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公开(公告)号：CN106971993B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201710028178.0
申请日：2017-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/498
Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：再分布基底；互连基底，在再分布基底上；半导体芯片，在再分布基底上且在互连基底的孔中；金属层，在半导体芯片上；模制层，在半导体芯片和互连基底之间的间隙中。互连基底包括穿透其内部的孔。互连基底包括基础层和延伸穿过基础层的导电构件。互连基底的顶表面定位在金属层的顶表面的水平之上或之下的水平。
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公开(公告)号：CN119864339A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202410535009.6
申请日：2024-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/522 , H10B80/00
Abstract: 公开了半导体封装件。该半导体封装件可以包括第一半导体芯片和在第一半导体芯片下方的第二半导体芯片。第一半导体芯片可以包括第一器件层、在第一器件层的底表面上的第一互连层、穿透第一器件层并且电连接到第一互连层的第一过孔以及在第一互连层的底表面上的第一垫。第二半导体芯片可以包括第二器件层、穿透第二器件层的第二过孔以及在第二器件层的顶表面上并且电连接到第二过孔的第二垫。当在平面图中观看时，第一过孔和第二过孔可以在水平方向上彼此偏移，并且第一过孔可以与第一垫水平地间隔开。
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公开(公告)号：CN116705737A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310693840.X
申请日：2018-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 可提供一种半导体封装，所述半导体封装包括：第一半导体器件；第二半导体器件，位于所述第一半导体器件上；以及焊料球，位于所述第一半导体器件与所述第二半导体器件之间。所述第一半导体器件，包括：衬底；绝缘层，位于所述衬底上且包括沟槽；至少一个通孔结构，穿透所述衬底且突出在所述沟槽的底表面上方；以及导电结构，在所述沟槽中环绕所述至少一个通孔结构，且其中所述通孔结构与所述焊料球直接物理接触。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN110676227A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910309072.7
申请日：2019-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L25/18 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体芯片包括半导体衬底。电极焊盘设置在半导体衬底上。电极焊盘包括低k材料层。第一保护层至少部分地围绕电极焊盘。第一保护层包括位于其上部的第一开口。缓冲焊盘电连接到电极焊盘。第二保护层至少部分地围绕缓冲焊盘。第二保护层包括位于其上部的第二开口。柱层和焊料层顺序地堆叠在缓冲焊盘上。缓冲焊盘的厚度大于电极焊盘的厚度。第一开口在平行于半导体衬底的上表面的第一方向上的宽度等于或大于第二开口在第一方向上的宽度。
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公开(公告)号：CN108807318A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810387480.X
申请日：2018-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/50 , H01L21/02118 , H01L21/486 , H01L21/76898 , H01L23/3128 , H01L23/373 , H01L23/481 , H01L23/544 , H01L23/58 , H01L24/02 , H01L25/0657 , H01L2223/54426 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/0231 , H01L2224/02331 , H01L2224/02333 , H01L2224/02372 , H01L2224/02381
Abstract: 可提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底；绝缘层，位于所述衬底上且包括沟槽；至少一个通孔结构，穿透所述衬底且突出在所述沟槽的底表面上方；以及导电结构，在所述沟槽中环绕所述至少一个通孔结构。
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公开(公告)号：CN107799505A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710622059.8
申请日：2017-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/18 , H01L21/98
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06582 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L25/18
Abstract: 公开了一种半导体封装件及其制造方法。该半导体封装件包括第一基底和布置在第一基底上方的第一半导体芯片。第二半导体芯片布置在第一半导体芯片的顶表面上方。粘合层在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间。第二基底设置在第二半导体芯片上。第二基底基本覆盖第二半导体芯片的顶表面。成型层设置在第一基底与第二基底之间。
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公开(公告)号：CN106971993A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710028178.0
申请日：2017-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/498
CPC classification number: H01L25/105 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/49816 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L29/0657 , H01L2224/04105 , H01L2224/08146 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/83005 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2224/95001 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2225/1088 , H01L2225/1094 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2224/83 , H01L2224/32225 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L23/488 , H01L23/49822 , H01L23/49838
Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：再分布基底；互连基底，在再分布基底上；半导体芯片，在再分布基底上且在互连基底的孔中；金属层，在半导体芯片上；模制层，在半导体芯片和互连基底之间的间隙中。互连基底包括穿透其内部的孔。互连基底包括基础层和延伸穿过基础层的导电构件。互连基底的顶表面定位在金属层的顶表面的水平之上或之下的水平。
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