-
公开(公告)号:CN114520219A
公开(公告)日:2022-05-20
申请号:CN202111118376.9
申请日:2021-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/522
Abstract: 提供一种半导体封装,该半导体封装包括第一半导体芯片和与第一半导体芯片接合的第二半导体芯片,第一半导体芯片包括逻辑结构。第一半导体芯片可以包括:在第一半导体衬底的第一表面上并与逻辑结构连接的信号线;在第一半导体衬底的第二表面上的电力输送网络,第二表面与第一表面相对;以及穿通过孔,穿透第一半导体衬底并将电力输送网络连接到逻辑结构。第二半导体芯片可以包括电容器层,所述电容器层在第二半导体衬底上并且与电力输送网络相邻。
-
公开(公告)号:CN106057747B
公开(公告)日:2020-09-22
申请号:CN201610110151.1
申请日:2016-02-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/42
Abstract: 公开了一种半导体封装件和一种制造该半导体封装件的方法,该半导体封装件包括:半导体芯片,在封装基底上;散热器,在半导体芯片上;模塑层;粘附膜,在半导体芯片和散热器之间;以及通孔,穿过散热器。散热器包括第一表面和第二表面。模塑层覆盖半导体芯片的侧壁和散热器的侧壁,且暴露散热器的第一表面。粘附膜在散热器的第二表面上。
-
公开(公告)号:CN105552041B
公开(公告)日:2019-09-13
申请号:CN201510701071.9
申请日:2015-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 张彦铢
IPC: H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本公开提供包括散热部的半导体封装。半导体封装包括具有下基板和下半导体芯片的下封装。散热部邻近于下封装的一侧提供并覆盖下半导体芯片的一部分,上封装在下封装上并与散热部横向地间隔开。
-
公开(公告)号:CN110098162A
公开(公告)日:2019-08-06
申请号:CN201811580748.8
申请日:2018-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31
Abstract: 提供了一种包括导热层的半导体封装件。所述半导体封装件包括:半导体芯片,具有作为有效表面的第一表面和与第一表面相对的第二表面;第一再分布部,设置在第一表面上,第一再分布部包括电连接到半导体芯片的下布线层;导热层,设置在半导体芯片的第二表面上;密封层,围绕半导体芯片的侧表面和导热层的侧表面;以及第二再分布部,设置在密封层上,第二再分布部包括连接到导热层的第一上布线层,第二再分布部包括电连接到半导体芯片的第二上布线层。
-
公开(公告)号:CN106057747A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610110151.1
申请日:2016-02-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/42
Abstract: 公开了一种半导体封装件和一种制造该半导体封装件的方法,该半导体封装件包括:半导体芯片,在封装基底上;散热器,在半导体芯片上;模塑层;粘附膜,在半导体芯片和散热器之间;以及通孔,穿过散热器。散热器包括第一表面和第二表面。模塑层覆盖半导体芯片的侧壁和散热器的侧壁,且暴露散热器的第一表面。粘附膜在散热器的第二表面上。
-
公开(公告)号:CN105552041A
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201510701071.9
申请日:2015-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 张彦铢
IPC: H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本公开提供包括散热部的半导体封装。半导体封装包括具有下基板和下半导体芯片的下封装。散热部邻近于下封装的一侧提供并覆盖下半导体芯片的一部分,上封装在下封装上并与散热部横向地间隔开。
-
-
-
-
-