公开(公告)号：CN118693048A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410204304.3

申请日：2024-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴基台 ,  宋致完 ,  金善奎 ,  裵贤橠 ,  白承旼 ,  宋龙载 ,  吴俊锡 ,  郑宰旭 ,  洪锡逸

IPC: H01L23/538 ,  H10B80/00 ,  H01L23/00

Abstract: 本公开涉及半导体器件以及包括半导体器件的半导体封装件。一种示例半导体器件包括：晶体硅层；非晶硅层，所述非晶硅层位于所述晶体硅层上并且沿着所述晶体硅层的第一表面延伸；以及电介质层，所述电介质层位于所述非晶硅层上并且沿着所述非晶硅层的表面延伸。所述电介质层包括氮氧化硅并且具有压缩应力。

公开(公告)号：CN110890358A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910396112.6

申请日：2019-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白承旼 ,  金润秀 ,  洪锡逸 ,  朴炳律 ,  韩成

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，并且包括设置在有效表面上并且具有使所述半导体芯片的连接焊盘的至少一部分暴露的第一开口的钝化膜以及设置在所述钝化膜上的保护膜，所述保护膜填充所述第一开口的至少一部分，并且具有使所述连接焊盘的位于所述第一开口中的至少一部分暴露的第二开口；包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及连接结构，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并包括连接到位于所述第一开口中且位于所述第二开口中的所述连接焊盘的连接过孔，以及通过所述连接过孔电连接到所述连接焊盘的重新分布层。所述第二开口的宽度窄于所述第一开口的宽度。

公开(公告)号：CN110890358B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN201910396112.6

申请日：2019-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白承旼 ,  金润秀 ,  洪锡逸 ,  朴炳律 ,  韩成

IPC: H10B80/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，并且包括设置在有效表面上并且具有使所述半导体芯片的连接焊盘的至少一部分暴露的第一开口的钝化膜以及设置在所述钝化膜上的保护膜，所述保护膜填充所述第一开口的至少一部分，并且具有使所述连接焊盘的位于所述第一开口中的至少一部分暴露的第二开口；包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及连接结构，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并包括连接到位于所述第一开口中且位于所述第二开口中的所述连接焊盘的连接过孔，以及通过所述连接过孔电连接到所述连接焊盘的重新分布层。所述第二开口的宽度窄于所述第一开口的宽度。