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公开(公告)号:CN101236941A
公开(公告)日:2008-08-06
申请号:CN200810009418.3
申请日:2008-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/522 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/525 , H01L21/7682 , H01L23/3114 , H01L23/5222 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L2224/02311 , H01L2224/0236 , H01L2224/024 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/06136 , H01L2224/11901 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。根据一些实施例,半导体装置包括形成在半导体结构上的下部结构。下部结构具有芯片焊盘。半导体装置还包括位于芯片焊盘上方的钝化层。钝化层包括限定在其中的第一开口以暴露芯片焊盘的至少部分。半导体装置还包括相互分隔开并位于钝化层上方的至少两条相邻的再分布线。所述至少两条相邻的再分布线通过对应的第一开口分别连接到芯片焊盘。半导体装置包括位于钝化层上方的第一绝缘层。第一绝缘层包括在所述至少两条相邻的再分布线之间延伸的孔穴。
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公开(公告)号:CN1738017A
公开(公告)日:2006-02-22
申请号:CN200510092056.5
申请日:2005-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/28 , H01L23/485
CPC classification number: H05K3/3436 , H01L21/563 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3171 , H01L23/525 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05655 , H01L2224/10126 , H01L2224/11334 , H01L2224/13022 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2224/73253 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/16195 , H05K3/0023 , H05K2201/10977 , Y02P70/613 , Y10T29/49149 , H01L2224/05552 , H01L2924/00014 , H01L2924/013
Abstract: 本发明涉及集成电路(IC)芯片和封装。在半导体器件的制造中,沉积感光层从而以该感光层覆盖电极的暴露部分。该感光层然后经历光刻工艺从而部分地去除该感光层的覆盖该电极的部分。该电极可以是球电极或凸点电极,该半导体器件可以包含在晶片级封装(WLP)或倒装芯片封装中。
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公开(公告)号:CN1080931C
公开(公告)日:2002-03-13
申请号:CN95119249.3
申请日:1995-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L24/32 , H01L23/49503 , H01L23/49513 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , Y10T29/49121 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种生产具有焊盘、一些内侧引线、外部引线和防流护栏的引线框架的工艺。所述的焊盘在其背面被以一种膜,这个工艺具有下述工序:制备一个包括一个焊盘,一些内侧引线和外侧引线的引线框架;不用胶粘剂把聚酰胺酸膜放到焊盘的背面上;用热产生器热压缩聚酰胺酸膜以形成聚酰亚胺膜,同时将之附着到焊盘的背面上。
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公开(公告)号:CN1142122A
公开(公告)日:1997-02-05
申请号:CN95119249.3
申请日:1995-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L24/32 , H01L23/49503 , H01L23/49513 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , Y10T29/49121 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种生产具有焊盘、一些内侧引线、外部引线和防流护栏的引线框架的工艺。所述的焊盘在其背面被以一种膜,这个工艺具有下述工序:制备一个包括一个焊盘,一些内侧引线和外侧引线的引线框架;不用胶粘剂把聚酰胺酸膜放到焊盘的背面上;用热产生器热压缩聚酰胺酸膜以形成聚酰亚胺膜,同时将之附着到焊盘的背面上。
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公开(公告)号:CN1079169C
公开(公告)日:2002-02-13
申请号:CN96111255.7
申请日:1996-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 沈成珉
CPC classification number: H01L23/49558 , H01L21/565 , H01L24/27 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/10161 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399
Abstract: 半导体芯片封装件的制法,包括:制备好有相对设置的侧轨且其上有通孔的引线框,框中有安装芯片的模垫,一对引线排以及系条;将树脂化合物充填到引线之间固化成挡条;将芯片装于摸垫上并与引线电连;密封芯片、模垫、挡条、一部分引线以及一部分用来连接模垫与侧轨的系条,而形成一仍然装在引线框上的封装体;从引线框上除去系条,分离出各封装体;最后使从上述封装件上延伸出的引线具有适当的弯曲形状。
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公开(公告)号:CN1728370A
公开(公告)日:2006-02-01
申请号:CN200510087557.4
申请日:2005-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/525 , H01L24/02 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06524 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06551 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/30107 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种制备多芯片封装用集成电路芯片的方法及所形成的晶片和芯片。该形成集成电路芯片的方法包括在其上具有多个接触焊盘的半导体晶片上形成多个十字形槽,以及使用电绝缘层填充十字形槽。将电绝缘层构图来在其中限定至少第一和第二通孔,所述第一和第二通孔延伸在十字形槽的第一个中。分别以第一和第二过芯片连接电极填充第一和第二通孔。随后,通过切穿十字形图案中的电绝缘层将半导体晶片划片为多个集成电路芯片,所述十字形图案中的电绝缘层与十字形槽的位置重叠。
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公开(公告)号:CN1150328A
公开(公告)日:1997-05-21
申请号:CN96111255.7
申请日:1996-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 沈成珉
CPC classification number: H01L23/49558 , H01L21/565 , H01L24/27 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/10161 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399
Abstract: 半导体芯片封装件的制法,包括:制备好有相对设置的侧轨且其上有通孔的引线框,框中有安装芯片的模垫,一对引线排以及系条;将树脂化合物充填到引线之间固化成挡条;将芯片装于模垫上并与引线电连;密封芯片、模垫、挡条、一部分引线以及一部分用来连接模垫与侧轨的系条,而形成一仍然装在引线框上的封装体;从引线框上除去系条,分离出各封装体;最后使从上述封装件上延伸出的引线具有适当的弯曲形状。
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