公开(公告)号：CN115132698A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210063164.3

申请日：2022-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄善宽 ,  金泰成 ,  罗勋奏 ,  文光辰 ,  全炯俊

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 可以提供一种半导体器件，包括：半导体衬底；集成电路层，在半导体衬底上；第一至第n金属布线层(其中n为正整数)，顺序堆叠在半导体衬底和集成电路层上；第一贯通孔结构，沿竖直方向从第一过孔连接金属布线层向半导体衬底延伸并穿过半导体衬底，该第一过孔连接金属布线层是除第一金属布线层之外的第二至第n金属布线层之一；以及第二贯通孔结构，与第一贯通孔结构分开，沿竖直方向从第二过孔连接金属布线层向半导体衬底延伸并穿过半导体衬底，该第二过孔连接金属布线层是除第一金属布线层之外的第二至第n金属布线层之一。

公开(公告)号：CN108022872A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201711057851.X

申请日：2017-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄善宽 ,  李镐珍 ,  文光辰 ,  朴炳律 ,  安振镐 ,  李来寅

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065

Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片的插塞结构、其制造方法以及包括其的多芯片封装。该半导体芯片的插塞结构包括：基板；设置在基板上的绝缘夹层；其中绝缘夹层包括设置在其中的焊盘结构；穿过基板和绝缘夹层的通孔，其中通孔暴露焊盘结构；形成在通孔的内表面上的绝缘图案，其中绝缘图案包括掩埋部分，掩埋部分填充在通孔的内表面处在基板中设置的凹口；以及形成在通孔内在绝缘图案上的插塞，其中插塞与焊盘结构电连接。

公开(公告)号：CN102074497B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201010525017.0

申请日：2010-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄善宽 ,  李仁荣 ,  李镐珍 ,  张东铉

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/98 ,  H01L23/535

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/9201 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片和晶片堆叠封装件的制造方法，所述半导体芯片的制造方法包括以下步骤：在基底的前表面中形成第一通孔；利用第一导电材料在第一通孔中形成第一导电塞，第一导电塞包括在基底中的第一部分和从基底突出的第二部分；利用第二导电材料在第一导电塞的上表面上形成第二导电塞，第二导电塞的横截面面积小于第一导电塞；对基底的后表面进行背部减薄；在基底的经过背部减薄的后表面中形成第二通孔，第二通孔与第一通孔对准。

公开(公告)号：CN115332233A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210506082.1

申请日：2022-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全炯俊 ,  文光辰 ,  朴明珠 ,  李学承 ,  黄善宽

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件包括：分别位于衬底的第一表面和第二表面上的正面结构和背面结构；以及贯穿衬底的第一贯通电极和第二贯通电极。正面结构包括电路器件、第一水平处的第一正面导电图案、第二水平处的第二正面导电图案、下绝缘结构、以及第一绝缘结构至第三绝缘结构。背面结构包括位于相同水平的第一背面导电图案和第二背面导电图案。第一贯通电极接触第一背面导电图案和第一正面导电图案。第二贯通电极接触第二背面导电图案和第二正面导电图案。第一正面导电图案贯穿第三绝缘结构的至少一部分和第二绝缘结构。

公开(公告)号：CN101937892B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201010108463.1

申请日：2010-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镐珍 ,  张东铉 ,  李仁荣 ,  尹玟升 ,  黄善宽

IPC: H01L23/482 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60 ,  G11C7/10

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供了一种半导体芯片、制造该半导体芯片的方法、包括该半导体芯片的堆叠模块和存储卡，其中，所述半导体芯片包括第一表面和面对第一表面的第二表面。至少一个通孔包括在从基底的第一表面向着基底的第二表面的方向延伸的第一部分以及连接到第一部分并且具有锥形形状的第二部分。提供了填充所述至少一个通孔的至少一个通孔电极。

公开(公告)号：CN103426847A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310175220.3

申请日：2013-05-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄善宽 ,  朴炳律 ,  郑显秀 ,  千镇豪 ,  崔吉铉

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L2924/0002 ,  H05K2201/09563 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括在衬底的表面上的绝缘层、垂直通过衬底和绝缘层且暴露于绝缘层上的通孔结构、以及在暴露的通孔结构的表面上的通孔焊盘。通孔焊盘包括通孔焊盘本体、在通孔焊盘本体下面且突出到绝缘层中并围绕通孔结构的通孔焊盘嵌件。通孔焊盘本体和通孔焊盘嵌件包括直接在绝缘层上的通孔焊盘阻挡层和在通孔焊盘阻挡层上的通孔焊盘金属层。

公开(公告)号：CN102074497A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010525017.0

申请日：2010-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄善宽 ,  李仁荣 ,  李镐珍 ,  张东铉

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/98 ,  H01L23/535

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/9201 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片和晶片堆叠封装件的制造方法，所述半导体芯片的制造方法包括以下步骤：在基底的前表面中形成第一通孔；利用第一导电材料在第一通孔中形成第一导电塞，第一导电塞包括在基底中的第一部分和从基底突出的第二部分；利用第二导电材料在第一导电塞的上表面上形成第二导电塞，第二导电塞的横截面面积小于第一导电塞；对基底的后表面进行背部减薄；在基底的经过背部减薄的后表面中形成第二通孔，第二通孔与第一通孔对准。

公开(公告)号：CN101937892A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010108463.1

申请日：2010-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镐珍 ,  张东铉 ,  李仁荣 ,  尹玟升 ,  黄善宽

IPC: H01L23/482 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60 ,  G11C7/10

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供了一种半导体芯片、制造该半导体芯片的方法、包括该半导体芯片的堆叠模块和存储卡，其中，所述半导体芯片包括第一表面和面对第一表面的第二表面。至少一个通孔包括在从基底的第一表面向着基底的第二表面的方向延伸的第一部分以及连接到第一部分并且具有锥形形状的第二部分。提供了填充所述至少一个通孔的至少一个通孔电极。