公开(公告)号：CN117650115A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311129463.3

申请日：2023-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱逸 ,  朴钟淏 ,  吴常赫 ,  李在永 ,  郑载穆 ,  许洪瑞

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L23/373 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体封装可以包括第一再分布结构、在第一再分布结构上的第一半导体芯片、覆盖第一半导体芯片的第一模制层、在第一再分布结构上并在垂直方向上延伸同时穿过第一模制层的第一连接结构、在第一半导体芯片上的第二再分布结构、在第二再分布结构上的第二半导体芯片、以及在第二半导体芯片上的金属层。金属层可以与第二半导体芯片的上表面接触。

公开(公告)号：CN117637656A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311092603.4

申请日：2023-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜圭浩 ,  朴亨俊 ,  裵晟训 ,  吴常赫 ,  郑光玉 ,  崔朱逸

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/482 ,  H01L23/49 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了一种半导体封装。该半导体封装包括：再分布结构，该再分布结构包括多个再分布导电图案、连接到所述多个再分布导电图案中的至少一个的多个导电通路、连接到所述多个导电通路的多个下焊盘、以及与所述多个再分布导电图案交替的多个再分布绝缘层；布置在再分布结构上的半导体芯片；以及附接到再分布结构的所述多个下焊盘的外部连接端子，其中所述多个再分布导电图案中的每个包括含铜的金属层、和布置在金属层的上表面上并包含铜和镍的表层。

公开(公告)号：CN117012747A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310139632.5

申请日：2023-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱逸 ,  姜周锡 ,  朴亨俊 ,  吴常赫 ,  李贤珠 ,  崔相烈

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了一种具有最大化散热效率的结构的半导体封装及其制造方法。该半导体封装包括：第一再分布衬底；第一半导体芯片，在第一再分布衬底上；多个通柱，在第一再分布衬底上并围绕第一半导体芯片；以及第二再分布衬底，位于第一半导体芯片和通柱之上，其中，第一半导体芯片的顶表面与第二再分布衬底的底表面接触。