公开(公告)号：CN117524994A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202310807708.7

申请日：2023-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟淏 ,  姜圭浩 ,  朴成根 ,  裵晟训 ,  郑载穆 ,  崔朱逸

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开涉及一种半导体封装及其制造方法。该半导体封装包括：第一基板；在第一基板上的半导体芯片；与第一基板间隔开的第二基板；引线，与半导体芯片的侧表面间隔开并将第一基板连接到第二基板；模制结构，在半导体芯片的顶表面、半导体芯片的侧表面和引线的侧表面上；以及底部填充图案，在引线的侧表面上并且在引线和模制结构之间。

公开(公告)号：CN109300871A

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201810794961.2

申请日：2018-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱逸 ,  文光辰 ,  徐柱斌 ,  林东灿 ,  藤崎纯史 ,  李镐珍

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/48 ,  H01L25/065

Abstract: 一种半导体器件包括：在基板上的导电部件；钝化层，在基板上并且包括暴露导电部件的至少一部分的开口；以及焊盘结构，在开口中并且位于钝化层上，焊盘结构电连接到导电部件。焊盘结构包括：在开口的内侧壁上共形地延伸的下导电层，下导电层包括顺序地堆叠的导电阻挡层、第一籽晶层、蚀刻停止层和第二籽晶层；第一焊盘层，在下导电层上并且至少部分地填充开口；以及第二焊盘层，在第一焊盘层上并且与下导电层的位于钝化层的顶表面上的外围部分接触。

公开(公告)号：CN102479808A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110380604.X

申请日：2011-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 皮在贤 ,  李宜珩 ,  崔朱逸 ,  金晶焕

IPC: H01L29/41 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/0657 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。根据本发明构思的半导体器件可以包括衬底，该衬底具有带有电路图案的上表面、与所述上表面相对的下表面和穿过所述衬底的穿透电极。所述穿透电极可以包括从所述下表面突出的突出部分。所述衬底可以包括支撑部分，该支撑部分从所述下表面朝向所述突出部分延伸以围绕所述突出部分的周向侧面。

公开(公告)号：CN111162048B

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN201910627454.4

申请日：2019-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐柱斌 ,  朴秀晶 ,  金泰成 ,  文光辰 ,  林东灿 ,  崔朱逸

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 提供一种具有贯穿硅通路的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：第一绝缘中间层，所述第一绝缘中间层设置在衬底的第一表面上；焊盘图案，所述焊盘图案设置在所述第一绝缘中间层的下表面上，所述焊盘图案包括第一铜图案；以及贯穿硅通路，所述贯穿硅通路穿过所述衬底和所述第一绝缘中间层，并接触所述焊盘图案的所述第一铜图案。所述贯穿硅通路包括穿过所述衬底和所述第一绝缘中间层的第一部分，以及在所述第一部分下方并延伸到所述焊盘图案中的所述第一铜图案的一部分的第二部分。所述贯穿硅通路具有在所述第一部分与所述第二部分之间的边界处的弯曲部分。

公开(公告)号：CN117729779A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202310566432.8

申请日：2023-05-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜芸炳 ,  秦正起 ,  姜吉万 ,  崔朱逸 ,  韩东彻

IPC: H10B80/00 ,  H01L23/488

Abstract: 一种半导体封装，包括：第一重分布结构；第一半导体芯片，在第一重分布结构上并包括第一贯通电极；第二半导体芯片，在第一半导体芯片上并包括与第一半导体芯片竖直重叠的中心部分和从第一半导体芯片的侧壁水平偏移的外部部分；模制层，与第一重分布结构、第一半导体芯片和第二半导体芯片接触；第二重分布结构，在第二半导体芯片和模制层上；第一竖直连接布线，延伸穿过模制层并从第一重分布结构延伸到第二重分布结构；以及第二竖直连接布线，延伸穿过模制层并从第一重分布结构延伸到第二半导体芯片的外部部分。

公开(公告)号：CN117650115A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311129463.3

申请日：2023-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱逸 ,  朴钟淏 ,  吴常赫 ,  李在永 ,  郑载穆 ,  许洪瑞

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L23/373 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体封装可以包括第一再分布结构、在第一再分布结构上的第一半导体芯片、覆盖第一半导体芯片的第一模制层、在第一再分布结构上并在垂直方向上延伸同时穿过第一模制层的第一连接结构、在第一半导体芯片上的第二再分布结构、在第二再分布结构上的第二半导体芯片、以及在第二半导体芯片上的金属层。金属层可以与第二半导体芯片的上表面接触。

公开(公告)号：CN113540013A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202011412819.0

申请日：2020-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴点龙 ,  宋乺智 ,  安振镐 ,  秦正起 ,  千镇豪 ,  崔朱逸

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/768 ,  H01L25/18

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：过孔钝化层，设置在基底的非活性表面上并且包括凹部；贯穿电极，竖直穿透基底和过孔钝化层；以及过孔保护层，与过孔钝化层和贯穿电极共面并且填充所述凹部。所述凹部形成在过孔钝化层的顶表面中并且设置为与贯穿电极相邻。在水平剖视图中，过孔保护层具有围绕贯穿电极的带状。

公开(公告)号：CN112310002A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010644781.3

申请日：2020-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 秦正起 ,  朴点龙 ,  安振镐 ,  郑泰和 ,  千镇豪 ,  崔朱逸 ,  藤崎纯史

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535

Abstract: 一种半导体封装包括：包括芯片焊盘的半导体芯片；在半导体芯片上的下再分布结构，该下再分布结构包括下再分布绝缘层和电连接到半导体芯片的芯片焊盘的下再分布图案；在半导体芯片的至少一部分上的模制层；以及在模制层中的导电柱，该导电柱具有底表面和顶表面，该导电柱的底表面与下再分布结构的下再分布图案接触，并且该导电柱的顶表面具有凹入的形状。

公开(公告)号：CN106548997B

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201610805906.X

申请日：2016-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐善京 ,  柳承官 ,  崔朱逸 ,  赵泰济 ,  权容焕

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 公开了一种电子器件和一种半导体器件。所述电子器件包括其上具有电气导电的接触焊盘的基底和在接触焊盘上的电气导电的连接端子。连接端子包括导电柱结构和在柱结构上延伸并且与柱结构的侧壁的突出部分接触的焊料层。柱结构可包括下柱层、在下柱层上的扩散阻挡层和在扩散阻挡层上的上柱层。在发明的一些附加实施例中，柱结构的侧壁的突出部分包括扩散阻挡层的上表面的最外侧部分。这可通过使扩散阻挡层的宽度当在横向剖面上观察时大于上柱层的宽度来获得。

公开(公告)号：CN110875261A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910476618.8

申请日：2019-06-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐柱斌 ,  李东勋 ,  崔朱逸 ,  朴秀晶 ,  林东燦

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 可提供一种具有凸块结构的半导体器件和半导体封装件。所述半导体器件包括：基板，其包括在所述基板的第一表面上的第一导电焊盘；在所述第一导电焊盘上的至少一个第一凸块结构，所述第一凸块结构包括第一连接件和第一分层防止层，所述第一分层防止层位于所述第一连接件上并且比第一连接件具有更大的硬度；以及第一密封件，其在所述基板的第一表面上方并且围绕所述第一凸块结构。