公开(公告)号：CN118943133A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410201064.1

申请日：2024-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴明珠 ,  全炯俊 ,  姜泌圭

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31

Abstract: 示例半导体封装包括：结构；第一半导体芯片，设置在结构的上表面上，并且电连接到结构；虚设半导体芯片，设置在结构的上表面上，并且与结构的上表面接触；模制层，在结构的上表面上围绕第一半导体芯片的侧壁和虚设半导体芯片的侧壁；重分布层，设置在第一半导体芯片的上表面、虚设半导体芯片的上表面、以及模制层的上表面上；第一通孔，沿竖直方向延伸穿过模制层，并且将结构和重分布层电连接；第二通孔，沿竖直方向延伸穿过虚设半导体芯片，并且将结构和重分布层电连接；以及电容器，设置在虚设半导体芯片内部。

公开(公告)号：CN112242365B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202010098518.9

申请日：2020-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴明珠 ,  黄载元 ,  文光辰 ,  朴建相

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/18 ,  H10B80/00 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：基底；第一贯穿基底过孔，被构造为至少部分地穿透基底，第一贯穿基底过孔具有第一高宽比；以及第二贯穿基底过孔，被构造为至少部分地穿透基底。第二贯穿基底过孔具有大于第一高宽比的第二高宽比，并且第一贯穿基底过孔和第二贯穿基底过孔中的每个包括第一导电层和第二导电层。第一贯穿基底过孔的第一导电层在竖直方向上的厚度小于第二贯穿基底过孔的第一导电层在竖直方向上的厚度。

公开(公告)号：CN118899311A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410201980.5

申请日：2024-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴明珠 ,  黄载元 ,  李镐珍

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/538 ,  H01L29/417

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，该衬底包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面；有源图案，在衬底的第一表面上并沿第二方向延伸；场绝缘膜，在衬底的第一表面上并覆盖有源图案的侧壁；电力轨，在衬底的第二表面上并沿第二方向延伸；过孔沟槽，在有源图案的一侧并穿过场绝缘膜；以及电力轨过孔，填充过孔沟槽并连接到电力轨，其中，电力轨过孔包括：第一子膜，形成为单层膜；以及第二子膜，在第一子膜上，并且包括沿过孔沟槽的内侧壁延伸的阻挡膜、以及阻挡膜之间的填充膜。

公开(公告)号：CN115332233A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210506082.1

申请日：2022-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全炯俊 ,  文光辰 ,  朴明珠 ,  李学承 ,  黄善宽

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件包括：分别位于衬底的第一表面和第二表面上的正面结构和背面结构；以及贯穿衬底的第一贯通电极和第二贯通电极。正面结构包括电路器件、第一水平处的第一正面导电图案、第二水平处的第二正面导电图案、下绝缘结构、以及第一绝缘结构至第三绝缘结构。背面结构包括位于相同水平的第一背面导电图案和第二背面导电图案。第一贯通电极接触第一背面导电图案和第一正面导电图案。第二贯通电极接触第二背面导电图案和第二正面导电图案。第一正面导电图案贯穿第三绝缘结构的至少一部分和第二绝缘结构。

公开(公告)号：CN112242365A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010098518.9

申请日：2020-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴明珠 ,  黄载元 ,  文光辰 ,  朴建相

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/18 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：基底；第一贯穿基底过孔，被构造为至少部分地穿透基底，第一贯穿基底过孔具有第一高宽比；以及第二贯穿基底过孔，被构造为至少部分地穿透基底。第二贯穿基底过孔具有大于第一高宽比的第二高宽比，并且第一贯穿基底过孔和第二贯穿基底过孔中的每个包括第一导电层和第二导电层。第一贯穿基底过孔的第一导电层在竖直方向上的厚度小于第二贯穿基底过孔的第一导电层在竖直方向上的厚度。

公开(公告)号：CN114068454A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110549061.3

申请日：2021-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐柱斌 ,  文光辰 ,  朴建相 ,  朴明珠 ,  朴秀晶 ,  黄载元

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种半导体器件和一种半导体封装件。所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有彼此相对的第一表面和第二表面；有源图案，所述有源图案从所述半导体衬底的所述第一表面突出，所述有源图案包括源极/漏极区；电源轨，所述电源轨电连接到所述源极/漏极区；电力配送网络，所述电力配送网络设置在所述半导体衬底的所述第二表面上；和穿透通路结构，所述穿透通路结构穿透所述半导体衬底并且电连接到所述电源轨和所述电力配送网络。所述穿透通路结构包括：第一导电图案，所述第一导电图案电连接到所述电源轨；和第二导电图案，所述第二导电图案电连接到所述电力配送网络。所述第一导电图案包括与所述第二导电图案不同的材料。

公开(公告)号：CN112447641A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010511762.3

申请日：2020-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄载元 ,  金镇南 ,  文光辰 ,  朴建相 ,  朴明珠

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L25/07

Abstract: 本公开的多个方面涉及一种半导体器件，所述半导体器件包括：晶体基底，具有在竖直方向上彼此背对的第一表面和第二表面；以及绝缘层，设置在晶体基底的第一表面上。半导体器件还可以包括：蚀刻停止层，插置在晶体基底与绝缘层之间并且接触晶体基底和绝缘层；以及导电通孔结构，穿透晶体基底和绝缘层。半导体器件还可以包括绝缘分隔层，所述绝缘分隔层与导电通孔结构水平相邻地设置，并具有内壁和外壁。绝缘分隔层可以包括设置在导电通孔结构与晶体基底之间的第一部分和设置在导电通孔结构与蚀刻停止层之间的第二部分。