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发明公开
半导体封装及其制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN117729779A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202310566432.8

申请日：2023-05-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜芸炳 , 秦正起 , 姜吉万 , 崔朱逸 , 韩东彻

IPC: H10B80/00 , H01L23/488

Abstract: 一种半导体封装，包括：第一重分布结构；第一半导体芯片，在第一重分布结构上并包括第一贯通电极；第二半导体芯片，在第一半导体芯片上并包括与第一半导体芯片竖直重叠的中心部分和从第一半导体芯片的侧壁水平偏移的外部部分；模制层，与第一重分布结构、第一半导体芯片和第二半导体芯片接触；第二重分布结构，在第二半导体芯片和模制层上；第一竖直连接布线，延伸穿过模制层并从第一重分布结构延伸到第二重分布结构；以及第二竖直连接布线，延伸穿过模制层并从第一重分布结构延伸到第二半导体芯片的外部部分。

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