公开(公告)号：CN103915484B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201310701503.7

申请日：2013-12-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 平井友洋 ,  南云俊治

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/778 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了种半导体器件,包括衬底和在衬底上形成的源极结构和漏极结构。至少个纳米线结构将源极结构和漏极结构互连,并且用作源极结构和漏极结构之间的沟道。在所述至少个纳米线结构表面之上形成栅极结构,以提供对沟道中的载流子的传导率的控制,并且纳米线结构包括用作用于沟道的背偏置电极的中心芯部。

公开(公告)号：CN104425586A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410421973.2

申请日：2014-08-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 久米一平 ,  竹田裕 ,  南云俊治 ,  长谷卓

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/7849 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，一种常关型的而且实现了高移动性及高击穿电压的晶体管的技术。化合物半导体层ISM形成于衬底SUB上，且p型杂质浓度及n型杂质浓度双方均不满1×1016/cm3，并由Ⅲ族氮化物化合物构成。阱WEL为p型杂质层，且形成于化合物半导体层ISM。源极区域SOU形成于阱WEL内，为n型杂质层。低浓度n型区域LDD形成于化合物半导体层ISM，且与阱WEL相连。漏极区域DRN形成于化合物半导体层ISM，且介隔着低浓度n型区域LDD位于阱WEL的相反侧。漏极区域DRN为n型杂质层。

公开(公告)号：CN104009086B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201410067374.5

申请日：2014-02-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 南云俊治

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种具有压缩性应变沟道区域的半导体器件及其制作方法，利用了包括第一半导体材料的核心和第二半导体材料的外延覆盖层的三维沟道区域。第一和第二半导体材料分别具有不同晶格常数，由此在外延覆盖层中产生应变。器件由后栅极工艺形成，使得仅在已经执行了高温处理之后沉积第二半导体材料。因此，晶格应变基本上未被弛豫，并且并未损害晶格应变沟道区域的改进的性能益处。

公开(公告)号：CN104009086A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410067374.5

申请日：2014-02-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 南云俊治

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种具有压缩性应变沟道区域的半导体器件及其制作方法，利用了包括第一半导体材料的核心和第二半导体材料的外延覆盖层的三维沟道区域。第一和第二半导体材料分别具有不同晶格常数，由此在外延覆盖层中产生应变。器件由后栅极工艺形成，使得仅在已经执行了高温处理之后沉积第二半导体材料。因此，晶格应变基本上未被弛豫，并且并未损害晶格应变沟道区域的改进的性能益处。

公开(公告)号：CN103915483A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310675949.7

申请日：2013-12-11

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 平井友洋 ,  望月省吾 ,  南云俊治

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/775 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78684

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括在衬底的表面上形成的沟道结构，沟道结构由半导体材料形成。栅极结构覆盖沟道结构的表面的至少一部分并且由绝缘材料膜和栅极电极形成。源极结构连接到沟道结构的一端，并且漏极结构连接到沟道结构的另一端。沟道结构包括结构部件，结构部件减少半导体器件的漏电流。

公开(公告)号：CN103915483B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201310675949.7

申请日：2013-12-11

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 平井友洋 ,  望月省吾 ,  南云俊治

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/775 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78684

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括在衬底的表面上形成的沟道结构，沟道结构由半导体材料形成。栅极结构覆盖沟道结构的表面的至少一部分并且由绝缘材料膜和栅极电极形成。源极结构连接到沟道结构的一端，并且漏极结构连接到沟道结构的另一端。沟道结构包括结构部件，结构部件减少半导体器件的漏电流。

公开(公告)号：CN103915484A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310701503.7

申请日：2013-12-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 平井友洋 ,  南云俊治

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/778 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底和在衬底上形成的源极结构和漏极结构。至少一个纳米线结构将源极结构和漏极结构互连，并且用作源极结构和漏极结构之间的沟道。在所述至少一个纳米线结构表面之上形成栅极结构，以提供对沟道中的载流子的传导率的控制，并且纳米线结构包括用作用于沟道的背偏置电极的中心芯部。