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公开(公告)号：CN102569173A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110402768.8
申请日：2011-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/036 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05018 , H01L2224/05556 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05559 , H01L2224/05609 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/16145 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/01029 , H01L2924/01327 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2224/05655 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体装置的方法。在制造半导体装置的方法中，准备具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的基底。在基底的将形成贯通电极的区域中形成牺牲层图案。牺牲层图案沿基底的厚度方向从基底的第一表面延伸。在基底的第一表面上形成上部布线层。上部布线层包括位于牺牲层图案上的布线。将基底的第二表面部分地去除以暴露牺牲层图案。从基底的第二表面去除牺牲层图案，以形成暴露布线的开口。在开口中形成要电连接到布线的贯通电极。
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公开(公告)号：CN102569173B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201110402768.8
申请日：2011-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/036 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05018 , H01L2224/05556 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05559 , H01L2224/05609 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/16145 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/01029 , H01L2924/01327 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2224/05655 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体装置的方法。在制造半导体装置的方法中，准备具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的基底。在基底的将形成贯通电极的区域中形成牺牲层图案。牺牲层图案沿基底的厚度方向从基底的第一表面延伸。在基底的第一表面上形成上部布线层。上部布线层包括位于牺牲层图案上的布线。将基底的第二表面部分地去除以暴露牺牲层图案。从基底的第二表面去除牺牲层图案，以形成暴露布线的开口。在开口中形成要电连接到布线的贯通电极。
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公开(公告)号：CN107768305A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710709806.1
申请日：2017-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/13 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14645 , H01L27/14683 , H01L2224/13025 , H01L2224/13101 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L21/76802 , H01L21/76804 , H01L21/76816
Abstract: 一种半导体器件包括：具有彼此面对的第一表面和第二表面的半导体衬底；在半导体衬底的第一表面中形成的沟槽中的蚀刻停止图案；在半导体衬底的第一表面上的第一绝缘层；以及穿过半导体衬底和第一绝缘层的通孔。蚀刻停止图案包围通孔的侧表面的一部分。
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