公开(公告)号：CN110890358A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910396112.6

申请日：2019-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白承旼 ,  金润秀 ,  洪锡逸 ,  朴炳律 ,  韩成

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，并且包括设置在有效表面上并且具有使所述半导体芯片的连接焊盘的至少一部分暴露的第一开口的钝化膜以及设置在所述钝化膜上的保护膜，所述保护膜填充所述第一开口的至少一部分，并且具有使所述连接焊盘的位于所述第一开口中的至少一部分暴露的第二开口；包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及连接结构，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并包括连接到位于所述第一开口中且位于所述第二开口中的所述连接焊盘的连接过孔，以及通过所述连接过孔电连接到所述连接焊盘的重新分布层。所述第二开口的宽度窄于所述第一开口的宽度。

公开(公告)号：CN108004583A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201711043826.6

申请日：2017-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林东灿 ,  文光辰 ,  朴炳律 ,  李来寅 ,  李镐珍

IPC: C25D17/00 ,  C25D5/00

CPC classification number: C25D5/006 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/005 ,  C25D21/12 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种电镀设备包括：电镀槽，包括安装于其中的阳极和容纳于其中的电镀溶液；基底保持器，被构造为保持将要浸到电镀溶液中的基底，并且包括围绕基底的支撑件和位于支撑件上以电连接到基底的外围的阴极；磁场产生组件，设置在支撑件中，并且包括沿基底的圆周延伸的至少一个电磁线圈；以及电源，被构造为将电流供应到电磁线圈。

公开(公告)号：CN107808860A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201710475431.7

申请日：2017-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全炯俊 ,  李来寅 ,  朴炳律

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/045 ,  H01L23/047 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L24/02 ,  H01L23/3107 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02379

Abstract: 本发明提供一种叠层封装型的半导体封装，其包含：下部封装，所述下部封装包含：印刷电路板(printed circuit board，PCB)衬底，所述PCB衬底包含多个基底层以及穿透多个基底层的腔室；第一半导体芯片，其在所述腔室中；重布线结构，其在PCB衬底的第一表面上并且在第一半导体芯片的有源表面上；第一覆盖层，其覆盖重布线结构；以及第二覆盖层，其覆盖PCB衬底的第二表面和第一半导体芯片的无源表面；以及上部封装，其在下部封装的第二覆盖层上并且包含第二半导体芯片。

公开(公告)号：CN106992162A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201710037091.X

申请日：2017-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜泌圭 ,  李镐珍 ,  朴炳律 ,  金兑泳 ,  金石镐

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/065

Abstract: 本公开提供一种具有TSV结构的多重堆叠器件。该多重堆叠器件包括：下部器件，具有下基板、在下基板上的第一绝缘层以及在第一绝缘层上的硅通孔(TSV)焊盘；中间器件，具有中间基板、在中间基板上的第二绝缘层以及在第二绝缘层上的第一TSV凸块；上部器件，具有上基板、在上基板上的第三绝缘层以及在第三绝缘层上的第二TSV凸块；以及TSV结构，穿过上基板、第三绝缘层、第二绝缘层以及中间基板以连接到第一TSV凸块、第二TSV凸块和TSV焊盘。在中间基板与TSV结构之间的绝缘的第一TSV间隔物和在上基板与TSV结构之间的绝缘的第二TSV间隔物沿堆叠方向间隔开。

公开(公告)号：CN107808860B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201710475431.7

申请日：2017-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全炯俊 ,  李来寅 ,  朴炳律

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一种叠层封装型的半导体封装，其包含：下部封装，所述下部封装包含：印刷电路板(printed circuit board，PCB)衬底，所述PCB衬底包含多个基底层以及穿透多个基底层的腔室；第一半导体芯片，其在所述腔室中；重布线结构，其在PCB衬底的第一表面上并且在第一半导体芯片的有源表面上；第一覆盖层，其覆盖重布线结构；以及第二覆盖层，其覆盖PCB衬底的第二表面和第一半导体芯片的无源表面；以及上部封装，其在下部封装的第二覆盖层上并且包含第二半导体芯片。

公开(公告)号：CN103681573B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201310366956.9

申请日：2013-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴在花 ,  文光辰 ,  朴炳律

IPC: H01L23/495 ,  H01L27/02 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/552 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 提供了集成电路器件。该集成电路器件可以包括过孔结构，过孔结构包括导电插塞、与导电插塞隔开的导电阻挡层、以及导电插塞和导电阻挡层之间的绝缘层。还提供了形成集成电路器件的相关方法。

公开(公告)号：CN102569173A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110402768.8

申请日：2011-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴炳律 ,  崔吉铉 ,  方硕哲 ,  文光辰 ,  林东灿

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体装置的方法。在制造半导体装置的方法中，准备具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的基底。在基底的将形成贯通电极的区域中形成牺牲层图案。牺牲层图案沿基底的厚度方向从基底的第一表面延伸。在基底的第一表面上形成上部布线层。上部布线层包括位于牺牲层图案上的布线。将基底的第二表面部分地去除以暴露牺牲层图案。从基底的第二表面去除牺牲层图案，以形成暴露布线的开口。在开口中形成要电连接到布线的贯通电极。

公开(公告)号：CN102299136A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110154632.X

申请日：2011-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文光辰 ,  朴炳律 ,  林东灿 ,  郑德泳 ,  崔吉铉 ,  裵大录 ,  姜泌圭

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L23/528 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括通路结构和导电结构。通路结构具有一表面，该表面具有平坦部分和突起部分。导电结构形成在通路结构的平坦部分的至少一部分上且不形成在通路结构的突起部分的至少一部分上。例如，导电结构仅形成在平坦部分上而不形成在突起部分的任何部分上，以形成导电结构与通路结构之间的高质量连接。

公开(公告)号：CN101017780A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200710008045.3

申请日：2007-02-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李胜万 ,  朴炳律 ,  丁武镇

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/768 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/3212 ,  B24B37/013 ,  B24B49/105 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/959 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上具有多个沟槽的绝缘层上形成导电层，使得所述导电层填充形成在所述绝缘层中的所述多个沟槽；及使用所述沟槽的图案密度和深度参数计算目标涡流值从而测量终点。该方法还包括平坦化所述导电层并使用涡流监测系统测量所述导电层上的涡流值；及当所述测量的涡流值达到所述目标涡流值时停止所述平坦化从而形成在所述绝缘层上具有目标高度的平坦化导电层。

公开(公告)号：CN1115723C

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN96114485.8

申请日：1996-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴炳律 ,  河定旼 ,  高大弘 ,  李相忍

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28

Abstract: 提供了一个新的制造选择性氮化钨层的方法和一个利用相同方法制造金属连线的方法。在这些方法中，通过调整所注入的含氮气体和钨源气体的流量比，一个氮化钨层被有选择地仅在一个接触孔中被淀积。因此，防止了硅衬底上的侵蚀并且制成了在高温下稳定的氮化钨层。另外，金属连线的接触电阻可以被降低。