公开(公告)号：CN102074497B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201010525017.0

申请日：2010-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄善宽 ,  李仁荣 ,  李镐珍 ,  张东铉

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/98 ,  H01L23/535

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/9201 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片和晶片堆叠封装件的制造方法，所述半导体芯片的制造方法包括以下步骤：在基底的前表面中形成第一通孔；利用第一导电材料在第一通孔中形成第一导电塞，第一导电塞包括在基底中的第一部分和从基底突出的第二部分；利用第二导电材料在第一导电塞的上表面上形成第二导电塞，第二导电塞的横截面面积小于第一导电塞；对基底的后表面进行背部减薄；在基底的经过背部减薄的后表面中形成第二通孔，第二通孔与第一通孔对准。

公开(公告)号：CN116705737A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310693840.X

申请日：2018-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李灿浩 ,  郑显秀 ,  柳翰成 ,  李仁荣

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 可提供一种半导体封装，所述半导体封装包括：第一半导体器件；第二半导体器件，位于所述第一半导体器件上；以及焊料球，位于所述第一半导体器件与所述第二半导体器件之间。所述第一半导体器件，包括：衬底；绝缘层，位于所述衬底上且包括沟槽；至少一个通孔结构，穿透所述衬底且突出在所述沟槽的底表面上方；以及导电结构，在所述沟槽中环绕所述至少一个通孔结构，且其中所述通孔结构与所述焊料球直接物理接触。

公开(公告)号：CN113517254A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110143214.4

申请日：2021-02-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 慎重垣 ,  李瑌真 ,  李仁荣 ,  崔智旻 ,  韩正勳

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/14

Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：半导体基底；导电垫，位于半导体基底的第一表面上；钝化层，位于半导体基底的第一表面上，钝化层具有暴露导电垫的第一开口；有机介电层，位于钝化层上，有机介电层具有第二开口；以及凸块结构，位于导电垫上并且位于第一开口和第二开口中。有机介电层包括与钝化层的材料不同的材料。第二开口空间地连接到第一开口并且暴露钝化层的部分。凸块结构包括与钝化层和有机介电层接触的柱图案。

公开(公告)号：CN104253056B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201410290157.2

申请日：2014-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  金钟延 ,  李仁荣 ,  赵泰济

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/02016 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/16 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供具有穿通电极的半导体封装及其制造方法。该方法可以包括：形成包括堆叠在第二半导体芯片上的第一半导体芯片的晶片级封装；形成包括堆叠在第三半导体芯片上的第四半导体芯片的芯片级封装；在晶片级封装的第二半导体基板的后表面上堆叠多个芯片级封装，抛光晶片级封装的第一模层和第一半导体芯片以暴露第一半导体芯片的第一穿通电极，和在被抛光的第一半导体芯片上形成外部电极以分别连接到第一穿通电极。

公开(公告)号：CN101859716A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN201010160042.3

申请日：2010-04-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张东铉 ,  李仁荣 ,  金南锡

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L25/00 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06505 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14505 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17505 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体装置及其制造方法以及包括该半导体装置的系统。在该方法中，将包括焊盘的基底的一部分去除以形成通孔。在基底上形成绝缘层。将绝缘层的一部分去除以形成开口部分，所述开口部分包括暴露焊盘的多个部分的多个开口。使通电极形成为填充通孔并通过多个开口中的一个开口电连接到焊盘。通过多个开口中的另一开口暴露焊盘的一部分。

公开(公告)号：CN100392834C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200410049093.3

申请日：2004-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑世泳 ,  金南锡 ,  吴世容 ,  金淳范 ,  朴善英 ,  柳周铉 ,  李仁荣

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/44 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/13 ,  B23K3/0607 ,  B23K3/0623 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H05K1/111 ,  H05K3/243 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/0373 ,  H05K2201/09745 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/048 ,  H05K2203/167 ,  Y02P70/611 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种加强的焊料凸块连接物结构形成于设置于半导体芯片上的接触垫片和设置于安装基板上的球垫片之间。半导体芯片包括至少一个从中间层的表面向上延伸的加强突起。安装基板包括至少一个从球垫片向上延伸的加强突起，从半导体芯片和安装基板上延伸的突起都嵌入焊料凸块连接物之中。在一些构造中，对从接触垫片和球垫片伸出的加强突起进行尺寸设计和排列使它们具有重叠的上部分。这些重叠部分可以采取各种各样的构造，这些构造可以使得突起重叠而不彼此接触，这些构造包括销排列以及围绕元件和被围绕元件的组合。在每一种构造中，加强突起都将趋于抑制裂缝的形成和/或裂缝的蔓延，从而提高了可靠性。

公开(公告)号：CN1601712A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN200410049093.3

申请日：2004-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑世泳 ,  金南锡 ,  吴世容 ,  金淳范 ,  朴善英 ,  柳周铉 ,  李仁荣

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/44 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/13 ,  B23K3/0607 ,  B23K3/0623 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H05K1/111 ,  H05K3/243 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/0373 ,  H05K2201/09745 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/048 ,  H05K2203/167 ,  Y02P70/611 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种加强的焊料凸块连接物结构形成于设置于半导体芯片上的接触垫片和设置于安装基板上的球垫片之间。半导体芯片包括至少一个从中间层的表面向上延伸的加强突起。安装基板包括至少一个从球垫片向上延伸的加强突起，从半导体芯片和安装基板上延伸的突起都嵌入焊料凸块连接物之中。在一些构造中，对从接触垫片和球垫片伸出的加强突起进行尺寸设计和排列使它们具有重叠的上部分。这些重叠部分可以采取各种各样的构造，这些构造可以使得突起重叠而不彼此接触，这些构造包括销排列以及围绕元件和被围绕元件的组合。在每一种构造中，加强突起都将趋于抑制裂缝的形成和/或裂缝的蔓延，从而提高了可靠性。

公开(公告)号：CN104241229A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410279831.7

申请日：2014-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  马金希 ,  李仁荣 ,  赵文祺 ,  赵汊济 ,  赵泰济

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92227 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了具有贯穿电极的半导体封装及其制造方法。该方法可以包括：设置包括第一电路层的第一基板；在第一基板的前表面上形成前模制层；研磨第一基板的背表面；形成穿透第一基板以电连接到第一电路层的第一贯穿电极；在第一基板的背表面上设置第二基板，第二基板包括电连接到第一贯穿电极的第二电路层；在第一基板的背表面上形成后模制层，后模制层包封第二基板；以及去除前模制层。

公开(公告)号：CN103077939A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201210310295.3

申请日：2012-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌哲 ,  金显俊 ,  李仁荣 ,  丁起权

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/13 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L23/13 ,  H01L21/565 ,  H01L23/49816 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/1815

Abstract: 本发明提供了一种半导体封装件。半导体封装件包括：基板，具有穿过基板形成的第一通孔；第一半导体芯片，以倒装芯片的方式堆叠在基板上并且具有穿过第一半导体芯片形成的第二通孔；第二半导体芯片，以倒装芯片的方式堆叠在第一半导体芯片上并且具有穿过第二半导体芯片形成的第三通孔；成型材料，覆盖第一半导体芯片和第二半导体芯片，并且填充基板和第一半导体芯片之间的空间、第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的空间，且填充第一通孔、第二通孔和第三通孔中的每个通孔。

公开(公告)号：CN1728370A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510087557.4

申请日：2005-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李仁荣 ,  沈成珉 ,  张东铉 ,  郑显秀 ,  宋永僖 ,  朴明洵

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/525 ,  H01L24/02 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种制备多芯片封装用集成电路芯片的方法及所形成的晶片和芯片。该形成集成电路芯片的方法包括在其上具有多个接触焊盘的半导体晶片上形成多个十字形槽，以及使用电绝缘层填充十字形槽。将电绝缘层构图来在其中限定至少第一和第二通孔，所述第一和第二通孔延伸在十字形槽的第一个中。分别以第一和第二过芯片连接电极填充第一和第二通孔。随后，通过切穿十字形图案中的电绝缘层将半导体晶片划片为多个集成电路芯片，所述十字形图案中的电绝缘层与十字形槽的位置重叠。