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公开(公告)号：CN110277361B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN201910113884.4
申请日：2019-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金载春 , 金荣得 , 玄荣勋
IPC: H01L23/38 , H10N10/17
Abstract: 提供了一种热辐射装置、包括其的半导体封装件和半导体装置。热辐射装置包括半导体基板。第一电极设置在半导体基板上。第二电极设置在半导体基板上并与第一电极间隔开。第一贯穿电极设置在半导体基板中。第一贯穿电极电连接到第一电极。
公开(公告)号：CN110277361A
公开(公告)日：2019-09-24
IPC: H01L23/38 , H01L35/32
