公开(公告)号：CN119447097A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410448795.6

申请日：2024-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐柱斌 ,  林东灿 ,  朴秀晶 ,  李准京

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/498 ,  H10B80/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 一种半导体芯片结构包括多个半导体芯片。每个半导体芯片中包括的接合电极填充有纳米孪晶铜，并且接合电极的至少一部分中设置有细粒铜。

公开(公告)号：CN119028996A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410436991.1

申请日：2024-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李准京 ,  金泰成 ,  李镐珍 ,  林东灿 ,  黄载元

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开提供了一种半导体器件制造方法，包括：形成下芯片和上芯片；以及将下芯片和上芯片彼此接合。形成下芯片包括：提供下衬底；顺序地形成下层间绝缘膜和预下粘合膜；蚀刻预下粘合膜和下层间绝缘膜的部分以形成下沟槽；使用溅射工艺来形成第一下籽晶膜和第二下籽晶膜。形成上芯片包括：提供上衬底；顺序地形成上层间绝缘膜和预上层粘合膜；蚀刻预上层粘合膜和上层间绝缘膜的部分以形成上沟槽；使用溅射工艺来形成第一上籽晶膜和第二上籽晶膜。