓冲层。一种结构包括第一和第二衬底、第一和第二应力缓冲层和钝化后互连(PPI)结构。第一和第二衬底包括第一和第二半导体衬底以及分别位于所述第一和第二半导体衬底上的第一和第二互连结构。第二互连结构位于第二半导体衬底的第一侧上。第一衬底在接合界面处接合至第二衬底。通孔至少延伸穿过第二半导体衬底进入第二互连结构。第一应力缓冲层位于与第二半导体衬底的第一侧相对的第二半导体衬底的第二侧上。PPI结构位于第一应力缓冲层上且电连接至通孔。第二应力缓冲层位于PPI结构和第一应力缓冲层上。

公开(公告)号：CN102738185B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201110217313.9

申请日：2011-07-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐鸿文 ,  刘世昌 ,  杜友伦

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明提供了一种图像传感器器件和用于制造图像传感器器件的方法。典型图像传感器器件包括：基板，具有前表面和后表面；多个传感器元件，设置在基板的前表面处，多个传感器元件中的每个都是可操作的，以感应朝向基板的后表面投射的辐射；辐射防护部件，设置在基板的后表面之上并且水平地设置在多个传感器元件中的每个之间；介电部件，设置在基板的后表面和辐射防护部件之间；以及金属层，沿着介电部件的侧壁设置。

公开(公告)号：CN104425453A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310687197.6

申请日：2013-12-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周世培 ,  徐鸿文 ,  苏庆忠 ,  曹钧涵 ,  林佳洁 ,  蔡纾婷 ,  卢玠甫 ,  刘世昌 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种互连装置及其形成方法。将两个衬底（诸如晶圆、管芯、或晶圆和管芯）接合在一起。使用第一掩模形成部分地延伸至形成在第一晶圆上的互连件的第一开口。形成介电衬层，然后使用相同的掩模实施另一个蚀刻工艺。继续蚀刻工艺以暴露出形成在第一衬底和第二衬底上的互连件。用导电材料填充开口以形成导电插塞。本发明还公开了3DIC互连装置和方法。

公开(公告)号：CN104037139A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201310239271.8

申请日：2013-06-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈昆仑 ,  杜友伦 ,  王俊智

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L25/00 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L24/09 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/06134 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/0901 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明公开了一种接合结构及其形成方法，其中一种封装件，其包括第一封装元件和第二封装元件。第一细长接合焊盘位于第一封装元件表面，第一细长接合焊盘具有沿第一纵向的第一长度和小于第一长度的第一宽度。第二细长接合焊盘位于第二封装元件表面。第二细长接合焊盘与第一细长接合焊盘接合。第二细长接合焊盘具有沿第二纵向的第二长度和小于第二长度的第二宽度。第二纵向与第一纵向不平行。

公开(公告)号：CN103700677A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310031116.7

申请日：2013-01-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴政达 ,  焦圣杰 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄 ,  蔡双吉

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14698 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685

Abstract: 在衬底的正面中形成光电检测器。从衬底的背面减薄衬底。将多种掺杂剂从背面引入减薄衬底中。对减薄衬底中的多种掺杂剂进行退火。在减薄衬底的背面上方沉积抗反射层。在抗反射层上方形成微透镜。在上述步骤的至少一个步骤之后，实施至少一次紫外线(UV)辐射处理。本发明还提供了图像装置及其形成方法。

公开(公告)号：CN103489884A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310175434.0

申请日：2013-05-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曹钧涵 ,  赖志育 ,  黄志辉 ,  吴政达 ,  杜友伦 ,  王俊智 ,  丁世汎 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L31/02164 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/148 ,  H01L51/4273

Abstract: 一种包含半导体衬底的图像传感器器件，该半导体衬底包括阵列区和暗电平校正区。该阵列区包含多个辐射感应像素。该暗电平校正区包含一个或多个参考像素。该衬底具有正面和背面。该图像传感器器件包括在衬底背面上形成的第一压缩应变层。该第一压缩应变层包含氧化硅，且带有负电荷。该第二压缩应变层包含氮化硅，且带有负电荷。在暗电平校正区的至少一部分上方形成金属屏蔽件。图像传感器器件包括在金属屏蔽件上和在第二压缩应变层上形成的第三压缩应变层。该第三压缩应变层包含氧化硅。通过该第三压缩应变层保护金属屏蔽件的侧壁。本发明提供具有压缩层的图像传感器。

公开(公告)号：CN102237274B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201010530391.X

申请日：2010-10-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许凯钧 ,  杜友伦 ,  王从建 ,  许慈轩 ,  王俊智

IPC: H01L21/324 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14698 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643

Abstract: 本发明包括使用激光光束激光退火具有多裸片的晶片的方法、以具有多扫描路径、激光射击的扫描模式中的激光光束激光退火背面照明图像感测器的阵列的方法。每个互补金属氧化物半导体图像感测器具有感测器阵列区和周边电路。此方法借由感测器阵列区长度和周边电路长度决定激光光束的尺寸，使激光光束覆盖整数个感测器阵列区，至少一直排激光光束在背面照明图像感测器的阵列上。进一步决定扫描模式，使激光光束的边界在激光退火期间不会与感测器阵列区重叠只与周边电路重叠。当制造背面照明互补金属氧化物半导体图像感测器时决定激光光束尺寸和激光退火扫描模式的方法以避免在图像感测器的感测器阵列区内发生对应激光扫描边界效应的暗模式条纹图案。

公开(公告)号：CN103247641A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201210193471.X

申请日：2012-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王从建 ,  杜友伦 ,  吴政达 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  G01B11/14 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 用于减少条纹图案的方法包括从经过激光退火的背照式图像传感器晶圆的背面接收散射光信号；基于该散射光信号生成背面图像；确定经过激光退火的背照式图像传感器晶圆的传感器阵列的边缘和相邻的激光束边界之间的距离；以及如果该距离小于预定值，重新校准激光束。本发明还提供用于减少条纹图案的装置。

公开(公告)号：CN102376724A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110218318.3

申请日：2011-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄志辉 ,  蔡正原 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄 ,  杨敦年 ,  刘人诚

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明提供了一种呈现改进的量子效率的图像传感器器件。例如，提供了一种背照式(BSI)图像传感器器件，包括：具有前表面和后表面的基板；设置在基板的前表面处的感光区；以及设置在基板的后表面上方的抗反射层。当在小于700nm的波长处进行测量时，抗反射层具有大于或等于约2.2的折射率以及小于或等于约0.05的消光系数。本发明还提供了用于背照式图像传感器的抗反射层及其制造方法。

公开(公告)号：CN100394580C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200610003592.8

申请日：2006-02-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘源鸿 ,  吴志达 ,  赵兰璘 ,  杜友伦 ,  林文钦 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/22 ,  H01L43/00 ,  G11C11/02

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L27/228

Abstract: 本发明提供一种存储器装置及形成存储器装置的方法，所述存储器装置，其磁性存储元件与用来写入磁性存储元件的传导存储线间具有缩短的距离。根据形成此存储器装置的方法以达成此缩短距离的目的。此方法包括于磁性存储元件上方形成罩幕层以及于此罩幕层上方形成绝缘层。接着使用平坦化制程以移除部分绝缘层。然后于罩幕层里形成一传导介电层，如使用一镶嵌制程。再于罩幕层及传导介层窗的上方形成传导存储线。