公开(公告)号：CN103700659B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201310446894.2

申请日：2013-09-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 竹田裕 ,  竹内洁 ,  鬼沢岳 ,  田中圣康

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/092 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及半导体装置。第一接触件、第二杂质区和第二低浓度杂质区形成肖特基势垒二极管。第二杂质区具有与第一杂质区相同的杂质浓度，并且因此可以在与形成第一杂质区相同的处理中被形成。另外，第二低浓度杂质区具有与第一低浓度杂质区相同的杂质浓度，并且因此可以在与形成第一低浓度杂质区相同的处理中被形成。

公开(公告)号：CN104425586A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410421973.2

申请日：2014-08-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 久米一平 ,  竹田裕 ,  南云俊治 ,  长谷卓

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/7849 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，一种常关型的而且实现了高移动性及高击穿电压的晶体管的技术。化合物半导体层ISM形成于衬底SUB上，且p型杂质浓度及n型杂质浓度双方均不满1×1016/cm3，并由Ⅲ族氮化物化合物构成。阱WEL为p型杂质层，且形成于化合物半导体层ISM。源极区域SOU形成于阱WEL内，为n型杂质层。低浓度n型区域LDD形成于化合物半导体层ISM，且与阱WEL相连。漏极区域DRN形成于化合物半导体层ISM，且介隔着低浓度n型区域LDD位于阱WEL的相反侧。漏极区域DRN为n型杂质层。

公开(公告)号：CN103700659A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310446894.2

申请日：2013-09-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 竹田裕 ,  竹内洁 ,  鬼沢岳 ,  田中圣康

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/092 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及半导体装置。第一接触件、第二杂质区和第二低浓度杂质区形成肖特基势垒二极管。第二杂质区具有与第一杂质区相同的杂质浓度，并且因此可以在与形成第一杂质区相同的处理中被形成。另外，第二低浓度杂质区具有与第一低浓度杂质区相同的杂质浓度，并且因此可以在与形成第一低浓度杂质区相同的处理中被形成。