公开(公告)号：CN103137173A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210507899.7

申请日：2012-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宰圭 ,  姜荣珉 ,  李贤珠

IPC: G11C5/02 ,  G11C8/08 ,  G11C8/14

CPC classification number: G11C8/10 ,  G11C8/08 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1659

Abstract: 本发明提供了高密度半导体存储器件。该器件可以包括：单元阵列区，包括下结构、上结构和选择结构，该选择结构插置在下结构与上结构之间并且包括多个字线；以及解码电路，用于控制施加到字线的电压。该解码电路可以配置为响应于输入到其的字线地址信息而将第一电压施加到彼此相邻的一对字线并且将不同于第一电压的第二电压施加到剩余的字线。

公开(公告)号：CN117012747A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310139632.5

申请日：2023-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱逸 ,  姜周锡 ,  朴亨俊 ,  吴常赫 ,  李贤珠 ,  崔相烈

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了一种具有最大化散热效率的结构的半导体封装及其制造方法。该半导体封装包括：第一再分布衬底；第一半导体芯片，在第一再分布衬底上；多个通柱，在第一再分布衬底上并围绕第一半导体芯片；以及第二再分布衬底，位于第一半导体芯片和通柱之上，其中，第一半导体芯片的顶表面与第二再分布衬底的底表面接触。

公开(公告)号：CN103137173B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201210507899.7

申请日：2012-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宰圭 ,  姜荣珉 ,  李贤珠

IPC: G11C5/02 ,  G11C8/08 ,  G11C8/14

CPC classification number: G11C8/10 ,  G11C8/08 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1659

Abstract: 本发明提供了高密度半导体存储器件。该器件可以包括：单元阵列区，包括下结构、上结构和选择结构，该选择结构插置在下结构与上结构之间并且包括多个字线；以及解码电路，用于控制施加到字线的电压。该解码电路可以配置为响应于输入到其的字线地址信息而将第一电压施加到彼此相邻的一对字线并且将不同于第一电压的第二电压施加到剩余的字线。

公开(公告)号：CN117364058A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202310258099.4

申请日：2023-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李贤珠 ,  金炳勋 ,  金玹彻 ,  李在珩 ,  孔炳焕

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 一种衬底处理装置可以包括：内管，提供竖直地延伸的工艺空间；外管，包围内管；供气管道，连接到工艺空间；以及舟皿，被配置为设置在工艺空间中。内管在第一位置处的第一内径可以与内管在第二位置处的第二内径不同，并且第二位置的高度可以高于第一位置的高度。