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公开(公告)号：CN117650115A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311129463.3
申请日：2023-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/482 , H01L23/485 , H01L23/373 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体封装可以包括第一再分布结构、在第一再分布结构上的第一半导体芯片、覆盖第一半导体芯片的第一模制层、在第一再分布结构上并在垂直方向上延伸同时穿过第一模制层的第一连接结构、在第一半导体芯片上的第二再分布结构、在第二再分布结构上的第二半导体芯片、以及在第二半导体芯片上的金属层。金属层可以与第二半导体芯片的上表面接触。
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