公开(公告)号：CN116156892A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211454905.7

申请日：2022-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林秀焕 ,  金尚勋 ,  罗青宰

IPC: H10B43/20 ,  H10B41/20

Abstract: 提供了一种半导体装置和数据存储系统。半导体装置包括：下结构；图案结构，其包括按次序堆叠在下结构上的第一图案层至第三图案层；栅电极，其堆叠在图案结构上并且在垂直于图案结构的上表面的第一方向上彼此间隔开；以及沟道结构，其穿过栅电极。沟道结构包括沟道层和金属半导体化合物层。金属半导体化合物层与沟道层和第二图案层接触。沟道结构穿过第二图案层和第三图案层，并且延伸至第一图案层中。第二图案层具有接触金属半导体化合物层的第一金属层。金属半导体化合物层的至少一部分在垂直于第一方向的第二方向上与下栅电极重叠。

公开(公告)号：CN1080931C

公开(公告)日：2002-03-13

申请号：CN95119249.3

申请日：1995-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚勋 ,  沈成珉 ,  洪仁杓 ,  李相国

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/49121 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种生产具有焊盘、一些内侧引线、外部引线和防流护栏的引线框架的工艺。所述的焊盘在其背面被以一种膜，这个工艺具有下述工序：制备一个包括一个焊盘，一些内侧引线和外侧引线的引线框架；不用胶粘剂把聚酰胺酸膜放到焊盘的背面上；用热产生器热压缩聚酰胺酸膜以形成聚酰亚胺膜，同时将之附着到焊盘的背面上。

公开(公告)号：CN1142122A

公开(公告)日：1997-02-05

申请号：CN95119249.3

申请日：1995-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚勋 ,  沈成珉 ,  洪仁杓 ,  李相国

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/49121 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种生产具有焊盘、一些内侧引线、外部引线和防流护栏的引线框架的工艺。所述的焊盘在其背面被以一种膜，这个工艺具有下述工序：制备一个包括一个焊盘，一些内侧引线和外侧引线的引线框架；不用胶粘剂把聚酰胺酸膜放到焊盘的背面上；用热产生器热压缩聚酰胺酸膜以形成聚酰亚胺膜，同时将之附着到焊盘的背面上。