公开(公告)号：CN101017780A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200710008045.3

申请日：2007-02-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李胜万 ,  朴炳律 ,  丁武镇

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/768 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/3212 ,  B24B37/013 ,  B24B49/105 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/959 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上具有多个沟槽的绝缘层上形成导电层，使得所述导电层填充形成在所述绝缘层中的所述多个沟槽；及使用所述沟槽的图案密度和深度参数计算目标涡流值从而测量终点。该方法还包括平坦化所述导电层并使用涡流监测系统测量所述导电层上的涡流值；及当所述测量的涡流值达到所述目标涡流值时停止所述平坦化从而形成在所述绝缘层上具有目标高度的平坦化导电层。