公开(公告)号：CN102916008B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201210380138.X

申请日：2005-06-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 白石正树 ,  岩崎贵之 ,  松浦伸悌

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/488 ,  H02M3/155

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/823487 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/16 ,  H01L27/088 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H02M3/1588 ,  Y02B70/1466 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 提供一种半导体装置、DC/DC变换器和电源系统，该半导体装置可防止自导通并能大幅度地提高电源变换效率。在把高端开关、低端开关、两个驱动器单封装化了的电源用封装中系统中，由于通过把辅助开关内装在低端开关的栅－源间，并在同一个芯片上构成该低端开关的低端MOSFET 3和辅助开关的辅助MOSFET 4，能够防止自导通，所以可以安装阈值电压低的低端MOSFET 3，电源变换效率大幅度地提高。而且，关于辅助MOSFET 4的栅驱动，通过利用高端MOSFET 2的驱动器，也不需要设置新的驱动电路，而且能够以与现有制品相同的管脚配置来实现，置换是容易的。

公开(公告)号：CN1719706B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200510078017.X

申请日：2005-06-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 白石正树 ,  岩崎贵之 ,  松浦伸悌

IPC: H02M3/155 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/823487 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/16 ,  H01L27/088 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H02M3/1588 ,  Y02B70/1466 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 提供一种半导体装置、DC/DC变换器和电源系统，该半导体装置可防止自导通并能大幅度地提高电源变换效率。在把高端开关、低端开关、两个驱动器单封装化了的电源用封装中系统中，由于通过把辅助开关内装在低端开关的栅-源间，并在同一个芯片上构成该低端开关的低端MOSFET3和辅助开关的辅助MOSFET4，能够防止自导通，所以可以安装阈值电压低的低端MOSFET3，电源变换效率大幅度地提高。而且，关于辅助MOSFET4的栅驱动，通过利用高端MOSFET2的驱动器，也不需要设置新的驱动电路，而且能够以与现有制品相同的管脚配置来实现，置换是容易的。

公开(公告)号：CN102916008A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210380138.X

申请日：2005-06-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 白石正树 ,  岩崎贵之 ,  松浦伸悌

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/488 ,  H02M3/155

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/823487 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/16 ,  H01L27/088 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H02M3/1588 ,  Y02B70/1466 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 提供一种半导体装置、DC/DC变换器和电源系统，该半导体装置可防止自导通并能大幅度地提高电源变换效率。在把高端开关、低端开关、两个驱动器单封装化了的电源用封装中系统中，由于通过把辅助开关内装在低端开关的栅－源间，并在同一个芯片上构成该低端开关的低端MOSFET 3和辅助开关的辅助MOSFET 4，能够防止自导通，所以可以安装阈值电压低的低端MOSFET 3，电源变换效率大幅度地提高。而且，关于辅助MOSFET 4的栅驱动，通过利用高端MOSFET 2的驱动器，也不需要设置新的驱动电路，而且能够以与现有制品相同的管脚配置来实现，置换是容易的。

公开(公告)号：CN101488496B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200910004386.2

申请日：2004-05-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 白石正树 ,  岩崎贵之 ,  松浦伸悌 ,  宇野友彰

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H02M3/00

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/495 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49112 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015

Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路。功率MOS-FET被用作非绝缘DC/DC变换器中的高端开关晶体管。用作功率MOS-FET源极端子的电极区分别通过连结导线连接到一个外部引线和两个外部引线。所述一个外部引线是连接到用于驱动栅极的通路上的外部端子。所述两个外部引线中的每一个是连接到主电流通路的外部端子。由于以分立的形式连接主电流通路和栅极驱动通路，因此可以减小寄生电感的影响，并提高电压变换效率。

公开(公告)号：CN101582415B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200910142454.1

申请日：2005-02-16

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 佐藤幸弘 ,  宇野友彰 ,  松浦伸悌 ,  白石正树

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/49 ,  H01L23/495 ,  H02M3/10

CPC classification number: H01L23/5386 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/50 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L25/165 ,  H01L29/4175 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/4943 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H02M3/1588 ,  H05K7/02 ,  Y02B70/1466 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20754

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括这样一个电路的非绝缘型DC-DC转换器，在该电路中用于高压侧开关的功率MOS·FET和用于低压侧开关的功率MOS·FET串联连接。在非绝缘型DC-DC转换器中，用于高压侧开关的功率晶体管、用于低压侧开关的功率晶体管和驱动这些功率晶体管的驱动电路分别由不同的半导体芯片构成。这三个半导体芯片被容纳在一个封装中，并且包括用于高压侧开关的功率晶体管的半导体芯片和包括驱动电路的半导体芯片被彼此邻近地布置。