公开(公告)号：CN108109927A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711058025.7

申请日：2017-11-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 锦泽笃志 ,  团野忠敏

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/48 ,  H01L23/31 ,  H01L23/14

Abstract: 本申请涉及半导体器件及其制造方法。为了提高半导体器件的可靠性，半导体器件包括半导体芯片、裸片焊盘、多个引线和密封部分。裸片焊盘和引线由主要包含铜的金属材料制成。镀层形成在裸片焊盘的顶表面上。镀层由银镀层、金镀层或铂镀层形成。半导体芯片经由接合材料安装在裸片焊盘的顶表面上的镀层上。镀层被接合材料覆盖以不与密封部分接触。

公开(公告)号：CN107068626A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611165745.9

申请日：2016-12-16

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 高田圭太 ,  团野忠敏

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L23/498 ,  H01L23/495 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/5227 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05014 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48108 ,  H01L2224/48135 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48175 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49179 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H04B5/0075 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/528 ,  H01L25/071

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，实现了半导体器件的小型化。SOP1包括：半导体芯片；另一半导体芯片；其上安装前者半导体芯片的管芯焊盘；其上安装后者半导体芯片的另一管芯焊盘；多个导线；以及密封体。在SOP1的平面图中，前者半导体芯片和前者管芯焊盘与后者半导体芯片和后者管芯焊盘不重叠。此外，在横截面图的水平方向上，前者半导体芯片和前者管芯焊盘与后者半导体芯片和后者管芯焊盘不重叠。

公开(公告)号：CN104603943A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201280075599.4

申请日：2012-09-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 高田圭太 ,  团野忠敏 ,  波多俊幸

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/60 ,  H01L21/607 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/49524 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/77 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40132 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48132 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/7755 ,  H01L2224/77611 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84005 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/84345 ,  H01L2224/85005 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/206

Abstract: 准备具有搭载有第1半导体芯片的第1芯片搭载部和搭载有第2半导体芯片的第2芯片搭载部的引线框架。另外，具有将第1金属条带的一端连接于在上述第1半导体芯片的表面上形成的第1电极焊盘，将上述第1金属条带的与上述一端相反侧的另一端连接于上述第2芯片搭载部上的条带连接面的工序。另外，在平面视图中，上述第2芯片搭载部的上述条带连接面位于上述第1半导体芯片与上述第2半导体芯片之间。另外，上述条带连接面配置于高度比上述第2芯片搭载部的上述第2半导体芯片的搭载面的高度高的位置。

公开(公告)号：CN104465610A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410494163.X

申请日：2014-09-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 三浦喜直 ,  中村卓 ,  团野忠敏

IPC: H01L23/528

CPC classification number: H01L24/09 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/085 ,  H01L27/088 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0605 ,  H01L2224/091 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/48096 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30101 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。源极互连和漏极互连被交替地设置在多个晶体管单元之间。一条接合线在多个点处被连接到源极互连。另一接合线在多个点处被连接到源极互连。另外，一条接合线在多个点处被连接到漏极互连。另外，另一接合线在多个点处被连接到漏极互连。

公开(公告)号：CN104425482A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410407380.0

申请日：2014-08-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 久米一平 ,  鬼沢岳 ,  长谷卓 ,  平尾茂 ,  团野忠敏

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3178 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7849 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置。有时由于作用于硅的III族氮化物半导体的应力使III族氮化物半导体和硅翘曲。一种半导体装置包括：衬底、缓冲层和半导体层。沟槽被形成在所述半导体层的第六面上。所述沟槽穿过所述半导体层和所述缓冲层。所述沟槽的底部至少到达所述衬底的内部。

公开(公告)号：CN108364939B

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN201711444287.7

申请日：2017-12-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 团野忠敏 ,  锦泽笃志 ,  中村弘幸

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/495 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 根据本发明，在半导体装置的可靠性方面得到了改进。SIP包括：模拟芯片、具有面积比所述模拟芯片的主表面小的主表面的微计算机芯片、安装模拟芯片和微计算机芯片的芯片垫、以及环绕所述芯片垫布置的多个引线。该SIP还包括：与所述芯片垫一体成型的多个悬挂引线、多个导线、密封体。其中，多个导线将所述模拟芯片的电极与所述引线电连接，并将微计算机芯片与引线电连接。在所述密封体中密封所述模拟芯片和所述微计算机芯片。所述芯片垫的第一弯曲部和第二弯曲部的曲率半径大于芯片垫的第三弯曲部的曲率半径。

公开(公告)号：CN108364939A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201711444287.7

申请日：2017-12-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 团野忠敏 ,  锦泽笃志 ,  中村弘幸

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/495 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/49503 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4828 ,  H01L21/4842 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/562 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H02P27/06 ,  H01L2924/00012 ,  H01L25/0655 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 根据本发明，在半导体装置的可靠性方面得到了改进。SIP包括：模拟芯片、具有面积比所述模拟芯片的主表面小的主表面的微计算机芯片、安装模拟芯片和微计算机芯片的芯片垫、以及环绕所述芯片垫布置的多个引线。该SIP还包括：与所述芯片垫一体成型的多个悬挂引线、多个导线、密封体。其中，多个导线将所述模拟芯片的电极与所述引线电连接，并将微计算机芯片与引线电连接。在所述密封体中密封所述模拟芯片和所述微计算机芯片。所述芯片垫的第一弯曲部和第二弯曲部的曲率半径大于芯片垫的第三弯曲部的曲率半径。

公开(公告)号：CN107305851A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201710267226.1

申请日：2017-04-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 团野忠敏 ,  松下司 ,  锦泽笃志

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49541 ,  H01L21/4828 ,  H01L21/485 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/43 ,  H01L24/46 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L2924/181

Abstract: 本公开涉及半导体器件的制造方法以及半导体器件。在半导体器件的可靠性方面实现改进。在形成树脂密封部分以密封裸片焊盘、安装在裸片焊盘上方的半导体芯片、多条引线和多条线之后，将半导体芯片的多个焊盘电极与引线电连接，利用旋转刀切割树脂密封部分和引线以制造半导体器件。在半导体器件中，从密封部分的下表面露出第一和第二引线的每一条的至少部分。第一和第二引线的作为其对应切割表面的端面从作为树脂密封部分的切割表面的密封部分的每个侧面露出。第一引线的端面的下侧与密封部分的上表面之间的距离小于与其相邻的第二引线的端面的上侧与密封部分的上表面之间的距离。

公开(公告)号：CN107078067A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580050915.6

申请日：2015-03-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 锦泽笃志 ,  谷藤雄一 ,  冈浩伟 ,  团野忠敏 ,  中村弘幸

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/06 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 在树脂密封型的半导体装置中，在导电性的芯片焊盘(DP)上经由具有绝缘性的接合材料(BD2)搭载有半导体芯片(CP2)，并且经由具有导电性的接合材料(BD1)搭载有半导体芯片(CP1)。半导体芯片(CP2)的第1侧面与第2侧面交叉而形成的第1边中的被接合材料(BD2)覆盖的部分的第1长度大于半导体芯片(CP1)的第3侧面与第4侧面交叉而形成的第2边中的被接合材料(BD1)覆盖的部分的第2长度。

公开(公告)号：CN204216038U

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201420551883.0

申请日：2014-09-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 三浦喜直 ,  中村卓 ,  团野忠敏

IPC: H01L23/528

CPC classification number: H01L24/09 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/085 ,  H01L27/088 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0605 ,  H01L2224/091 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/48096 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30101 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本实用新型涉及一种半导体器件。源极互连和漏极互连被交替地设置在多个晶体管单元之间。一条接合线在多个点处被连接到源极互连。另一接合线在多个点处被连接到源极互连。另外，一条接合线在多个点处被连接到漏极互连。另外，另一接合线在多个点处被连接到漏极互连。