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公开(公告)号：CN110676227A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910309072.7
申请日：2019-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L25/18 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体芯片包括半导体衬底。电极焊盘设置在半导体衬底上。电极焊盘包括低k材料层。第一保护层至少部分地围绕电极焊盘。第一保护层包括位于其上部的第一开口。缓冲焊盘电连接到电极焊盘。第二保护层至少部分地围绕缓冲焊盘。第二保护层包括位于其上部的第二开口。柱层和焊料层顺序地堆叠在缓冲焊盘上。缓冲焊盘的厚度大于电极焊盘的厚度。第一开口在平行于半导体衬底的上表面的第一方向上的宽度等于或大于第二开口在第一方向上的宽度。
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