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公开(公告)号：CN116705736A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310192515.5
申请日：2023-03-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/31 , H01L23/544 , H01L21/66 , H01L23/528
Abstract: 提供了一种半导体封装件。该半导体封装件包括：第一半导体衬底、在第一半导体衬底的上表面上的第一半导体元件层、在第一半导体元件层上的第一布线结构、连接至第一布线结构的第一连接焊盘、连接至第一布线结构的第一测试焊盘、连接至第一连接焊盘并且包括铜(Cu)的第一前侧键合焊盘、以及连接至第一前侧键合焊盘并且包括具有纳米孪晶晶体结构的铜(Cu)的第二前侧键合焊盘，所述纳米孪晶晶体结构与包括在第一前侧键合焊盘中的铜(Cu)的晶体结构不同，其中，第一前侧键合焊盘在水平方向上的宽度与第二前侧键合焊盘在水平方向上的宽度不同。
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公开(公告)号：CN110739290B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN201910633897.4
申请日：2019-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/48 , H01L21/768
Abstract: 提供了一种集成电路器件及其制造方法。集成电路器件包括：衬底；位于所述衬底上的接合焊盘；以及穿过所述衬底并连接到所述接合焊盘的贯穿通路结构。所述贯穿通路结构包括导电插塞、覆盖所述导电插塞的侧壁和下表面的第一导电阻挡层、以及覆盖所述第一导电阻挡层的侧壁的第二导电阻挡层。
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公开(公告)号：CN107507820B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201710447541.2
申请日：2017-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。其中在该半导体器件中，焊盘设置在衬底上。凸块结构设置在焊盘上并电连接到焊盘。凸块结构包括顺序地堆叠在焊盘上的第一铜层和第二铜层以及在第二铜层上的焊料球。第一铜层的(111)面与(200)面的第一X射线衍射(XRD)峰值强度比大于第二铜层的(111)面与(200)面的第二XRD峰值强度比。
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公开(公告)号：CN110610913B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN201910508897.1
申请日：2019-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48
Abstract: 公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：导电图案，所述导电图案位于基板上；钝化层，所述钝化层位于所述基板上并包括部分地暴露所述导电图案的开口；以及焊盘结构，所述焊盘结构设置在所述钝化层上以及所述钝化层的所述开口中并连接到所述导电图案。所述焊盘结构包括填充所述钝化层的所述开口且宽度大于所述开口的宽度的第一金属层和位于所述第一金属层上的第二金属层。所述第一金属层在所述第一金属层的外壁处具有第一厚度，在所述钝化层的顶表面上具有第二厚度以及在所述导电图案的顶表面上具有第三厚度。所述第二厚度大于所述第一厚度，并且所述第三厚度大于所述第二厚度。
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公开(公告)号：CN111162048A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201910627454.4
申请日：2019-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 提供一种具有贯穿硅通路的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：第一绝缘中间层，所述第一绝缘中间层设置在衬底的第一表面上；焊盘图案，所述焊盘图案设置在所述第一绝缘中间层的下表面上，所述焊盘图案包括第一铜图案；以及贯穿硅通路，所述贯穿硅通路穿过所述衬底和所述第一绝缘中间层，并接触所述焊盘图案的所述第一铜图案。所述贯穿硅通路包括穿过所述衬底和所述第一绝缘中间层的第一部分，以及在所述第一部分下方并延伸到所述焊盘图案中的所述第一铜图案的一部分的第二部分。所述贯穿硅通路具有在所述第一部分与所述第二部分之间的边界处的弯曲部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111162048B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN201910627454.4
申请日：2019-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 提供一种具有贯穿硅通路的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：第一绝缘中间层，所述第一绝缘中间层设置在衬底的第一表面上；焊盘图案，所述焊盘图案设置在所述第一绝缘中间层的下表面上，所述焊盘图案包括第一铜图案；以及贯穿硅通路，所述贯穿硅通路穿过所述衬底和所述第一绝缘中间层，并接触所述焊盘图案的所述第一铜图案。所述贯穿硅通路包括穿过所述衬底和所述第一绝缘中间层的第一部分，以及在所述第一部分下方并延伸到所述焊盘图案中的所述第一铜图案的一部分的第二部分。所述贯穿硅通路具有在所述第一部分与所述第二部分之间的边界处的弯曲部分。
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公开(公告)号：CN110875261A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910476618.8
申请日：2019-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 可提供一种具有凸块结构的半导体器件和半导体封装件。所述半导体器件包括：基板，其包括在所述基板的第一表面上的第一导电焊盘；在所述第一导电焊盘上的至少一个第一凸块结构，所述第一凸块结构包括第一连接件和第一分层防止层，所述第一分层防止层位于所述第一连接件上并且比第一连接件具有更大的硬度；以及第一密封件，其在所述基板的第一表面上方并且围绕所述第一凸块结构。
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公开(公告)号：CN107507820A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710447541.2
申请日：2017-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。其中在该半导体器件中，焊盘设置在衬底上。凸块结构设置在焊盘上并电连接到焊盘。凸块结构包括顺序地堆叠在焊盘上的第一铜层和第二铜层以及在第二铜层上的焊料球。第一铜层的(111)面与(200)面的第一X射线衍射(XRD)峰值强度比大于第二铜层的(111)面与(200)面的第二XRD峰值强度比。
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公开(公告)号：CN119447097A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410448795.6
申请日：2024-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L23/498 , H10B80/00 , B82Y30/00
Abstract: 一种半导体芯片结构包括多个半导体芯片。每个半导体芯片中包括的接合电极填充有纳米孪晶铜，并且接合电极的至少一部分中设置有细粒铜。
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公开(公告)号：CN114068454A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110549061.3
申请日：2021-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/528
Abstract: 提供了一种半导体器件和一种半导体封装件。所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有彼此相对的第一表面和第二表面；有源图案，所述有源图案从所述半导体衬底的所述第一表面突出，所述有源图案包括源极/漏极区；电源轨，所述电源轨电连接到所述源极/漏极区；电力配送网络，所述电力配送网络设置在所述半导体衬底的所述第二表面上；和穿透通路结构，所述穿透通路结构穿透所述半导体衬底并且电连接到所述电源轨和所述电力配送网络。所述穿透通路结构包括：第一导电图案，所述第一导电图案电连接到所述电源轨；和第二导电图案，所述第二导电图案电连接到所述电力配送网络。所述第一导电图案包括与所述第二导电图案不同的材料。
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