公开(公告)号：CN106486506A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610626795.6

申请日：2016-08-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖志育 ,  周正贤 ,  蔡正原 ,  江彦廷 ,  杜友伦

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14698 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/14683

Abstract: 实例性隔离结构包括位于半导体衬底中的沟槽的底面上方并且沿着半导体衬底中的沟槽的侧壁延伸的第一钝化层，其中，第一钝化层包括第一介电材料。半导体器件还包括沟槽中的位于第一钝化层上的钝化氧化物层，其中，钝化氧化物层包括第一介电材料的氧化物并且具有比第一钝化层高的氧原子百分比。半导体器件还包括沟槽中的位于钝化氧化物层上的第二钝化层，其中，第二钝化层也包括第一介电材料并且具有比钝化氧化物层低的氧原子百分比。本发明实施例涉及深沟槽隔离结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN103794584B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201310046609.8

申请日：2013-02-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  陈思莹 ,  王铨中 ,  黄志辉 ,  黄信华 ,  赵兰璘 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄 ,  陈晓萌

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0504 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/059 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本文所述的扩散阻挡层的实施例提供了用于形成铜扩散阻挡层以阻止用于混合接合晶圆的器件退化的机制。(一层或多层)扩散阻挡层环绕用于混合接合的含铜导电焊盘。扩散阻挡层可以位于两个接合晶圆中的一个上或位于这两个接合晶圆上。

公开(公告)号：CN105895676A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201510367012.2

申请日：2015-06-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐力田 ,  杜友伦

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/331

Abstract: 一些实施例针对一种双极结晶体管(BJT)，BJT具有形成在半导体衬底的主体内的集电极区以及布置在半导体衬底的上表面上方的发射极区。BJT包括布置在半导体衬底的上表面上方的基极区，基极区将发射极区和集电极区垂直分隔开。基极区布置在导电基极层内并且与导电基极层接触，导电基极层将电流传递至基极区。相对于一些传统的方法，基极区包括平坦底面，平坦底面增大了基极区和半导体衬底之间的接触面积，因此减小了集电极/基极结处的电阻。基极区也可以包括基本上垂直的侧壁，基本上垂直的侧壁增大了基极区和导电基极层之间的接触面积，因此改进了至基极区的电流传递。本发明的实施例还涉及双极结晶体管(BJT)基极导体回调。

公开(公告)号：CN105789073A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201510446468.8

申请日：2015-07-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄志辉 ,  朱彦璋 ,  刘冠良 ,  刘丙寅 ,  蔡正原 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄 ,  李汝谅

IPC: H01L21/603 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68785 ,  B32B37/1018 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68735 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/75983 ,  H01L24/82 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2224/82005

Abstract: 讨论了一种接合卡盘与使用该接合卡盘的方法及包括该接合卡盘的工具。一种方法包括：在第一接合卡盘的第一表面上加载第一晶圆；在第二接合卡盘上加载第二晶圆；以及将第一晶圆接合至第二晶圆。至少部分地通过第一球面的第一部分和第二球面的第二部分来限定第一表面。第一球面具有第一半径，并且第二球面具有第二半径。第一半径小于第二半径。本发明涉及接合卡盘、接合方法及包括接合卡盘的工具。

公开(公告)号：CN104576637A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410553385.4

申请日：2014-10-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 匡训冲 ,  朱彦璋 ,  萧清泰 ,  刘丙寅 ,  赵兰璘 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄 ,  陈晓萌

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76883 ,  H01L21/76805 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/538 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/10 ,  H01L24/18 ,  H01L24/80 ,  H01L24/89 ,  H01L25/043 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/0756 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了3D集成电路及其形成方法。一种集成电路结构包括封装组件，该封装组件进一步包括具有第一孔隙率的非多孔介电层和位于该非多孔介电层上方并与该非多孔介电层接触的多孔介电层，其中多孔介电层的第二孔隙率高于第一孔隙率。接合焊盘穿透非多孔介电层和多孔介电层。介电势垒层位于多孔介电层上方并与多孔介电层接触。通过介电势垒层而暴露接合焊盘。介电势垒层具有平坦顶面。接合焊盘的平坦顶面高于介电势垒层的底面。

公开(公告)号：CN104347758A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410314942.7

申请日：2014-07-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑有宏 ,  朱彦璋 ,  吴政达 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄 ,  陈晓萌

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/035254 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/105 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供了一种形成背照式光敏器件的方法，包括：在牺牲衬底上形成渐变牺牲缓冲层；在渐变牺牲缓冲层上形成均匀层；在均匀层上形成第二渐变缓冲层；在第二渐变缓冲层上形成硅层；将器件层接合至硅层；以及去除渐变牺牲缓冲层和牺牲衬底。本发明还提供了一种光敏器件。

公开(公告)号：CN104037102A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201310226966.2

申请日：2013-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  黄信华 ,  黄志辉 ,  赵兰璘 ,  杜友伦 ,  卢彦池 ,  施俊吉 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/603

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L24/08 ,  H01L24/74 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/80204 ,  H01L2224/80209 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了混合接合及执行混合接合的设备，其中一种方法包括执行混合接合以将第一封装元件与第二封装元件接合，以便形成接合对。在该接合对中，第一封装元件中的第一金属焊盘与第二封装元件中的第二金属焊盘接合，并且第一封装元件的表面处的第一表面介电层与第二封装元件的表面处的第二表面介电层接合。在混合接合之后，对该接合对执行热压缩退火。

公开(公告)号：CN103094290A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210207827.0

申请日：2012-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖志育 ,  杜友伦 ,  黄志辉 ,  吴政达 ,  蔡嘉雄 ,  陈昆仑

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/223 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/09

Abstract: 本发明提供了一种半导体图像传感器器件。该图像传感器器件包括衬底。该图像传感器器件包括设置在衬底中的第一像素和第二像素。第一和第二像素是相邻的像素。该图像传感器器件包括设置在衬底中以及第一和第二像素之间的隔离结构。该图像传感器器件包括设置在衬底中以及第一和第二像素之间的掺杂隔离器件。该掺杂隔离器件以共形方式围绕隔离结构。本发明还提供了一种采用共形掺杂的图像传感器沟槽隔离。

公开(公告)号：CN102446930A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110054069.9

申请日：2011-03-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周世培 ,  刘世昌 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14627 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其制作方法与图像感测元件。图像感测元件包括：一像素，位于一基板中；一第一微透镜，内埋于位于基板上的一膜层中，第一微透镜的一第一上表面具有一角状的顶端；一彩色滤光片，位于膜层上；以及一第二微透镜，位于彩色滤光片上，第二微透镜的一第二上表面具有一接近圆形的轮廓；其中像素、第一微透镜、彩色滤光片、以及第二微透镜皆至少部分彼此对齐。本发明的半导体元件的制作工艺相当快速且便宜，而且光聚焦性能较佳。

公开(公告)号：CN101261955A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810081334.0

申请日：2008-02-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 白志阳 ,  江文铨 ,  喻中一 ,  杜友伦 ,  刘源鸿 ,  李祥帆 ,  王铨中

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/522 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/76849 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10888

Abstract: 本发明提供一种嵌入式动态随机存取存储器(eDRAM)装置及其接触插塞的形成方法。该形成方法包括如下步骤：形成一介电层于一半导体基底上；形成一接触孔于该介电层中，以暴露出一部分的该半导体基底；沉积一钨材料层于该介电层上以填入该接触孔，其中形成一钨缝隙于该接触孔内的钨材料层中；实施一干式蚀刻制造工艺以移除该介电层的上表面的钨材料层，且凹陷该钨材料层于该接触孔中，以于该介电层的上表面下方，形成具一深度的凹陷区，因而形成一凹陷的钨插塞于该接触孔内；沉积一导电层于该介电层和该凹陷的钨插塞上，以填入该凹陷区；及移除该介电层的上表面的该导电层，以形成一导电插塞于该接触孔内的凹陷的钨插塞上。