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公开(公告)号：CN1147095C
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN00118315.X
申请日：2000-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 黄载元
CPC classification number: H04M7/006 , H04M3/42314 , H04M7/0096 , H04M7/12 , H04M2207/20 , H04Q3/62 , H04Q2213/13096 , H04Q2213/13106 , H04Q2213/13196 , H04Q2213/1322 , H04Q2213/1329 , H04Q2213/13389
Abstract: 一种用于将专用小交换机与异步传递方式网络接口的装置，包括：电路交换机部件，用于建立异步传递方式通信信道，以便连接所述异步传递方式网络和请求对所述异步传递方式网络接入的用户；和异步传递方式网络交换机部件，用于将来自所述异步传递方式通信信道的信令信息转换为加到所述异步传递方式网络上的对应的异步传递方式网络信元。其中，所述异步传递方式网络交换机部件还包括：准同步接口单元，用于将来自所述中继部件的所述E1帧转换为相应的异步传递方式网络信元；异步传递方式网络接口单元，用于建立交换虚拟信道，以便将所述异步传递方式网络信元传输到所述异步传递方式网络。
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公开(公告)号：CN114068454A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110549061.3
申请日：2021-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/528
Abstract: 提供了一种半导体器件和一种半导体封装件。所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有彼此相对的第一表面和第二表面；有源图案，所述有源图案从所述半导体衬底的所述第一表面突出，所述有源图案包括源极/漏极区；电源轨，所述电源轨电连接到所述源极/漏极区；电力配送网络，所述电力配送网络设置在所述半导体衬底的所述第二表面上；和穿透通路结构，所述穿透通路结构穿透所述半导体衬底并且电连接到所述电源轨和所述电力配送网络。所述穿透通路结构包括：第一导电图案，所述第一导电图案电连接到所述电源轨；和第二导电图案，所述第二导电图案电连接到所述电力配送网络。所述第一导电图案包括与所述第二导电图案不同的材料。
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公开(公告)号：CN112447641A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010511762.3
申请日：2020-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L25/07
Abstract: 本公开的多个方面涉及一种半导体器件，所述半导体器件包括：晶体基底，具有在竖直方向上彼此背对的第一表面和第二表面；以及绝缘层，设置在晶体基底的第一表面上。半导体器件还可以包括：蚀刻停止层，插置在晶体基底与绝缘层之间并且接触晶体基底和绝缘层；以及导电通孔结构，穿透晶体基底和绝缘层。半导体器件还可以包括绝缘分隔层，所述绝缘分隔层与导电通孔结构水平相邻地设置，并具有内壁和外壁。绝缘分隔层可以包括设置在导电通孔结构与晶体基底之间的第一部分和设置在导电通孔结构与蚀刻停止层之间的第二部分。
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公开(公告)号：CN101163185A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710180979.5
申请日：2007-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 黄载元
CPC classification number: H04N5/76 , H04N5/765 , H04N9/8205
Abstract: 一种成像设备，包括：图像处理单元；显示部分，显示多个文件；输入部分，接收关于至少一个文件的至少一个索引信息；存储部分，将文件及接收的索引信息一起存储；控制部分，根据接收的索引信息对文件进行分类，并控制图像处理单元处理包括选择的索引信息的文件。
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公开(公告)号：CN1277511A
公开(公告)日：2000-12-20
申请号：CN00118315.X
申请日：2000-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 黄载元
CPC classification number: H04M7/006 , H04M3/42314 , H04M7/0096 , H04M7/12 , H04M2207/20 , H04Q3/62 , H04Q2213/13096 , H04Q2213/13106 , H04Q2213/13196 , H04Q2213/1322 , H04Q2213/1329 , H04Q2213/13389
Abstract: 一种将PBX与ATM网络接口的装置包括:电路交换机部件,用于建立ATM通信信道,以便连接ATM网络和请求对该ATM网络接入的用户;和ATM网络交换机部分,用于将来自所述ATM通信信道的信令信息转换为加到该ATM网络上的对应ATM网络信元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112242365B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202010098518.9
申请日：2020-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L25/18 , H10B80/00 , H01L21/768
Abstract: 公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：基底；第一贯穿基底过孔，被构造为至少部分地穿透基底，第一贯穿基底过孔具有第一高宽比；以及第二贯穿基底过孔，被构造为至少部分地穿透基底。第二贯穿基底过孔具有大于第一高宽比的第二高宽比，并且第一贯穿基底过孔和第二贯穿基底过孔中的每个包括第一导电层和第二导电层。第一贯穿基底过孔的第一导电层在竖直方向上的厚度小于第二贯穿基底过孔的第一导电层在竖直方向上的厚度。
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公开(公告)号：CN118899311A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410201980.5
申请日：2024-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L23/538 , H01L29/417
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，该衬底包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面；有源图案，在衬底的第一表面上并沿第二方向延伸；场绝缘膜，在衬底的第一表面上并覆盖有源图案的侧壁；电力轨，在衬底的第二表面上并沿第二方向延伸；过孔沟槽，在有源图案的一侧并穿过场绝缘膜；以及电力轨过孔，填充过孔沟槽并连接到电力轨，其中，电力轨过孔包括：第一子膜，形成为单层膜；以及第二子膜，在第一子膜上，并且包括沿过孔沟槽的内侧壁延伸的阻挡膜、以及阻挡膜之间的填充膜。
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公开(公告)号：CN119028996A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410436991.1
申请日：2024-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了一种半导体器件制造方法，包括：形成下芯片和上芯片；以及将下芯片和上芯片彼此接合。形成下芯片包括：提供下衬底；顺序地形成下层间绝缘膜和预下粘合膜；蚀刻预下粘合膜和下层间绝缘膜的部分以形成下沟槽；使用溅射工艺来形成第一下籽晶膜和第二下籽晶膜。形成上芯片包括：提供上衬底；顺序地形成上层间绝缘膜和预上层粘合膜；蚀刻预上层粘合膜和上层间绝缘膜的部分以形成上沟槽；使用溅射工艺来形成第一上籽晶膜和第二上籽晶膜。
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公开(公告)号：CN115332206A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210112648.2
申请日：2022-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/528 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有与有源层相邻的第一表面；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述半导体衬底的所述第一表面上；第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层上；蚀刻停止结构，所述蚀刻停止结构介于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间并且包括多个蚀刻停止层；接触布线图案，所述接触布线图案设置在所述第二绝缘层内部并且被所述多个蚀刻停止层中的至少一个蚀刻停止层围绕；以及贯通电极结构，所述贯通电极结构被构造为在垂直方向上穿过所述半导体衬底、所述第一绝缘层和所述多个蚀刻停止层中的至少一个蚀刻停止层并且接触所述接触布线图案。
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公开(公告)号：CN112242365A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010098518.9
申请日：2020-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L25/18 , H01L21/768
Abstract: 公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：基底；第一贯穿基底过孔，被构造为至少部分地穿透基底，第一贯穿基底过孔具有第一高宽比；以及第二贯穿基底过孔，被构造为至少部分地穿透基底。第二贯穿基底过孔具有大于第一高宽比的第二高宽比，并且第一贯穿基底过孔和第二贯穿基底过孔中的每个包括第一导电层和第二导电层。第一贯穿基底过孔的第一导电层在竖直方向上的厚度小于第二贯穿基底过孔的第一导电层在竖直方向上的厚度。
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