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41.

发明公开
半导体部件及其制造方法无效

公开(公告)号：CN1917199A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610114969.7

申请日：2006-08-14

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： 弗朗西斯·J·卡尔尼 , 迈克尔·J·瑟登

IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/97 , H01L23/3121 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/91 , H01L2224/10165 , H01L2224/1134 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/3754 , H01L2224/40091 , H01L2224/40245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4813 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49171 , H01L2224/4945 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2224/85191 , H01L2224/97 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19107 , H01L2224/85 , H01L2224/84 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012

摘要： 一种半导体部件，其具有一个位置可适变的锁定结构，和一种使用丝线接合工具制造该半导体部件的方法。提供一个导电支持基片，其具有标记部分、丝线部分和连接杆。半导体芯片与该导电支持基片的标记部分耦连。导电固定结构将半导体芯片与丝线部分耦连。在导电基片上形成一个或多个位置可适变的锁定结构，使得它们从基片上方延伸。选择地，可以在导电固定结构、半导体芯片、连接杆、其它电路元件或其组合上形成位置可适变的锁定结构。该位置可适变的锁定结构可以是接合丝线、丝线接合柱等。用密封剂密封该半导体芯片、导电基片、导电固定结构和位置可适变的锁定结构。

42.

发明公开
用于EPAS/EHPAS应用的模块失效

公开(公告)号：CN1836328A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200480023340.0

申请日：2004-08-16

申请人： 国际整流器公司

发明人： 塞尔希奥·菲索尔 , 威廉·格兰特

IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/34 , H01L23/48 , H01L23/52

CPC分类号： H01L2224/48 , H01L2224/49 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/13091 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

摘要： 一种功率模块，包括具有在模制体中模制的引线框架的模制壳，以及直接设置于引线框架的管芯焊盘上的多个功率半导体器件。

43.

发明公开
无外引脚半导体封装构造及其制造方法失效

公开(公告)号：CN1753179A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200410011863.5

申请日：2004-09-22

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 寇宽旺 , 金颂悟 , 卜桑贝

IPC分类号： H01L25/00 , H01L21/50 , H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/49 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种半导体封装构造，包含一半导体装置通过锡膏稳固贴附于一芯片承座的一上表面上，以及多个引脚配置于该芯片承座周围附近，该芯片承座及该引脚的厚度介于10至20μ之间，该半导体装置电性连接于该引脚中之一，一封胶体形成于该半导体装置及该引脚上，其中该芯片承座及该引脚的下表面由该封胶体裸露出，较佳地，该半导体装置通过至少一条大尺寸铝线电性连接于该引脚中之一。本发明另提供一种上述半导体封装构造的制造方法。

44.

发明公开
半导体装置及制造方法、使用该半导体装置的电力变换装置失效

公开(公告)号：CN1701439A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200480001111.9

申请日：2004-08-19

申请人： 关西电力株式会社

发明人： 菅原良孝

IPC分类号： H01L23/34 , H01L29/861 , H01L29/74

CPC分类号： H01L29/8613 , H01L23/045 , H01L23/34 , H01L23/345 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/744 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/05599 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/4823 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2224/85399 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/10157 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12043 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15312 , H01L2924/16152 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/20758 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

摘要： 为了得到可控制电流较大且损失较低的功率半导体装置，使用加热器等加热装置令使用宽间隙半导体的双极半导体元件的温度上升。该温度是比这样的温度高的温度，在所述这样的温度下，随所述宽间隙双极半导体元件的温度上升而降低的内嵌电压的降低数量所对应的所述宽间隙双极半导体元件的恒定损失的减少数量变得比随所述温度的上升而增加的导通电阻的增加数量所对应的所述恒定损失的增加数量大。

45.

发明公开
半导体器件和半导体组件失效

公开(公告)号：CN1344014A

公开(公告)日：2002-04-10

申请号：CN01112389.3

申请日：2001-02-15

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 坂本则明 , 小林义幸 , 阪本纯次 , 真下茂明 , 大川克实 , 前原荣寿 , 高桥幸嗣

IPC分类号： H01L21/28 , H05K1/00

CPC分类号： H01L24/05 , H01L21/4821 , H01L21/4832 , H01L23/3107 , H01L23/49548 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/10175 , H01L2224/16 , H01L2224/32057 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/48639 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2224/85439 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01021 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01059 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012

摘要： 采用薄型、轻量的封装。但是,因薄型而产生封装弯曲,因与安装基片的热膨胀系数不同而引起问题,例如发生半导体器件中设置的导电通路的断线,与金属细线的连接不良,半导体器件的可靠性存在问题。提供在绝缘树脂44中埋置比Z轴方向大的X轴－Y轴方向结晶所构成的导电通路40,导电通路40的里面从绝缘树脂44露出地封装的半导体器件。由此,可以抑制绝缘树脂44中埋置的导电通路40的断线。

46.

发明授权
检查基板的接合结构的方法和接合结构检验设备有权

公开(公告)号：CN102439708B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201080015400.X

申请日：2010-02-08

申请人： 新加坡科技研究局 , 钟泰技术私人有限公司

发明人： 钟金鹏 , 林秋江 , 徐健 , 刘通 , 唐再昕 , 林伟业

IPC分类号： H01L21/66 , G01N21/956 , G01N21/29 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/85 , G01N21/8806 , H01L23/544 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/54426 , H01L2223/54473 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/73265 , H01L2224/78901 , H01L2224/85121 , H01L2224/859 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20751

摘要： 在实施方式中，可以提供用于检查基板的接合结构的方法。该方法可以包括：提供包括待检查的接合结构的基板；确定包括待检查的接合结构的部分的一个或多个预定关注区域的一个或更多个立体图像，所述预定关注区域对应于参考基板的参考接合结构的存储的预定参考模型中的参考关注区域；从多个预定关注区域中的一个或更多个中确定待检查的接合结构的一个或更多个二维特征参数和一个或更多个三维特征参数；以及判断所确定的特征参数是否满足关于参考模型的至少一个预定质量标准。

47.

发明公开
电力用半导体装置无效

公开(公告)号：CN104934401A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510126143.1

申请日：2015-03-20

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 东久保耕一

IPC分类号： H01L23/49

CPC分类号： H01L24/49 , H01L23/49811 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/05599 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/4813 , H01L2224/48227 , H01L2224/48464 , H01L2224/48993 , H01L2224/48998 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49095 , H01L2224/49111 , H01L2224/4917 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/834 , H01L2224/85399 , H01L2224/854 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00015 , H01L2924/2076 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

摘要： 提供了一种电力用半导体装置，其能够提高电力用半导体元件的电极层和配线部之间的电路径的机械稳定性，并能够通过将电路径分散开而缓和电流集中。电力用半导体元件(10)具有由导体制作而成的电极层(11)。第1配线部(21)由导体制作而成，与电力用半导体元件(10)分离。至少1条主键合线(30)具有位于电极层(11)上的一端和位于第1配线部(21)上的另一端。至少1条副键合线(51)支撑主键合线(30)，并在电极层(11)以及第1配线部(21)中的某一方上具有两端。

48.

发明授权
使用分立导电层重新选择键合线路径的半导体器件封装有权

公开(公告)号：CN101673723B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN200910164716.4

申请日：2009-07-16

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 鲁军 , 安荷·叭剌 , 王晓彬 , 张艾伦 , 胡满升 , 张晓天

IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/49 , H01L21/50 , H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了一种使用分立导电层重新选择键合线路径的半导体器件封装，其包含一个引线框架，该引线框架具有一个芯片键合衬垫和耦合到第一芯片键合衬垫的若干引脚。一个垂直半导体器件键合到该芯片键合衬垫。该垂直半导体器件具有一个导电衬垫，该导电衬垫通过第一键合线连接一个引脚。在第一半导体器件的导电材料层中形成有一个电绝缘的导电线路。该导电线路提供第一键合线与第二键合线之间的导电路径。或者该导电路径设置在第三键合线下方传导，以此避免了第三键合线和其他键合线之间的交叉，或者导电路径使得第一和第二键合线的长度短于最大的预设长度。