公开(公告)号：CN105405867A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510564038.6

申请日：2015-09-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·G·拉文 ,  M·戴内塞 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/76 ,  H01L21/764

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/76248 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/562 ,  H01L27/0922 ,  H01L28/40 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0603 ,  H01L21/76 ,  H01L21/764 ,  H01L29/0684

Abstract: 本公开涉及形成具有隐埋腔和介电支持结构的半导体衬底的方法。具体地，公开了一种用于形成半导体器件的方法，包括形成从半导体衬底的第一表面延伸到半导体衬底中的多个沟槽。每一个沟槽都包括与宽部开放连通的窄部，宽部通过窄部与第一表面隔开。相邻沟槽的窄部通过半导体衬底的第一区域横向隔开。相邻沟槽的宽部通过半导体衬底的第二区域横向隔开，第二区域窄于第一区域。该方法还包括通过沟槽的窄部向沟槽的宽部引入氧化剂以氧化相邻沟槽之间的半导体衬底的第二区域，从而形成支持半导体衬底的第一区域的介电支持结构。

公开(公告)号：CN105359275A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201480020252.9

申请日：2014-07-02

Applicant: 宜普电源转换公司

Inventor： 周春华 ,  曹建军 ,  亚力山大·利道 ,  R·比奇 ,  阿兰娜·纳卡塔 ,  罗伯特·斯特里马特 ,  赵广元 ,  塞沙德里·科卢里 ,  马艳萍 ,  刘芳昌 ,  蒋明坤 ,  曹佳丽

IPC: H01L29/15

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/76 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

Abstract: 一种集成半导体器件包括基板层、配置在基板层上的缓冲层、配置在缓冲层上的氮化镓层和配置在氮化镓层上的阻挡层。另外，用于多个晶体管器件的多个欧姆接触是形成在阻挡层上。具体地，用于第一晶体管器件的多个第一欧姆接触是形成在阻挡层的表面的第一部分上，而用于第二晶体管器件的多个第二欧姆接触是形成在阻挡层的表面的第二部分上。

公开(公告)号：CN104900510A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510369469.7

申请日：2015-06-29

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 许进 ,  冯奇艳 ,  任昱 ,  吕煜坤 ,  张旭升

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/66 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/3086 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L21/306 ,  H01L21/76 ,  H01L22/30

Abstract: 本发明提供一种刻蚀映射关系模型和控制浅槽隔离刻蚀关键尺寸的方法，包括如下步骤：在进行工艺前建立刻蚀前后线宽差与光刻胶抗反射涂层厚度对应的映射关系模型，在进行光刻胶抗反射涂层工艺时，实时量测光刻胶抗反射涂层的厚度，并根据量测反馈的光刻胶抗反射涂层厚度及步骤S14得到映射关系模型，实时选择和调整合适的工艺时间，以使得在线晶圆产品在不同光刻胶抗反射涂层厚度下得到相同浅沟槽刻蚀关键尺寸。本发明引入光学线宽测量仪(Optical？Critical？Dimension，简称OCD)检测量化光刻胶抗反射涂层的厚度，以改进浅槽隔离刻蚀线宽，并调整浅沟槽隔离刻蚀时间，从而精确控制浅沟槽隔离的关键尺寸。

公开(公告)号：CN104681674A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510104734.9

申请日：2015-03-10

Applicant: 江苏新广联半导体有限公司

Inventor： 李睿

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01L33/005 ,  H01L21/76 ,  H01L27/153

Abstract: 本发明涉及一种GaN基高压直流LED绝缘隔离工艺，其包括如下步骤：a、提供生长有外延层的蓝宝石衬底，并在外延层上定义LED子单元的MESA图形；b、利用上述MESA图形对外延层进行干法刻蚀，以得到LED子单元的MESA台面；c、沉积刻蚀掩膜层，所述刻蚀掩膜层覆盖在MESA台面上；d、利用激光器的脉冲激光光斑烧蚀LED子单元MESA台面间的外延层以及刻蚀掩膜层，以在LED子单元的MESA台面间形成隔离沟槽，以通过隔离沟槽将LED子单元相互隔离；e、去除隔离沟槽内由脉冲激光光斑烧蚀后杂物，以平滑隔离沟槽的侧壁表面；f、去除上述的刻蚀掩膜层。本发明能有效提高多个LED子单元间的绝缘隔离性能，大幅提升生产效率，确保生产良率，改善高压直流LED的性能，安全可靠。

公开(公告)号：CN104517891A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410065638.3

申请日：2014-02-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡俊雄 ,  薛森鸿 ,  方子韦

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76237 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76205 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/1087 ,  H01L29/7846

Abstract: 本发明为形成沟槽结构的方法，包括形成一种填充有可流动介电层的浅沟槽隔离（STI）结构，包括实施注入，以在可流动介电层的上部生成通道。该通道使热退火中的氧源能够在将可流动介电层的SiONH网状物转变为SiOH和SiO的网状物的热退火期间到达STI结构的底部附近的可流动介电层。该通道还有助于在用于将SiOH和SiO的网状物转变为SiO2的另一热退火期间，提供用于生成的副产物离开的路径。

公开(公告)号：CN104425350A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310411062.7

申请日：2013-09-10

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 韩秋华

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/762 ,  H01L21/76

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供形成有具有多个用于形成浅沟槽隔离结构的沟槽图案的硬掩膜层的半导体衬底；以硬掩膜层为掩膜，蚀刻半导体衬底以形成沟槽；在沟槽的侧壁和底部形成衬里氧化层；沉积抗反射介电层，覆盖硬掩膜层和衬里氧化层；沉积第一隔离材料层，覆盖抗反射介电层的同时部分填充沟槽；回蚀刻第一隔离材料层，露出抗反射介电层的位于沟槽之外的部分；沉积第二隔离材料层，完全填充沟槽；执行研磨直至露出硬掩膜层时终止，并去除硬掩膜层。根据本发明形成的浅沟槽隔离结构顶部与半导体衬底之间不存在氧化物和硅材料的界面，可以避免实施阱区注入时形成的遮蔽浅沟槽隔离结构的光刻胶层发生层离现象。

公开(公告)号：CN103855031A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310625869.0

申请日：2013-11-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·巴苏 ,  J·B·常 ,  M·A·古罗恩 ,  A·马宗达

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/76 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/76264 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及半导体结构及其形成方法。在单晶掩埋绝缘体层上形成单晶半导体鳍片。在形成跨骑所述单晶半导体鳍片的栅极电极之后，可以用在单晶掩埋绝缘体层上生长的半导体材料进行选择性外延以形成连续半导体材料部分。所述连续半导体材料部分中的沉积的半导体材料的厚度可以被选择为使得，所述沉积的半导体材料部分的侧壁不合并，而是通过直接在所述单晶掩埋绝缘体层的水平表面上生长的沉积的半导体材料的水平部分导电地彼此连接。通过所述连续半导体材料部分和圆柱形接触过孔结构，可以提供鳍片场效应晶体管的接触电阻和寄生电容的同时减小。

公开(公告)号：CN103339710A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201280006999.X

申请日：2012-01-24

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/185 ,  H01L21/302 ,  H01L21/76251 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明的目的在于提供一种通过相对低的温度下的和相对较短的持续时间的处理来减少由键合方法在单晶硅层表面和内部引起的缺陷的方法。更具体地，本发明涉及一种制备SOI晶片的方法，所述方法包括以下步骤：通过键合方法在操作基板上形成单晶硅层，以获得键合基板，所述操作基板是从具有800℃以上的耐热温度的材料中选择出的；在所述键合基板的所述单晶硅层上沉积非晶硅；及在800℃以上的温度下加热所述沉积之后的所述键合基板。

公开(公告)号：CN103295969A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310065422.2

申请日：2013-03-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 今井彰 ,  岩松俊明 ,  中江彰宏

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/68 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76283 ,  H01L23/544 ,  H01L27/1207 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路装置的制造方法。在SOI基板上具有SOI器件区域及大容量器件区域的混合型SOI半导体集成电路装置中，一般在形成STI绝缘膜后，在应成为大容量器件区域的区域中去除SOI层及BOX层。但是，在该工艺中，在大容量器件区域中，存在STI绝缘膜的上表面和半导体基板上表面间的阶梯差变得明显的问题。本发明的在SOI型半导体晶圆上形成SOI器件区域和大容量器件区域的半导体集成电路的制造方法，先进行大容量器件区域中的BOX层及SOI层的去除，之后在两个区域中形成STI区域。其中，在SOI器件区域中，STI区域形成为贯通BOX层。

公开(公告)号：CN103247623A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201210505968.0

申请日：2012-11-30

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 朴圣根

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/7801 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/32 ,  H01L21/76 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623

Abstract: 本发明提供了具有双极晶体管、CMOS晶体管、漏极延伸MOS晶体管以及双扩散MOS晶体管的半导体器件。半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括形成逻辑器件的逻辑区和形成高功率器件的高电压区；沟槽，所述沟槽在半导体衬底中；隔离层，所述隔离层在各个沟槽中；以及至少一个场绝缘层，所述至少一个场绝缘层被设置在高电压区中的半导体衬底的表面处。所述至少一个场绝缘层是包括第一部分和第二部分的硅局部氧化LOCOS层，所述第一部分延伸进入半导体衬底中，所述第二部分从半导体衬底的顶表面向上突出。本发明还提供了相关的方法。