Patent search ap:("富士通株式会社") AND inv:"今泉延弘" Page 1

1.

发明授权
半导体装置及用于制造半导体装置的方法有权

公开(公告)号：CN102651334B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201210028789.2

申请日：2012-02-09

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 酒井泰治 , 常信和清 , 今田忠纮 , 今泉延弘 , 冈本圭史郎

IPC: H01L21/768 , H01L21/335 , H01L23/538 , H01L29/778 , H03F1/32

CPC classification number: H03F1/3247 , H01L21/4825 , H01L23/49524 , H01L23/49558 , H01L23/49562 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L24/84 , H01L2224/40245 , H01L2224/83801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/1306 , H01L2924/13064 , H01L2924/181 , H03F3/189 , H03F3/24 , H03F2200/204 , H03F2200/451 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/37099 , H01L2224/84

Abstract: 本发明提供一种半导体装置、用于制造半导体装置的方法和电子电路。该用于制造半导体装置的方法包括：将包括连接导电膜的密封层放置在表面上，使得连接导电膜与半导体元件的电极和引线相接触；通过连接导电膜使所述电极与所述引线电耦接；以及通过密封层密封所述半导体元件。

2.

发明授权
制造半导体器件的方法失效

公开(公告)号：CN102693914B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201210050652.7

申请日：2012-02-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 酒井泰治 , 今泉延弘 , 水越正孝

IPC: H01L21/335

CPC classification number: H01L24/81 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/75 , H01L2224/11013 , H01L2224/1184 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/75101 , H01L2224/81065 , H01L2224/81075 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/8183 , H01L2224/83192 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/13064 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括：通过对半导体元件的第一电极的表面进行处理来形成包括晶体的第一层；通过对该半导体元件安装在其上的安装元件的第二电极的表面进行处理来形成包括晶体的第二层；在第一温度下对在第一层上或第一层中存在的第一氧化膜以及在第二层上或第二层中存在的第二氧化膜进行还原，第一温度低于在第一电极中包含的第一金属以固态进行扩散的第二温度且低于在第二电极中包含的第二金属以固态发生扩散的第三温度；以及通过固相扩散将第一层和第二层彼此接合。

3.

发明授权
半导体器件、半导体器件的制造方法以及电源器件失效

公开(公告)号：CN102646609B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201210031859.X

申请日：2012-02-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 清水浩三 , 冈本圭史郎 , 今泉延弘 , 今田忠纮 , 渡部庆二

IPC: H01L21/60 , H01L21/335 , H01L23/488 , H01L29/778 , H02M7/217 , H02M3/155

CPC classification number: H01L23/48 , H01L23/3128 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05005 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05541 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/0603 , H01L2224/26175 , H01L2224/2745 , H01L2224/2746 , H01L2224/29019 , H01L2224/29036 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/2912 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29499 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/325 , H01L2224/32502 , H01L2224/32506 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48644 , H01L2224/48744 , H01L2224/4903 , H01L2224/73265 , H01L2224/83193 , H01L2224/83194 , H01L2224/83801 , H01L2224/83851 , H01L2924/00013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01322 , H01L2924/13064 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/83439 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/0132 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/0665 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件、半导体器件的制造方法、以及电源器件。一种制造半导体器件的方法，包括：在支撑板的半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的一个上形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个；在半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的另一个的与其中具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个的区域的一部分对应的区域上，形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的另一个；以及在半导体芯片安装区域中定位半导体芯片之后，形成包括具有第一金属和第二金属的合金的层以将半导体芯片与半导体芯片安装区域接合。

4.

发明授权
半导体器件、用于制造半导体器件的方法以及电源装置有权

公开(公告)号：CN102646610B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201210031949.9

申请日：2012-02-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今泉延弘 , 冈本圭史郎 , 渡部庆二

IPC: H01L21/60 , H01L23/495 , H01L23/29 , H01L21/56

CPC classification number: H01L23/49513 , H01L23/3107 , H01L23/49562 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/29 , H01L2224/29076 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29147 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/92247 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/0134 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/10329 , H01L2924/13064 , H01L2924/15738 , H01L2924/15747 , H01L2924/15763 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01046 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/3512

Abstract: 本发明提供一种半导体器件、用于制造半导体器件的方法以及电源装置，所述用于制造半导体器件的方法包括：将包含具有至少一个具有金属的外表面的纤维状材料的片置于基板的半导体芯片安装区域上；在所述半导体芯片安装区域上形成包含易熔金属的接合层；将半导体芯片置于所述半导体芯片安装区域上；以及通过加热利用所述包含易熔金属的接合层将所述半导体芯片接合到所述半导体芯片安装区域。

5.

发明公开
半导体器件和制造半导体器件的方法无效

公开(公告)号：CN102646650A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210033879.0

申请日：2012-02-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本圭史郎 , 今田忠纮 , 今泉延弘 , 渡部庆二

IPC: H01L23/373 , H01L23/31 , H01L21/58 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/32 , H01L23/3121 , H01L23/49513 , H01L23/49568 , H01L24/06 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/29083 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29211 , H01L2224/29239 , H01L2224/29244 , H01L2224/29247 , H01L2224/29255 , H01L2224/29264 , H01L2224/29269 , H01L2224/29311 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29364 , H01L2224/29369 , H01L2224/29565 , H01L2224/2969 , H01L2224/3201 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/83051 , H01L2224/83192 , H01L2224/838 , H01L2224/83815 , H01L2224/8384 , H01L2224/83986 , H01L2224/92247 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/13055 , H01L2924/13064 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01083 , H01L2924/3512

Abstract: 一种半导体器件包括：支持基材、以及利用粘合材料与支持基材接合的半导体元件，所述粘合材料包括：与支持基材和半导体元件接触的多孔金属材料、以及填充于多孔金属材料的至少一部分孔中的钎料。

6.

发明公开
形成电极间粘合结构的方法和电极间粘合结构失效

公开(公告)号：CN1416311A

公开(公告)日：2003-05-07

申请号：CN02147178.9

申请日：2002-10-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 作山诚树 , 今泉延弘 , 八木友久

IPC: H05K3/32 , H01L21/60

CPC classification number: H05K3/321 , H01L21/563 , H01L24/11 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/1147 , H01L2224/1148 , H01L2224/13099 , H01L2224/16225 , H01L2224/29011 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73103 , H01L2224/73104 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H05K3/3436 , H05K3/3473 , H05K3/3484 , H05K2201/0209 , H05K2201/10977 , H05K2203/043 , H05K2203/054 , H05K2203/0568 , H01L2924/00 , H01L2924/01083 , H01L2224/13111 , H01L2924/00014 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012

Abstract: 一种形成电极间粘合结构的方法，包括步骤：树脂涂层形成在有第一电极部分的第一粘接物上，使树脂涂层覆盖第一电极部分。然后，在树脂涂层中形成开口以暴露第一电极部分。然后，在开口中填充含金属和树脂组分的金属膏。然后，第一粘接物放置在有第二电极部分的第二粘接物上，使开口中填充的金属膏面向第二电极部分，而树脂涂层接触第二粘接物。最后，利用加热处理，在使树脂涂层硬化的同时，它使第一粘接物与第二粘接物之间通过金属互相电路连接。

7.

发明授权
电子器件、制造方法和电子器件制造装置失效

公开(公告)号：CN103212776B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201210495330.3

申请日：2012-11-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 酒井泰治 , 今泉延弘

IPC: B23K20/00 , B23K20/24 , B23K20/26 , H01L21/603 , H01L23/488 , H01R4/00 , H01R43/00

CPC classification number: H01L21/76254 , B23K20/026 , B23K20/24 , B23K20/26 , B23K2101/42 , G21K5/02 , H01L21/2686 , H01L21/32134 , H01L21/67017 , H01L21/67069 , H01L21/67092 , H01L21/67115 , H01L21/67144 , H01L23/488 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/11462 , H01L2224/118 , H01L2224/1182 , H01L2224/1184 , H01L2224/11845 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16501 , H01L2224/75102 , H01L2224/7525 , H01L2224/75251 , H01L2224/757 , H01L2224/7598 , H01L2224/81002 , H01L2224/8101 , H01L2224/81013 , H01L2224/81014 , H01L2224/8102 , H01L2224/81031 , H01L2224/81047 , H01L2224/81054 , H01L2224/81075 , H01L2224/8109 , H01L2224/81097 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/8122 , H01L2224/818 , H01L2224/8183 , H01L2224/81907 , H01L2224/81986 , H01L2224/83192 , H01L2224/9211 , H01L2224/97 , H01L2924/01029 , H01L2924/20105 , H01L2924/20108 , H01L2924/2021 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83

Abstract: 本发明提供一种电子器件、制造方法和电子器件制造装置。根据本公开内容，所述制造方法包括：使第一电子元件的第一电极的顶表面暴露于有机酸，利用紫外光照射第一电极的暴露于有机酸的顶表面，以及通过对第一电极和第二电子元件的第二电极进行加热和相互压制来接合第一电极和第二电极。

8.

发明公开
半导体器件、用于制造半导体器件的方法以及电源装置有权

公开(公告)号：CN102646610A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210031949.9

申请日：2012-02-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今泉延弘 , 冈本圭史郎 , 渡部庆二

IPC: H01L21/60 , H01L23/495 , H01L23/29 , H01L21/56

CPC classification number: H01L23/49513 , H01L23/3107 , H01L23/49562 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/29 , H01L2224/29076 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29147 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/92247 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/0134 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/10329 , H01L2924/13064 , H01L2924/15738 , H01L2924/15747 , H01L2924/15763 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01046 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/3512

Abstract: 本发明提供一种半导体器件、用于制造半导体器件的方法以及电源装置，所述用于制造半导体器件的方法包括：将包含具有至少一个具有金属的外表面的纤维状材料的片置于基板的半导体芯片安装区域上；在所述半导体芯片安装区域上形成包含易熔金属的接合层；将半导体芯片置于所述半导体芯片安装区域上；以及通过加热利用所述包含易熔金属的接合层将所述半导体芯片接合到所述半导体芯片安装区域。

9.

发明公开
半导体装置及其制造方法以及电源失效

公开(公告)号：CN102637650A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210026467.4

申请日：2012-02-07

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本圭史郎 , 今田忠纮 , 今泉延弘 , 渡部庆二

IPC: H01L23/29 , H01L23/31 , H01L29/778 , H01L21/56 , H01L21/335 , H02M7/217 , H02M3/155

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置、一种用于制造半导体装置的方法以及一种电源。本发明的半导体装置包括：半导体芯片，包括氮化物半导体分层结构，该氮化物半导体分层结构包括载流子输运层和载流子供给层；半导体芯片上的第一树脂层，该第一树脂层包括偶联剂；第一树脂层上的第二树脂层，该第二树脂层包括表面活性剂；以及密封树脂层，用于利用第一树脂层和第二树脂层对半导体芯片进行密封。