半导体封装件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106971993B

    公开(公告)日:2021-10-15

    申请号:CN201710028178.0

    申请日:2017-01-13

    Abstract: 提供了一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:再分布基底;互连基底,在再分布基底上;半导体芯片,在再分布基底上且在互连基底的孔中;金属层,在半导体芯片上;模制层,在半导体芯片和互连基底之间的间隙中。互连基底包括穿透其内部的孔。互连基底包括基础层和延伸穿过基础层的导电构件。互连基底的顶表面定位在金属层的顶表面的水平之上或之下的水平。

    半导体封装件和堆叠封装型封装件

    公开(公告)号:CN112820704A

    公开(公告)日:2021-05-18

    申请号:CN202011239584.X

    申请日:2020-11-09

    Inventor: 赵暎相

    Abstract: 一种半导体封装件包括:第一封装基板;第一半导体器件,所述第一半导体器件安装在所述第一封装基板上;第二封装基板,所述第二封装基板布置在所述第一半导体器件的上部上;和散热材料层,所述散热材料层布置在所述第一半导体器件和所述第二封装基板之间,并且具有大约0.5W/m·K至大约20W/m·K的热导率,其中,所述散热材料层与所述第一半导体器件的上表面和所述第二封装基板的导体直接接触。

    包括导热层的半导体封装件
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110098162A

    公开(公告)日:2019-08-06

    申请号:CN201811580748.8

    申请日:2018-12-24

    Abstract: 提供了一种包括导热层的半导体封装件。所述半导体封装件包括:半导体芯片,具有作为有效表面的第一表面和与第一表面相对的第二表面;第一再分布部,设置在第一表面上,第一再分布部包括电连接到半导体芯片的下布线层;导热层,设置在半导体芯片的第二表面上;密封层,围绕半导体芯片的侧表面和导热层的侧表面;以及第二再分布部,设置在密封层上,第二再分布部包括连接到导热层的第一上布线层,第二再分布部包括电连接到半导体芯片的第二上布线层。

    具有改善的散热特性的半导体封装

    公开(公告)号:CN116364665A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202211693885.9

    申请日:2022-12-28

    Abstract: 一种半导体封装包括:第一互连结构;第一半导体芯片,设置在第一互连结构上并且包括多个贯通通路和连接到多个贯通通路的第一焊盘;第二半导体芯片,设置在第一互连结构上,包括电连接到第一焊盘的第二焊盘,并且具有与第一半导体芯片的尺寸不同的尺寸;散热结构,接触并围绕第一半导体芯片和第二半导体芯片中的至少一个的侧表面,并且包括具有比硅的热导率高的热导率的材料;以及围绕散热结构的侧表面的密封剂。

    半导体封装件
    10.
    发明公开
    半导体封装件 审中-实审

    公开(公告)号:CN116417415A

    公开(公告)日:2023-07-11

    申请号:CN202211655455.8

    申请日:2022-12-21

    Abstract: 一种半导体封装件包括:第一互连结构;第一半导体芯片,位于所述第一互连结构上;包封剂,覆盖所述第一半导体芯片;第二互连结构,设置在所述第一半导体芯片和所述包封剂上,包括多个互连层,并且具有包括台阶部分的开口,所述开口暴露所述多个互连层当中的至少一个互连层的上表面的一部分;以及散热图案,设置在所述开口中,穿过所述包封剂并且与所述第一半导体芯片的上表面的至少一部分接触,并且包括热导率高于硅(Si)的热导率的材料。所述散热图案包括具有第一宽度的下部和设置在所述下部上并且具有大于所述第一宽度的第二宽度的上部,并且所述散热图案的所述上部与所述至少一个互连层的所述上表面的被暴露的所述一部分接触。

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