公开(公告)号：CN117524994A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202310807708.7

申请日：2023-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟淏 ,  姜圭浩 ,  朴成根 ,  裵晟训 ,  郑载穆 ,  崔朱逸

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开涉及一种半导体封装及其制造方法。该半导体封装包括：第一基板；在第一基板上的半导体芯片；与第一基板间隔开的第二基板；引线，与半导体芯片的侧表面间隔开并将第一基板连接到第二基板；模制结构，在半导体芯片的顶表面、半导体芯片的侧表面和引线的侧表面上；以及底部填充图案，在引线的侧表面上并且在引线和模制结构之间。

公开(公告)号：CN112310064B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202010431111.3

申请日：2020-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟淏 ,  金承焕 ,  吴晙荣 ,  高炅焕 ,  金祥洙 ,  张童柱

IPC: H10B80/00 ,  H10D80/30 ,  H01L23/24 ,  H01L23/13 ,  H01L21/56 ,  H01L21/54 ,  H01L21/48

Abstract: 一种半导体封装件包括：第一封装件；第二封装件，所述第二封装件位于所述第一封装件上，所述第二封装件包括第二封装基板、位于所述第二封装基板上的第一半导体芯片和第二半导体芯片以及位于所述第二封装基板上并覆盖所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的第二模制部件；填充部件，所述填充部件位于所述第一封装件和所述第二封装件之间；第一通孔，所述第一通孔穿透所述第二封装基板，所述第一通孔位于所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间；第二通孔，所述第二通孔穿透所述第二模制部件，所述第二通孔连接到所述第一通孔，其中，所述填充部件具有设置在所述第一通孔和所述第二通孔中的延伸部。

公开(公告)号：CN117650115A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311129463.3

申请日：2023-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱逸 ,  朴钟淏 ,  吴常赫 ,  李在永 ,  郑载穆 ,  许洪瑞

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L23/373 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体封装可以包括第一再分布结构、在第一再分布结构上的第一半导体芯片、覆盖第一半导体芯片的第一模制层、在第一再分布结构上并在垂直方向上延伸同时穿过第一模制层的第一连接结构、在第一半导体芯片上的第二再分布结构、在第二再分布结构上的第二半导体芯片、以及在第二半导体芯片上的金属层。金属层可以与第二半导体芯片的上表面接触。

公开(公告)号：CN115831910A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211131604.0

申请日：2022-09-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜圭浩 ,  朴钟淏 ,  裴晟训 ,  秦正起 ,  崔朱逸 ,  藤崎纯史

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体设备包括：第一重分布基板、位于第一重分布基板的顶表面上的半导体芯片、位于第一重分布基板的顶表面上并与半导体芯片横向隔开的导电结构、以及位于第一重分布基板上并覆盖半导体芯片的侧壁和导电结构的侧壁的模塑层。导电结构包括具有第一侧壁的第一导电结构和位于第一导电结构的顶表面上并具有第二侧壁的第二导电结构。第一导电结构具有第一侧壁的下部的底切。第二导电结构具有第二侧壁的下部的突起。

公开(公告)号：CN115483189A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202210641665.5

申请日：2022-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱逸 ,  姜圭浩 ,  金禧媛 ,  朴世哲 ,  朴钟淏 ,  朴峻泳

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/485 ,  H01L23/367 ,  H05K1/18

Abstract: 公开了一种半导体封装件，其包括：中介基板，具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且包括与所述第一表面相邻的布线层；半导体芯片，位于所述中介基板的所述第一表面上；钝化层，位于所述中介基板的所述第一表面上，并且覆盖所述半导体芯片；以及再分布图案，位于所述钝化层中并且连接到所述半导体芯片。所述半导体芯片具有彼此相对的第三表面和第四表面。所述半导体芯片的所述第三表面面向所述中介基板的所述第一表面。所述再分布图案连接到所述半导体芯片的所述第四表面。所述半导体芯片包括与所述第三表面相邻的芯片焊盘和连接到所述芯片焊盘的芯片贯通电极。每个所述芯片焊盘直接接合到所述布线层中的对应的布线图案。

公开(公告)号：CN114256191A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202110920294.X

申请日：2021-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟淏 ,  金承焕 ,  吴准英 ,  金龙炫 ,  李镕官 ,  李贞雅

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H05K1/11 ,  H05K1/18

Abstract: 提供了一种半导体封装件和用于该半导体封装件的插入件。所述半导体封装件包括：第一封装件衬底；第一封装件衬底上的第一半导体芯片；第一封装件衬底上的第一导电连接器；以及插入件，所述插入件包括第一半导体芯片上的中心部分以及附着有第一导电连接器的外部分。插入件的中心部分包括底表面，所述底表面在垂直于第一封装件衬底的顶表面的竖直方向上从插入件的外部分的底表面限定凹陷部。插入件的外部分在竖直方向上的厚度大于插入件的中心部分在竖直方向上的厚度。

公开(公告)号：CN112310064A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010431111.3

申请日：2020-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟淏 ,  金承焕 ,  吴晙荣 ,  高炅焕 ,  金祥洙 ,  张童柱

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/24 ,  H01L23/13 ,  H01L21/56 ,  H01L21/54 ,  H01L21/48

Abstract: 一种半导体封装件包括：第一封装件；第二封装件，所述第二封装件位于所述第一封装件上，所述第二封装件包括第二封装基板、位于所述第二封装基板上的第一半导体芯片和第二半导体芯片以及位于所述第二封装基板上并覆盖所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的第二模制部件；填充部件，所述填充部件位于所述第一封装件和所述第二封装件之间；第一通孔，所述第一通孔穿透所述第二封装基板，所述第一通孔位于所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间；第二通孔，所述第二通孔穿透所述第二模制部件，所述第二通孔连接到所述第一通孔，其中，所述填充部件具有设置在所述第一通孔和所述第二通孔中的延伸部。