公开(公告)号：CN105938799B

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN201610011394.X

申请日：2016-01-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 平井友洋 ,  川口宏

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明的各个实施例涉及半导体器件的制造方法和半导体器件。本发明使得能够通过使用氮化物半导体来改进半导体器件的特性。在栅极电极上方形成导电膜，该栅极电极在衬底上方、其间中介有层间层绝缘膜；并且通过蚀刻该导电膜来形成源极电极和漏极电极，该源极电极在栅极电极的一侧耦合至阻挡层，该漏极电极在栅极电极的另一侧耦合至阻挡层。在这种情况下，蚀刻源极电极，以便具有延伸超过栅极电极上方至漏极电极之侧并且在栅极电极上方具有间隙(开口)的形状。接着，对衬底进行氢气退火。这样，通过在源极电极的源极场板部分处形成间隙，可以在氢气退火过程中、在其中形成有沟道的区域中，有效地供给氢气。

公开(公告)号：CN103915484B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201310701503.7

申请日：2013-12-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 平井友洋 ,  南云俊治

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/778 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了种半导体器件,包括衬底和在衬底上形成的源极结构和漏极结构。至少个纳米线结构将源极结构和漏极结构互连,并且用作源极结构和漏极结构之间的沟道。在所述至少个纳米线结构表面之上形成栅极结构,以提供对沟道中的载流子的传导率的控制,并且纳米线结构包括用作用于沟道的背偏置电极的中心芯部。

公开(公告)号：CN103915483A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310675949.7

申请日：2013-12-11

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 平井友洋 ,  望月省吾 ,  南云俊治

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/775 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78684

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括在衬底的表面上形成的沟道结构，沟道结构由半导体材料形成。栅极结构覆盖沟道结构的表面的至少一部分并且由绝缘材料膜和栅极电极形成。源极结构连接到沟道结构的一端，并且漏极结构连接到沟道结构的另一端。沟道结构包括结构部件，结构部件减少半导体器件的漏电流。

公开(公告)号：CN103915483B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201310675949.7

申请日：2013-12-11

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 平井友洋 ,  望月省吾 ,  南云俊治

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/775 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78684

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括在衬底的表面上形成的沟道结构，沟道结构由半导体材料形成。栅极结构覆盖沟道结构的表面的至少一部分并且由绝缘材料膜和栅极电极形成。源极结构连接到沟道结构的一端，并且漏极结构连接到沟道结构的另一端。沟道结构包括结构部件，结构部件减少半导体器件的漏电流。

公开(公告)号：CN105938799A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201610011394.X

申请日：2016-01-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 平井友洋 ,  川口宏

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L21/28114 ,  H01L21/3006 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/535 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明的各个实施例涉及半导体器件的制造方法和半导体器件。本发明使得能够通过使用氮化物半导体来改进半导体器件的特性。在栅极电极上方形成导电膜，该栅极电极在衬底上方、其间中介有层间层绝缘膜；并且通过蚀刻该导电膜来形成源极电极和漏极电极，该源极电极在栅极电极的一侧耦合至阻挡层，该漏极电极在栅极电极的另一侧耦合至阻挡层。在这种情况下，蚀刻源极电极，以便具有延伸超过栅极电极上方至漏极电极之侧并且在栅极电极上方具有间隙(开口)的形状。接着，对衬底进行氢气退火。这样，通过在源极电极的源极场板部分处形成间隙，可以在氢气退火过程中、在其中形成有沟道的区域中，有效地供给氢气。

公开(公告)号：CN103915484A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310701503.7

申请日：2013-12-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 平井友洋 ,  南云俊治

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/778 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底和在衬底上形成的源极结构和漏极结构。至少一个纳米线结构将源极结构和漏极结构互连，并且用作源极结构和漏极结构之间的沟道。在所述至少一个纳米线结构表面之上形成栅极结构，以提供对沟道中的载流子的传导率的控制，并且纳米线结构包括用作用于沟道的背偏置电极的中心芯部。