公开(公告)号：CN115985902A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211220578.9

申请日：2022-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金载春 ,  金泰焕 ,  柳胜杰 ,  李应彰 ,  郑起旭 ,  赵圣恩

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/46

Abstract: 提供了一种半导体封装件和该半导体封装件的制造方法。所述半导体封装件包括：封装件衬底；插入件，其设置在封装件衬底上；半导体芯片，其安装在插入件上；模制构件，其位于插入件上，并且围绕半导体芯片；第一密封构件，其位于模制构件上；以及散热构件，其位于封装件衬底上，并且覆盖插入件、半导体芯片和第一密封构件，其中，散热构件包括下结构和上结构，下结构接触封装件衬底的上表面，上结构位于下结构上，在第一密封构件上方延伸，并且包括微沟道和位于微沟道上的微柱。

公开(公告)号：CN106971993A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201710028178.0

申请日：2017-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志澈 ,  金载春 ,  柳翰成 ,  赵京淳 ,  赵暎相 ,  尹汝勋

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838

Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：再分布基底；互连基底，在再分布基底上；半导体芯片，在再分布基底上且在互连基底的孔中；金属层，在半导体芯片上；模制层，在半导体芯片和互连基底之间的间隙中。互连基底包括穿透其内部的孔。互连基底包括基础层和延伸穿过基础层的导电构件。互连基底的顶表面定位在金属层的顶表面的水平之上或之下的水平。

公开(公告)号：CN110277361B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN201910113884.4

申请日：2019-02-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金载春 ,  金荣得 ,  玄荣勋

IPC: H01L23/38 ,  H10N10/17

Abstract: 提供了一种热辐射装置、包括其的半导体封装件和半导体装置。热辐射装置包括半导体基板。第一电极设置在半导体基板上。第二电极设置在半导体基板上并与第一电极间隔开。第一贯穿电极设置在半导体基板中。第一贯穿电极电连接到第一电极。

公开(公告)号：CN118693018A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202311743335.8

申请日：2023-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟圭 ,  金载春 ,  高永俊 ,  金泰焕

IPC: H01L23/427

Abstract: 提供了一种半导体封装，包括：封装衬底；半导体器件，安装在封装衬底上；以及散热结构，附接在半导体器件上，其中，散热结构包括在竖直方向上的不同水平处的多个均热板以及在多个均热板之间的多个热管。

公开(公告)号：CN106971993B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201710028178.0

申请日：2017-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志澈 ,  金载春 ,  柳翰成 ,  赵京淳 ,  赵暎相 ,  尹汝勋

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/498

Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：再分布基底；互连基底，在再分布基底上；半导体芯片，在再分布基底上且在互连基底的孔中；金属层，在半导体芯片上；模制层，在半导体芯片和互连基底之间的间隙中。互连基底包括穿透其内部的孔。互连基底包括基础层和延伸穿过基础层的导电构件。互连基底的顶表面定位在金属层的顶表面的水平之上或之下的水平。

公开(公告)号：CN109962043A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201811561644.2

申请日：2018-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金载春 ,  金荣得 ,  朴佑炫

IPC: H01L23/367

Abstract: 提供了一种电子装置，包括：基板、设置在基板上的第一电子产品、布置在基板上并与第一电子产品间隔开的第二电子产品，以及覆盖第一电子产品和第二电子产品的散热组件，散热组件包括具有气密密封空间的散热腔室，所述散热腔室具有第一部分和第二部分，第一部分具有其中设置有可流动的散热流体的一个或更多个间隙，第二部分中设置有阻止散热流体流过第二部分的实心导热部件。散热腔室的第一部分具有第一热导率并且在所述电子装置的俯视图中与第一电子产品交叠，实心导热部件具有小于第一热导率的第二热导率，实心导热部件在俯视图中与第二电子产品交叠，在俯视图中，实心导热部件与第二电子产品的交叠面积大于第二电子产品的面积的50％。

公开(公告)号：CN108735770A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810310753.0

申请日：2018-04-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志澈 ,  赵汊济 ,  韩相旭 ,  赵京淳 ,  金载春 ,  朴佑炫

IPC: H01L27/148 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明公开了一种半导体封装件，其包括：衬底上的第一半导体芯片；第二半导体芯片，其位于衬底上并且与第一半导体装置间隔开；模制层，其位于衬底上并且覆盖第一半导体芯片的侧部和第二半导体芯片的侧部；以及图像传感器单元，其位于第一半导体芯片、第二半导体芯片和模制层上。图像传感器单元电连接至第一半导体芯片。

公开(公告)号：CN104679586A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410602301.1

申请日：2014-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安敏善 ,  柳基洙 ,  金载春 ,  吴治官 ,  任明均

IPC: G06F9/48 ,  G06F9/50

Abstract: 提供了操作包括异构多核处理器的电子系统的方法。该方法包括测量大(高性能)核的温度和/或工作负载，并且响应于测量的大核的温度和工作负载，将当前核负载从大核切换到小(低性能)核。

公开(公告)号：CN118693010A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202311570870.8

申请日：2023-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜圣求 ,  金载春 ,  文圣昊 ,  朴桓柱

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/427 ,  H01L23/373 ,  H01L23/44 ,  H01L25/18

Abstract: 提供了一种半导体封装，包括：衬底；第一半导体器件，在衬底上；以及散热结构，在第一半导体器件上，散热结构包括：散热室，被配置为提供工作流体在其中移动的内部空间；以及多个第一隔离壁，布置在散热室中，以限定第一中心通道以及经由第一中心通道彼此连通的多个第一蒸汽通道，其中，多个第一隔离壁中的每一个与第一半导体器件竖直地重叠，第一中心通道与第一半导体器件竖直地重叠，并且多个第一蒸汽通道中的每一个从第一中心通道在横向方向上延伸。

公开(公告)号：CN109411489B

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN201810916454.1

申请日：2018-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴佑炫 ,  金载春

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/34

Abstract: 提供了一种芯片结构和芯片结构操作方法。芯片结构包括：第一下芯片结构；和上芯片结构，其位于第一下芯片结构上并且具有像素阵列区。第一下芯片结构包括：第一下半导体衬底，其具有彼此相对的第一侧和第二侧；第一部分，其位于第一下半导体衬底的第一侧上；以及第二部分，其位于第一下半导体衬底的第二侧上，第一下芯片结构的第一部分包括栅极布线，第一下芯片结构的第二部分包括第二侧布线和加热元件，并且加热元件与第二侧布线位于相同平面上，并且加热元件的长度大于第二侧布线的长度。