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公开(公告)号：CN102487054B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110364823.9
申请日：2011-11-11
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L29/778 , H01L21/48 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L23/3107 , H01L23/49562 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/66462 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/16245 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/73265 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01079 , H01L2924/12032 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底(1)；半导体层叠结构，设置在所述衬底上方，包括电子渡越层(6)和电子供应层(7)；栅电极(3)、源电极(4)和漏电极(5)，设置在所述半导体层叠结构上方；栅极焊盘(10)、源极焊盘(11)和漏极焊盘(12)，设置在所述栅电极、所述源电极和所述漏电极上方，且分别连接至所述栅电极、所述源电极和所述漏电极；以及导电层，设置在所述栅极焊盘、所述源极焊盘和所述漏极焊盘下方，其中，所述栅极焊盘和所述源极焊盘之间的距离小于所述栅极焊盘和所述漏极焊盘之间的距离。
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公开(公告)号：CN104467775A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410471704.7
申请日：2014-09-16
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H03K17/687
CPC classification number: H03K17/302 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H03K17/102 , H03K17/162 , H03K17/567 , H03K2017/6875 , H03K2217/0036 , H03K2217/0054
Abstract: 提供了一种共源共栅晶体管和控制共源共栅晶体管的方法。该共源共栅晶体管包括：第一开关；第二开关，其耐电压高于第一开关的耐电压，并且第二开关级联耦合至第一开关的漏极；以及电路，在该电路中第三开关和电容器彼此串联耦合，该电路被设置在连接节点与第一开关的源极之间，该连接节点是第一开关和第二开关彼此耦合的节点。
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公开(公告)号：CN102487054A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201110364823.9
申请日：2011-11-11
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L29/778 , H01L21/48 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L23/3107 , H01L23/49562 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/66462 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/16245 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/73265 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01079 , H01L2924/12032 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底(1)；半导体层叠结构，设置在所述衬底上方，包括电子渡越层(6)和电子供应层(7)；栅电极(3)、源电极(4)和漏电极(5)，设置在所述半导体层叠结构上方；栅极焊盘(10)、源极焊盘(11)和漏极焊盘(12)，设置在所述栅电极、所述源电极和所述漏电极上方，且分别连接至所述栅电极、所述源电极和所述漏电极；以及导电层，设置在所述栅极焊盘、所述源极焊盘和所述漏极焊盘下方，其中，所述栅极焊盘和所述源极焊盘之间的距离小于所述栅极焊盘和所述漏极焊盘之间的距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102651334B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210028789.2
申请日：2012-02-09
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/335 , H01L23/538 , H01L29/778 , H03F1/32
CPC classification number: H03F1/3247 , H01L21/4825 , H01L23/49524 , H01L23/49558 , H01L23/49562 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L24/84 , H01L2224/40245 , H01L2224/83801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/1306 , H01L2924/13064 , H01L2924/181 , H03F3/189 , H03F3/24 , H03F2200/204 , H03F2200/451 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/37099 , H01L2224/84
Abstract: 本发明提供一种半导体装置、用于制造半导体装置的方法和电子电路。该用于制造半导体装置的方法包括：将包括连接导电膜的密封层放置在表面上，使得连接导电膜与半导体元件的电极和引线相接触；通过连接导电膜使所述电极与所述引线电耦接；以及通过密封层密封所述半导体元件。
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公开(公告)号：CN104467775B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201410471704.7
申请日：2014-09-16
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H03K17/687
CPC classification number: H03K17/302 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H03K17/102 , H03K17/162 , H03K17/567 , H03K2017/6875 , H03K2217/0036 , H03K2217/0054
Abstract: 提供了一种共源共栅晶体管和控制共源共栅晶体管的方法。该共源共栅晶体管包括：常断型晶体管；常通型晶体管，其耐电压高于常断型晶体管的耐电压，并且常通型晶体管的源极耦合至常断型晶体管的漏极；电路，在电路中开关和电容器彼此串联耦合，并且电路被布置在连接节点与常断型晶体管的源极之间，连接节点是常断型晶体管的漏极和常通型晶体管的源极彼此耦合的节点；以及控制电路，其在断开常断型晶体管的栅极信号之前接通开关并且将电容器电耦合至连接节点，并且控制电路在接通常断型晶体管的栅极信号之前断开开关并且将连接节点与电容器电隔离。
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公开(公告)号：CN102969354B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210270616.1
申请日：2012-07-31
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 常信和清
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/4236 , H01L29/7781 , H01L29/7783 , H01L29/7786 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：由半导体制成的电子传输层，该电子传输层具有第一带隙；设置在电子传输层上的电子供给层，该电子供给层由具有宽于第一带隙的第二带隙的半导体制成；设置在电子供给层上的势垒形成层，该势垒形成层由具有窄于第二带隙的第三带隙的半导体制成；设置在势垒形成层上的上沟道层，该上沟道层由掺杂有杂质的半导体制成；通过部分地移除势垒形成层和上沟道层形成的势垒形成层和上沟道层的侧表面；设置在上述侧表面上的绝缘膜；设置在绝缘膜上的栅电极；连接至上沟道层的源电极；以及连接至电子供给层或电子传输层的漏电极。
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公开(公告)号：CN102969354A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210270616.1
申请日：2012-07-31
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 常信和清
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/4236 , H01L29/7781 , H01L29/7783 , H01L29/7786 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：由半导体制成的电子传输层，该电子传输层具有第一带隙；设置在电子传输层上的电子供给层，该电子供给层由具有宽于第一带隙的第二带隙的半导体制成；设置在电子供给层上的势垒形成层，该势垒形成层由具有窄于第二带隙的第三带隙的半导体制成；设置在势垒形成层上的上沟道层，该上沟道层由掺杂有杂质的半导体制成；通过部分地移除势垒形成层和上沟道层形成的势垒形成层和上沟道层的侧表面；设置在上述侧表面上的绝缘膜；设置在绝缘膜上的栅电极；连接至上沟道层的源电极；以及连接至电子供给层或电子传输层的漏电极。
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公开(公告)号：CN102651334A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210028789.2
申请日：2012-02-09
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/335 , H01L23/538 , H01L29/778 , H03F1/32
CPC classification number: H03F1/3247 , H01L21/4825 , H01L23/49524 , H01L23/49558 , H01L23/49562 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L24/84 , H01L2224/40245 , H01L2224/83801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/1306 , H01L2924/13064 , H01L2924/181 , H03F3/189 , H03F3/24 , H03F2200/204 , H03F2200/451 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/37099 , H01L2224/84
Abstract: 本发明提供一种半导体装置、用于制造半导体装置的方法和电子电路。该用于制造半导体装置的方法包括：将包括连接导电膜的密封层放置在表面上，使得连接导电膜与半导体元件的电极和引线相接触；通过连接导电膜使所述电极与所述引线电耦接；以及通过密封层密封所述半导体元件。
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