公开(公告)号：CN103000673A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210330511.0

申请日：2012-09-07

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 田中圣康

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/26546 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。一种提供紧凑性以及增大的漏极耐压的半导体器件。该半导体器件包括：栅电极；源电极，其与栅电极隔开；漏电极，在平面图中，其相对于栅电极与源电极相对地定位，并且与栅电极隔开；至少一个场板电极，在平面图中，其位于栅电极和漏电极之间，通过绝缘膜设置在半导体衬底上方，并且与栅电极、源电极和漏电极隔开；以及至少一个场板接触，其设置在绝缘膜中，将场板电极耦合到半导体衬底。在平面图中，场板电极从场板接触至少向着源电极或向着漏电极延伸。

公开(公告)号：CN103700659B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201310446894.2

申请日：2013-09-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 竹田裕 ,  竹内洁 ,  鬼沢岳 ,  田中圣康

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/092 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及半导体装置。第一接触件、第二杂质区和第二低浓度杂质区形成肖特基势垒二极管。第二杂质区具有与第一杂质区相同的杂质浓度，并且因此可以在与形成第一杂质区相同的处理中被形成。另外，第二低浓度杂质区具有与第一低浓度杂质区相同的杂质浓度，并且因此可以在与形成第一低浓度杂质区相同的处理中被形成。

公开(公告)号：CN103000673B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201210330511.0

申请日：2012-09-07

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 田中圣康

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/26546 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。一种提供紧凑性以及增大的漏极耐压的半导体器件。该半导体器件包括：栅电极；源电极，其与栅电极隔开；漏电极，在平面图中，其相对于栅电极与源电极相对地定位，并且与栅电极隔开；至少一个场板电极，在平面图中，其位于栅电极和漏电极之间，通过绝缘膜设置在半导体衬底上方，并且与栅电极、源电极和漏电极隔开；以及至少一个场板接触，其设置在绝缘膜中，将场板电极耦合到半导体衬底。在平面图中，场板电极从场板接触至少向着源电极或向着漏电极延伸。

公开(公告)号：CN103700659A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310446894.2

申请日：2013-09-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 竹田裕 ,  竹内洁 ,  鬼沢岳 ,  田中圣康

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/092 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及半导体装置。第一接触件、第二杂质区和第二低浓度杂质区形成肖特基势垒二极管。第二杂质区具有与第一杂质区相同的杂质浓度，并且因此可以在与形成第一杂质区相同的处理中被形成。另外，第二低浓度杂质区具有与第一低浓度杂质区相同的杂质浓度，并且因此可以在与形成第一低浓度杂质区相同的处理中被形成。