公开(公告)号：CN103700659B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201310446894.2

申请日：2013-09-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 竹田裕 ,  竹内洁 ,  鬼沢岳 ,  田中圣康

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/092 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及半导体装置。第一接触件、第二杂质区和第二低浓度杂质区形成肖特基势垒二极管。第二杂质区具有与第一杂质区相同的杂质浓度，并且因此可以在与形成第一杂质区相同的处理中被形成。另外，第二低浓度杂质区具有与第一低浓度杂质区相同的杂质浓度，并且因此可以在与形成第一低浓度杂质区相同的处理中被形成。

公开(公告)号：CN104425482A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410407380.0

申请日：2014-08-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 久米一平 ,  鬼沢岳 ,  长谷卓 ,  平尾茂 ,  团野忠敏

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3178 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7849 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置。有时由于作用于硅的III族氮化物半导体的应力使III族氮化物半导体和硅翘曲。一种半导体装置包括：衬底、缓冲层和半导体层。沟槽被形成在所述半导体层的第六面上。所述沟槽穿过所述半导体层和所述缓冲层。所述沟槽的底部至少到达所述衬底的内部。

公开(公告)号：CN103700659A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310446894.2

申请日：2013-09-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 竹田裕 ,  竹内洁 ,  鬼沢岳 ,  田中圣康

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/092 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及半导体装置。第一接触件、第二杂质区和第二低浓度杂质区形成肖特基势垒二极管。第二杂质区具有与第一杂质区相同的杂质浓度，并且因此可以在与形成第一杂质区相同的处理中被形成。另外，第二低浓度杂质区具有与第一低浓度杂质区相同的杂质浓度，并且因此可以在与形成第一低浓度杂质区相同的处理中被形成。