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公开(公告)号：CN109962043B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201811561644.2
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367
Abstract: 提供了一种电子装置，包括：基板、设置在基板上的第一电子产品、布置在基板上并与第一电子产品间隔开的第二电子产品，以及覆盖第一电子产品和第二电子产品的散热组件，散热组件包括具有气密密封空间的散热腔室，所述散热腔室具有第一部分和第二部分，第一部分具有其中设置有可流动的散热流体的一个或更多个间隙，第二部分中设置有阻止散热流体流过第二部分的实心导热部件。散热腔室的第一部分具有第一热导率并且在所述电子装置的俯视图中与第一电子产品交叠，实心导热部件具有小于第一热导率的第二热导率，实心导热部件在俯视图中与第二电子产品交叠，在俯视图中，实心导热部件与第二电子产品的交叠面积大于第二电子产品的面积的50％。
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公开(公告)号：CN110098162A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201811580748.8
申请日：2018-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31
Abstract: 提供了一种包括导热层的半导体封装件。所述半导体封装件包括：半导体芯片，具有作为有效表面的第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一再分布部，设置在第一表面上，第一再分布部包括电连接到半导体芯片的下布线层；导热层，设置在半导体芯片的第二表面上；密封层，围绕半导体芯片的侧表面和导热层的侧表面；以及第二再分布部，设置在密封层上，第二再分布部包括连接到导热层的第一上布线层，第二再分布部包括电连接到半导体芯片的第二上布线层。
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公开(公告)号：CN109962043A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811561644.2
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367
Abstract: 提供了一种电子装置，包括：基板、设置在基板上的第一电子产品、布置在基板上并与第一电子产品间隔开的第二电子产品，以及覆盖第一电子产品和第二电子产品的散热组件，散热组件包括具有气密密封空间的散热腔室，所述散热腔室具有第一部分和第二部分，第一部分具有其中设置有可流动的散热流体的一个或更多个间隙，第二部分中设置有阻止散热流体流过第二部分的实心导热部件。散热腔室的第一部分具有第一热导率并且在所述电子装置的俯视图中与第一电子产品交叠，实心导热部件具有小于第一热导率的第二热导率，实心导热部件在俯视图中与第二电子产品交叠，在俯视图中，实心导热部件与第二电子产品的交叠面积大于第二电子产品的面积的50％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108735770A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810310753.0
申请日：2018-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/148 , H01L25/18
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装件，其包括：衬底上的第一半导体芯片；第二半导体芯片，其位于衬底上并且与第一半导体装置间隔开；模制层，其位于衬底上并且覆盖第一半导体芯片的侧部和第二半导体芯片的侧部；以及图像传感器单元，其位于第一半导体芯片、第二半导体芯片和模制层上。图像传感器单元电连接至第一半导体芯片。
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公开(公告)号：CN109411489B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201810916454.1
申请日：2018-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/34
Abstract: 提供了一种芯片结构和芯片结构操作方法。芯片结构包括：第一下芯片结构；和上芯片结构，其位于第一下芯片结构上并且具有像素阵列区。第一下芯片结构包括：第一下半导体衬底，其具有彼此相对的第一侧和第二侧；第一部分，其位于第一下半导体衬底的第一侧上；以及第二部分，其位于第一下半导体衬底的第二侧上，第一下芯片结构的第一部分包括栅极布线，第一下芯片结构的第二部分包括第二侧布线和加热元件，并且加热元件与第二侧布线位于相同平面上，并且加热元件的长度大于第二侧布线的长度。
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公开(公告)号：CN111223853A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911163580.5
申请日：2019-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/98
Abstract: 一种半导体封装包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，贴附到第一半导体芯片的上表面；硅散热体，热连接到第一半导体芯片和第二半导体芯片中的至少一个；以及模制构件，被配置为围绕第一半导体芯片和第二半导体芯片并暴露硅散热体的上表面。
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公开(公告)号：CN108735770B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201810310753.0
申请日：2018-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/148 , H10B80/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装件，其包括：衬底上的第一半导体芯片；第二半导体芯片，其位于衬底上并且与第一半导体装置间隔开；模制层，其位于衬底上并且覆盖第一半导体芯片的侧部和第二半导体芯片的侧部；以及图像传感器单元，其位于第一半导体芯片、第二半导体芯片和模制层上。图像传感器单元电连接至第一半导体芯片。
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公开(公告)号：CN109411489A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201810916454.1
申请日：2018-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/34
Abstract: 提供了一种芯片结构和芯片结构操作方法。芯片结构包括：第一下芯片结构；和上芯片结构，其位于第一下芯片结构上并且具有像素阵列区。第一下芯片结构包括：第一下半导体衬底，其具有彼此相对的第一侧和第二侧；第一部分，其位于第一下半导体衬底的第一侧上；以及第二部分，其位于第一下半导体衬底的第二侧上，第一下芯片结构的第一部分包括栅极布线，第一下芯片结构的第二部分包括第二侧布线和加热元件，并且加热元件与第二侧布线位于相同平面上，并且加热元件的长度大于第二侧布线的长度。
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