公开(公告)号：CN115706088A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210944734.X

申请日：2022-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱逸 ,  姜芸炳 ,  朴世哲 ,  尹孝镇 ,  郑泰和 ,  藤崎纯史

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367 ,  H01L23/544 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体封装包括：半导体芯片，该半导体芯片包括围绕第一接合焊盘结构和第二接合焊盘结构中的每个的至少一部分的第二接合绝缘层，其中第一接合焊盘结构包括第一接触部分、第一接合焊盘以及设置在第一接合焊盘和第一接触部分之间并在第一方向上延伸的第一籽晶层，第二接合焊盘结构包括第二接触部分、第二接合焊盘以及设置在第二接合焊盘和第二接触部分之间并在第一方向上延伸的第二籽晶层，并且第二接合绝缘层与第一籽晶层和第二籽晶层以及第一接合焊盘和第二接合焊盘中的每个的侧表面接触。

公开(公告)号：CN115602640A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210489897.3

申请日：2022-05-06

Applicant: 三星电子株式会社(KR)

Inventor： 李亨周 ,  姜芸炳 ,  朴世哲 ,  朴商植 ,  尹孝镇 ,  李泽勋 ,  崔朱逸

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/16 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体封装，包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片上；底部填充材料层，介于第一半导体芯片和第二半导体芯片之间；以及第一坝体结构，设置在第一半导体芯片上。第一坝体结构沿第二半导体芯片的边缘延伸并且包括彼此间隔开且其间具有狭缝的单元坝体结构。第一坝体结构的上表面的竖直高度位于第二半导体芯片的下表面的竖直高度和第二半导体芯片的上表面的竖直高度之间。第一坝体结构的第一侧壁与底部填充材料层接触，并且包括与第二半导体芯片的面向第一坝体结构的第一侧壁的侧壁平行的平坦表面。

公开(公告)号：CN115483189A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202210641665.5

申请日：2022-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱逸 ,  姜圭浩 ,  金禧媛 ,  朴世哲 ,  朴钟淏 ,  朴峻泳

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/485 ,  H01L23/367 ,  H05K1/18

Abstract: 公开了一种半导体封装件，其包括：中介基板，具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且包括与所述第一表面相邻的布线层；半导体芯片，位于所述中介基板的所述第一表面上；钝化层，位于所述中介基板的所述第一表面上，并且覆盖所述半导体芯片；以及再分布图案，位于所述钝化层中并且连接到所述半导体芯片。所述半导体芯片具有彼此相对的第三表面和第四表面。所述半导体芯片的所述第三表面面向所述中介基板的所述第一表面。所述再分布图案连接到所述半导体芯片的所述第四表面。所述半导体芯片包括与所述第三表面相邻的芯片焊盘和连接到所述芯片焊盘的芯片贯通电极。每个所述芯片焊盘直接接合到所述布线层中的对应的布线图案。